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Unbekannt

Band offsets at GaInP/AlGaInP(001) heterostructures lattice matched to GaAs (1998)

Zhang, X. H. ; Chua, S. J. ; Fan, W. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1098-1100. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122096.

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Dynamics of phonon-assisted tunneling in a silicon degenerate pn junction (1998)

Richardson, W. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1116-1118. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122102.

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Observation of confinement-dependent exciton binding energy of GaN quantum dots (1998)

Ramvall, Peter ; Tanaka, Satoru ; Nomura, Shintaro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1104-1106. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122098.

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Chemical vapor deposition of diamond growth using a chemical precursor (1998)

Leroy, Eric ; Küttel, Olivier M. ; Schlapbach, Louis ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1050-1052. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122081.

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Fayeulle, S. ; Nastasi, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1077-1079. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122089.

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Preparation of atomically flat Co(110) films on Cu(110) (1998)

Tölkes, Christian ; Struck, Rainer ; David, Rudolf ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1059-1061. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122084.

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Reentrant metal–insulator-type transition induced by high fluence chromium ion implantation of La0.7Ca0.3MnO3 thin films (1998)

Cohen, L. F. ; de Silva, P. S. I. P. N. ; Malde, N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(7): 1005-1007. Published 1998 Aug 17. doi: 10.1063/1.122067.

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Spin-dependent tunneling through layered ferromagnetic nanoparticles (1998)

Inomata, K. ; Saito, Y.

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In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1143-1145. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122110.

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Near-field optical imaging of light propagation in semiconductor waveguide structures (1998)

Bourzeix, S. ; Moison, J. M. ; Mignard, F. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1035-1037. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122076.

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Stress-induced lateral confinement of light in epitaxial BaTiO3 films grown by radio-frequency magnetron sputtering (1998)

Barrios, Pedro ; Kim, Hong Koo

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In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1017-1019. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122070.

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Unbekannt

Control of microcavity effects in full color stacked organic light emitting devices (1998)

Burrows, P. E. ; Khalfin, V. ; Gu, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 435-437. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121891.

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Oxide thickness dependence of energy shifts in the Si 2p levels for the SiO2/Si structure, and its elimination by a palladium overlayer (1998)

Kobayashi, Hikaru ; Kubota, Tomohiro ; Kawa, Hidefumi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(7): 933-935. Published 1998 Aug 17. doi: 10.1063/1.122042.

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Coherent control of optical gain from electronic intersubband transitions in semiconductors (1998)

Hu, Xuedong ; Pötz, Walter

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(7): 876-878. Published 1998 Aug 17. doi: 10.1063/1.121973.

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Depth-dependent spectroscopic defect characterization of the interface between plasma-deposited SiO2 and silicon (1998)

Schäfer, J. ; Young, A. P. ; Brillson, L. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(6): 791-793. Published 1998 Aug 10. doi: 10.1063/1.122003.

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Thin multiplication region InAlAs homojunction avalanche photodiodes (1998)

Lenox, C. ; Yuan, P. ; Nie, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(6): 783-784. Published 1998 Aug 10. doi: 10.1063/1.122000.

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Confocal Raman spectroscopic observation of hexagonal diamond formation from dissolved carbon in nickel under chemical vapor deposition conditions (1998)

Nishitani-Gamo, Mikka ; Sakaguchi, Isao ; Loh, Kian Ping ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(6): 765-767. Published 1998 Aug 10. doi: 10.1063/1.121994.

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Enhancement of electrical and structural properties of GaN layers grown on vicinal-cut, a-plane sapphire substrates (1998)

Fatemi, M. ; Wickenden, A. E. ; Koleske, D. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 608-610. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121871.

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Room temperature operation of 8–12 μm InSbBi infrared photodetectors on GaAs substrates (1998)

Lee, J. J. ; Kim, J. D. ; Razeghi, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 602-604. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121869.

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Application of solid immersion lens to high-spatial resolution photoluminescence imaging of GaAs quantum wells at low temperatures (1998)

Yoshita, Masahiro ; Sasaki, Takeaki ; Baba, Motoyoshi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 635-637. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121931.

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Voltage-controlled lasing pixels for projection display (1998)

Firehammer, Joel A. ; Crawford, Gregory P. ; Lawandy, Nabil M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 590-592. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121865.

