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Optical property of a novel (111)-oriented quantum structure (1997)

Zhang, Xiong ; Chua, Soo-Jin ; Xu, Shijie ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(13): 1840-1842. Published 1997 Sep 29. doi: 10.1063/1.119416.

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Publikationsdatum: 1997-09-29

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Laser thermoacoustic modulation for space charge measurement (1997)

Franceschi, J. L. ; Haas, V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(17): 2236-2237. Published 1997 Apr 28. doi: 10.1063/1.118825.

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Publikationsdatum: 1997-04-28

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Spatial variations in oxygen precipitation in silicon after high temperature rapid thermal annealing (1997)

Pagani, M. ; Falster, R. J. ; Fisher, G. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(12): 1572-1574. Published 1997 Mar 24. doi: 10.1063/1.118620.

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Publikationsdatum: 1997-03-24

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Identification of the terminating structure of 6H–SiC(0001) by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy (1997)

Ishiyama, O. ; Nishihara, T. ; Shinohara, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(16): 2105-2107. Published 1997 Apr 21. doi: 10.1063/1.119042.

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Efficient doping of nitrogen with high activation ratio into ZnSe using a high-power plasma source (1997)

Kimura, K. ; Miwa, S. ; Yasuda, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(1): 81-83. Published 1997 Jan 06. doi: 10.1063/1.119314.

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Laser emission of a flash-lamp pumped Rhodamine 6 G solid copolymer solution (1997)

Calderón, Oscar G. ; Guerra, J. M. ; Costela, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(1): 25-27. Published 1997 Jan 06. doi: 10.1063/1.119293.

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The reversal of light-induced degradation in amorphous silicon solar cells by an electric field (1997)

Carlson, D. E. ; Rajan, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(16): 2168-2170. Published 1997 Apr 21. doi: 10.1063/1.118947.

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Ordering of As impurities in a Si dislocation core (1997)

Maiti, A. ; Kaplan, T. ; Mostoller, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(3): 336-338. Published 1997 Jan 20. doi: 10.1063/1.118407.

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Fabrication of buried epitaxial CoSi2 layer through selective diffusion (1997)

Prabhakaran, K. ; Sumitomo, K. ; Ogino, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(5): 607-609. Published 1997 Feb 03. doi: 10.1063/1.118288.

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Raman study of the relationship between nanoparticles and photoluminescence in spark-processed silicon (1997)

Rupp, S. ; Quilty, J. ; Trodahl, H. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(6): 723-725. Published 1997 Feb 10. doi: 10.1063/1.118249.

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Near-field scanning optical microscopy studies of Cu(In,Ga)Se2 solar cells (1997)

McDaniel, A. A. ; Hsu, J. W. P. ; Gabor, A. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(26): 3555-3557. Published 1997 Jun 30. doi: 10.1063/1.119231.

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Erratum: “Mass transfer in Stranski–Krastanow growth of InAs on GaAs” [Appl. Phys. Lett.70, 640 (1997)] (1997)

Ramachandran, T. R. ; Heitz, R. ; Chen, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(23): 3169-3169. Published 1997 Jun 09. doi: 10.1063/1.119270.

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Publikationsdatum: 1997-06-09

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Depth analysis of phase formation in Si after high-dose Fe ion implantation by depth-selective conversion-electron Mössbauer spectroscopy (1997)

Kruijer, S. ; Keune, W. ; Dobler, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(20): 2696-2698. Published 1997 May 19. doi: 10.1063/1.118996.

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Length quantization in In0.13Ga0.87As/GaAs quantum boxes with rectangular cross section (1997)

Michel, M. ; Forchel, A. ; Faller, F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(3): 393-395. Published 1997 Jan 20. doi: 10.1063/1.118384.

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Publikationsdatum: 1997-01-20

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Surface topology of GaAs(100) after focused ion beam implantation of Si++ (1997)

Schmuki, P. ; Erickson, L. E. ; Champion, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(10): 1305-1307. Published 1997 Mar 10. doi: 10.1063/1.118519.