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Growth and second harmonic generation characterization of Er3+ doped bulk periodically poled LiNbO3 (1998)

Bermúdez, V. ; Capmany, J. ; Garcı́a Solé, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 593-595. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121866.

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Quasiphase matched second harmonic generation in ZnSe waveguide structures modulated by focused ion beam implantation (1998)

Kühnelt, M. ; Leichtner, T. ; Kaiser, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 584-586. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121863.

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Unbekannt

Preparation of size-classified PbS nanoparticles in the gas phase (1998)

Kruis, F. Einar ; Nielsch, Kornelius ; Fissan, Heinz ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 547-549. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121928.

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Unbekannt

Micromachinable ultrasonic leaky wave air transducers (1998)

Degertekin, F. Levent ; Atalar, Abdullah ; Khuri-Yakub, Butrus T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(6): 741-743. Published 1998 Aug 10. doi: 10.1063/1.121986.

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Unbekannt

Ultraviolet single-frequency pulses with 110 mW average power using frequency-converted passively Q-switched miniature Nd:YAG ring lasers (1998)

Bode, M. ; Spiekermann, S. ; Fallnich, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(6): 714-716. Published 1998 Aug 10. doi: 10.1063/1.121977.

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Unbekannt

Adaptive correlation filter for stabilization of interference-fiber-optic sensors (1998)

Kamshilin, Alexei A. ; Jaaskelainen, Timo ; Kulchin, Yuri N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(6): 705-707. Published 1998 Aug 10. doi: 10.1063/1.121974.

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Unbekannt

Photon-spin controlled lasing oscillation in surface-emitting lasers (1998)

Ando, H. ; Sogawa, T. ; Gotoh, H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 566-568. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121857.

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Unbekannt

Response to “Comment on ‘Enhancement of the optical gain of semiconductors embedded in three-dimensional photonic crystals’ ” [Appl. Phys. Lett. 73, 550 (1997)] (1998)

Vlasov, Yu. A. ; Luterova, K. ; Pelant, I. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 552-552. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.122271.

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Comment on “Enhancement of optical gain of semiconductors embedded in three-dimensional photonic crystals” [Appl. Phys. Lett. 71, 1616 (1997)] (1998)

Romanov, S. G.

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In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 550-551. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121929.

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Application of a semiconductor tip to capacitance microscopy (1998)

Goto, Kazuya ; Hane, Kazuhiro

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In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 544-546. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121927.

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Permittivity of GaAs epilayers containing arsenic precipitates (1998)

Vasudevan, A. ; Carin, S. ; Melloch, M. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 671-673. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121943.

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Design and simulation of low-threshold antimonide intersubband lasers (1998)

Vurgaftman, I. ; Meyer, J. R. ; Julien, F. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(6): 711-713. Published 1998 Aug 10. doi: 10.1063/1.121976.

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Magnetoresistance of ferromagnetic tunnel junctions with Al2O3 barriers formed by rf sputter etching in Ar/O2 plasma (1998)

Nassar, J. ; Hehn, M. ; Vaurès, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(5): 698-700. Published 1998 Aug 03. doi: 10.1063/1.121952.

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Air-gap amorphous silicon thin film transistors (1998)

Boucinha, M. ; Chu, V. ; Conde, J. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 502-504. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121914.

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Selective formation and alignment of InAs quantum dots over mesa stripes along the [011] and [001] directions on GaAs (100) substrates (1998)

Zhang, R. ; Tsui, R. ; Shiralagi, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 505-507. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121915.

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Effects of Si-doping in the barriers of InGaN multiquantum well purplish-blue laser diodes (1998)

Chichibu, S. ; Cohen, D. A. ; Mack, M. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 496-498. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121912.

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Unbekannt

Raman spectra of the ordered vacancy compounds CuIn3Se5 and CuGa3Se5 (1998)

Rincón, C. ; Wasim, S. M. ; Marı́n, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 441-443. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121893.

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Unbekannt

Fracture phenomena in silicon imaged by infrared radiation from ejected small particles (1998)

Busch, E. ; Haneman, D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 484-486. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121908.

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Unbekannt

Impact excitation of the f–f emission in clusters Er–O in silicon (1998)

Gerchikov, L. G. ; Masterov, V. F.

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In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 532-534. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121923.

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Unbekannt

Observation of spin splitting in single InAs self-assembled quantum dots in AlAs (1998)

Thornton, A. S. G. ; Ihn, T. ; Main, P. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(3): 354-356. Published 1998 Jul 20. doi: 10.1063/1.121832.

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Unbekannt

Electron and hole tunneling in a moderate density quantum dot ensemble with shallow confinement potentials (1998)

Huffaker, D. L. ; Deppe, D. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(3): 366-368. Published 1998 Jul 20. doi: 10.1063/1.121836.

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Unbekannt

Ferroelectric properties of c-oriented YMnO3 films deposited on Si substrates (1998)

Yoshimura, Takeshi ; Fujimura, Norifumi ; Ito, Taichiro

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(3): 414-416. Published 1998 Jul 20. doi: 10.1063/1.122269.

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Unbekannt

Spin-dependent tunneling in discontinuous Co–SiO2 magnetic tunnel junctions (1998)

Sankar, Sandra ; Berkowitz, A. E. ; Smith, David J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(4): 535-537. Published 1998 Jul 27. doi: 10.1063/1.121924.

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Unbekannt

Radio frequency photoinjector using LaB6 cathode and a nitrogen drive laser (1998)

O’Shea, P. G. ; Lancaster, J. A. ; Sachtschale, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(3): 411-413. Published 1998 Jul 20. doi: 10.1063/1.121851.

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Unbekannt

Ultimate quantum efficiency of a superconducting hot-electron photodetector (1998)

Il’in, K. S. ; Milostnaya, I. I. ; Verevkin, A. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(26): 3938-3940. Published 1998 Dec 28. doi: 10.1063/1.122942.

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Unbekannt

Charge transport, optical transparency, microstructure, and processing relationships in transparent conductive indium–zinc oxide films grown by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (1998)

Wang, Anchuan ; Dai, Jiyan ; Cheng, Jizhi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(3): 327-329. Published 1998 Jul 20. doi: 10.1063/1.121823.

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Unbekannt

Selective-area and lateral epitaxial overgrowth of III–N materials by metal organic chemical vapor deposition (1998)

Park, J. ; Grudowski, P. A. ; Eiting, C. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(3): 333-335. Published 1998 Jul 20. doi: 10.1063/1.121825.

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Unbekannt

Cation vacancy formation and migration in the AlGaAs heterostructure system (1998)

Mitev, P. ; Seshadri, S. ; Guido, L. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(25): 3718-3720. Published 1998 Dec 21. doi: 10.1063/1.122874.

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Unbekannt

Carrier relaxation in an InP/InGaAs nonlinear Bragg reflector (1998)

Ogawa, Kensuke ; Matsui, Yasuhiro ; Itatani, Taro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(3): 297-299. Published 1998 Jul 20. doi: 10.1063/1.121814.

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Unbekannt

Influence of the surface morphology on the yellow and “edge” emissions in wurtzite GaN (1998)

Godlewski, M. ; Goldys, E. M. ; Phillips, M. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(25): 3686-3688. Published 1998 Dec 21. doi: 10.1063/1.122863.

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Unbekannt

Characterization of dislocations in germanium substrates induced by mechanical stress (1998)

Gan, S. ; Li, L. ; Hicks, R. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1068-1070. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122086.

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Unbekannt

The large magnetoresistance property of La0.5Sr0.5CoO3−x thin films prepared by pulsed laser deposition (1998)

Liu, J.-M. ; Ong, C. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(8): 1047-1049. Published 1998 Aug 24. doi: 10.1063/1.122080.

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Unbekannt

Influence of the number of deposited atoms per shuttering cycle on surface morphology of sequentially deposited Pb2Sr2EuCu3Oy films (1998)

Motoi, Yuichi ; Ikegawa, Sumio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(7): 987-989. Published 1998 Aug 17. doi: 10.1063/1.122061.

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Unbekannt

Simultaneous sampling of optical pulse intensities and wavelengths by four-wave mixing in a semiconductor optical amplifier (1998)

Diez, S. ; Schmidt, C. ; Hoffmann, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(26): 3821-3823. Published 1998 Dec 28. doi: 10.1063/1.122905.

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Unbekannt

Ruthenium: A superior compensator of InP (1998)

Dadgar, A. ; Stenzel, O. ; Näser, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(26): 3878-3880. Published 1998 Dec 28. doi: 10.1063/1.122898.

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56

Unbekannt

Thermal stability of W and WSix contacts on p-GaN (1998)

Cao, X. A. ; Pearton, S. J. ; Ren, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(7): 942-944. Published 1998 Aug 17. doi: 10.1063/1.122046.

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Unbekannt

Dynamic self-organization of strained islands during SiGe epitaxial growth (1998)

Floro, J. A. ; Chason, E. ; Sinclair, M. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(7): 951-953. Published 1998 Aug 17. doi: 10.1063/1.122049.

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58

Unbekannt

Neutral higher silane molecules in silane plasmas (1998)

Suzuki, Atsushi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(26): 3836-3838. Published 1998 Dec 28. doi: 10.1063/1.122897.

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Unbekannt

Energy transfer from a naphthalimide functionalized side chain polymer towards DCM used as a dopant molecule (1998)

Bouché, C.-M. ; Le Barny, P. ; Facoetti, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(7): 879-881. Published 1998 Aug 17. doi: 10.1063/1.122025.

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Recover the phases from intensity data of x-ray diffraction (1998)

Xu, Gu

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(7): 909-911. Published 1998 Aug 17. doi: 10.1063/1.122034.

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61

Unbekannt

The effect of ultrathin oxides on luminescent silicon nanocrystallites (1998)

Thompson, W. Howard ; Yamani, Zain ; AbuHassan, Laila ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(6): 841-843. Published 1998 Aug 10. doi: 10.1063/1.122019.

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Unbekannt

Free-carrier generation in amorphous semiconductors by intense subgap excitation (1998)

Tanaka, Keiji

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(23): 3435-3437. Published 1998 Dec 07. doi: 10.1063/1.122789.

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Unbekannt

Lasing from InGaAs/GaAs quantum dots with extended wavelength and well-defined harmonic-oscillator energy levels (1998)

Park, G. ; Shchekin, O. B. ; Huffaker, D. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(23): 3351-3353. Published 1998 Dec 07. doi: 10.1063/1.122766.

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Unbekannt

Thermal diffusivity measurements of sub-micron organic dye thin films using a high temperature superconductor bolometer (1998)

Savoy, Steven M. ; Wells, Cyndi A. ; McDevitt, John T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(23): 3387-3389. Published 1998 Dec 07. doi: 10.1063/1.122775.

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Silica capping for Al0.3Ga0.7As/GaAs and In0.2Ga0.8As/GaAs quantum well intermixing (1998)

Li, G. ; Chua, S. J. ; Xu, S. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(23): 3393-3395. Published 1998 Dec 07. doi: 10.1063/1.122777.

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Effect of oxygen on the growth of (101̄0) GaN surfaces: The formation of nanopipes (1998)

Elsner, J. ; Jones, R. ; Haugk, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(24): 3530-3532. Published 1998 Dec 14. doi: 10.1063/1.122826.

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Ultrafast phase dynamics of coherent carriers in GaAs (1998)

Yu, X. Y. ; Luo, Q. ; Li, W. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(23): 3321-3323. Published 1998 Dec 07. doi: 10.1063/1.122708.

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Very large continuous-wave-laser-induced optical absorption in porous silicon films: Evidence for thermal effects (1998)

Koyama, Hideki ; Fauchet, Philippe M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(22): 3259-3261. Published 1998 Nov 30. doi: 10.1063/1.122737.

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Luminescence behavior of pulsed laser deposited Eu:Y2O3 thin film phosphors on sapphire substrates (1998)

Cho, K. G. ; Kumar, D. ; Holloway, P. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(21): 3058-3060. Published 1998 Nov 23. doi: 10.1063/1.122671.

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Room-temperature 1.54 μm electroluminescence from erbium-doped Si/SiGe waveguides (1998)

Neufeld, E. ; Sticht, A. ; Luigart, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(21): 3061-3063. Published 1998 Nov 23. doi: 10.1063/1.122672.

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High quantum efficiency II–VI photodetectors for the blue and blue-violet spectral range (1998)

Ehinger, M. ; Koch, C. ; Korn, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(24): 3562-3564. Published 1998 Dec 14. doi: 10.1063/1.122807.

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Direct optical measurement of the valence band offset of p+ Si1−x−yGexCy/p− Si(100) by heterojunction internal photoemission (1998)

Chang, C. L. ; Rokhinson, L. P. ; Sturm, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(24): 3568-3570. Published 1998 Dec 14. doi: 10.1063/1.122809.

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Ultrafast detection and autocorrelation of picosecond THz radiation pulses with a GaAs/AlAs superlattice (1998)

Winnerl, S. ; Seiwerth, W. ; Schomburg, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(20): 2983-2985. Published 1998 Nov 16. doi: 10.1063/1.122651.

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Unbekannt

Nonconservative Ostwald ripening of dislocation loops in silicon (1998)

Huang, Y. L. ; Seibt, M. ; Plikat, B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(20): 2956-2958. Published 1998 Nov 16. doi: 10.1063/1.122642.

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Unbekannt

Termination, surface structure and morphology of the molecular beam epitaxially grown HgTe(001) surface (1998)

Oehling, S. ; Ehinger, M. ; Gerhard, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(22): 3205-3207. Published 1998 Nov 30. doi: 10.1063/1.122719.

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Comment on “An analysis technique for extraction of thin film stresses from x-ray data” [Appl. Phys. Lett. 71, 2949 (1997)] (1998)

Murray, Conal E. ; Noyan, I. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(21): 3165-3166. Published 1998 Nov 23. doi: 10.1063/1.122707.

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Unbekannt

Majority carrier traps in proton-irradiated GaInP (1998)

Dekker, J. R. ; Tukiainen, A. ; Jaakkola, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(24): 3559-3561. Published 1998 Dec 14. doi: 10.1063/1.122806.

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Unbekannt

Photoluminescence anisotropy from laterally anodized porous silicon (1998)

Givant, A. ; Shappir, J. ; Sa’ar, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(21): 3150-3152. Published 1998 Nov 23. doi: 10.1063/1.122702.

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Unbekannt

Self-organized chain of crystalline-silicon nanospheres (1998)

Kohno, Hideo ; Takeda, Seiji

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(21): 3144-3146. Published 1998 Nov 23. doi: 10.1063/1.122700.

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Unbekannt

Initial stages in the carbonization of (111)Si by solid-source molecular beam epitaxy (1998)

Cimalla, V. ; Stauden, Th. ; Ecke, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(24): 3542-3544. Published 1998 Dec 14. doi: 10.1063/1.122801.

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Unbekannt

Epitaxial growth of (001)-oriented and (110)-oriented SrBi2Ta2O9 thin films (1998)

Lettieri, J. ; Jia, Y. ; Urbanik, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(20): 2923-2925. Published 1998 Nov 16. doi: 10.1063/1.122631.

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Unbekannt

Sample stage induced dose and energy nonuniformity in plasma immersion ion implantation of silicon (1998)

Fan, Zhineng ; Chu, Paul K. ; Chan, Chung ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(2): 202-204. Published 1998 Jul 13. doi: 10.1063/1.121755.

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Unbekannt

Time-gated x-ray tomography (1998)

Grätz, M. ; Kiernan, L. ; Wahlström, C.-G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(20): 2899-2901. Published 1998 Nov 16. doi: 10.1063/1.122623.

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Unbekannt

Near single crystal-level dielectric loss and nonlinearity in pulsed laser deposited SrTiO3 thin films (1998)

Li, Hong-Cheng ; Si, Weidong ; West, Alexander D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(2): 190-192. Published 1998 Jul 13. doi: 10.1063/1.121751.

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Unbekannt

Structure and optical properties of amorphous diamond films prepared by ArF laser ablation as a function of carbon ion kinetic energy (1998)

Merkulov, Vladimir I. ; Lowndes, Douglas H. ; Jellison, G. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(18): 2591-2593. Published 1998 Nov 02. doi: 10.1063/1.122515.

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Publikationsdatum: 1998-11-02

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Unbekannt

Site occupancy of Zr in Nd(FeZr)B magnet during hydrogenation disproportionation desorption recombination process (1998)

Ashfaq, A. ; Matsuura, M. ; Sakurai, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(17): 2512-2514. Published 1998 Oct 26. doi: 10.1063/1.122499.

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Unbekannt

Two-dimensionally conjugated molecules: The importance of low molecular symmetry for large third-order nonlinear optical effects (1998)

Gubler, U. ; Spreiter, R. ; Bosshard, Ch. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(17): 2396-2398. Published 1998 Oct 26. doi: 10.1063/1.122445.

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Unbekannt

Erratum: “Effect of crystal phases on refractive index profiles of annealed proton-exchanged waveguides in X-cut LiTaO3” [Appl. Phys. Lett. 73, 423 (1998)] (1998)

Maring, D. B. ; Tavlykaev, R. F. ; Ramaswamy, R. V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(16): 2380-2380. Published 1998 Oct 19. doi: 10.1063/1.122467.

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Unbekannt

Analysis of current–voltage characteristics of organic light emitting diodes having a LiF/Al cathode and an Al–hydroxyquinoline/diamine junction (1998)

Matsumura, Michio ; Jinde, Yukitoshi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(20): 2872-2874. Published 1998 Nov 16. doi: 10.1063/1.122614.

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Unbekannt

Single-mode picosecond blue laser emission from a solid conjugated polymer (1998)

Stagira, S. ; Zavelani-Rossi, M. ; Nisoli, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(20): 2860-2862. Published 1998 Nov 16. doi: 10.1063/1.122610.

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Unbekannt

Dielectric breakdown of ferromagnetic tunnel junctions (1998)

Oepts, W. ; Verhagen, H. J. ; de Jonge, W. J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(16): 2363-2365. Published 1998 Oct 19. doi: 10.1063/1.122462.

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Unbekannt

Preferential growth of cubic GaN on sapphire (0001) substrates by metal organic molecular beam epitaxy (1998)

Kurobe, T. ; Sekiguchi, Y. ; Suda, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(16): 2305-2307. Published 1998 Oct 19. doi: 10.1063/1.121805.

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Unbekannt

Relaxor behavior and electromechanical properties of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 thin films (1998)

Kighelman, Z. ; Damjanovic, D. ; Seifert, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(16): 2281-2283. Published 1998 Oct 19. doi: 10.1063/1.121702.

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Unbekannt

Plasma heating in highly excited GaN/AlGaN multiple quantum wells (1998)

Zeng, K. C. ; Mair, R. ; Lin, J. Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(17): 2476-2478. Published 1998 Oct 26. doi: 10.1063/1.122487.

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Unbekannt

Nitrogenated tetrahedral amorphous carbon films prepared by ion-beam-assisted filtered cathodic vacuum arc technique for solar cells application (1998)

Cheah, L. K. ; Shi, X. ; Liu, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(17): 2473-2475. Published 1998 Oct 26. doi: 10.1063/1.122486.

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Unbekannt

Observation of step bunches in units of 4 ML on vicinal Si(113) surfaces (1998)

Zhu, Jian-hong ; Brunner, K. ; Abstreiter, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(17): 2438-2440. Published 1998 Oct 26. doi: 10.1063/1.122474.

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Unbekannt

Selectable dual-wavelength pulses generated from a laser diode using external feedback from a two-chromatic fiber grating (1998)

Zhao, Y. ; Shu, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(17): 2402-2404. Published 1998 Oct 26. doi: 10.1063/1.122447.

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Unbekannt

Contactless electroreflectance characterization of GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistor structures (1998)

Huang, Y. S. ; Sun, W. D. ; Pollak, Fred H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(2): 214-216. Published 1998 Jul 13. doi: 10.1063/1.121759.

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Unbekannt

Microstructure of the GaSb-on-InAs heterojunction examined with cross-sectional scanning tunneling microscopy (1998)

Harper, J. ; Weimer, M. ; Zhang, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(19): 2805-2807. Published 1998 Nov 09. doi: 10.1063/1.122596.

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Bistability of charge accumulated in low-temperature-grown GaAs (1998)

Brounkov, P. N. ; Chaldyshev, V. V. ; Suvorova, A. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1998; 73(19): 2796-2798. Published 1998 Nov 09. doi: 10.1063/1.122593.

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Thema: Physik

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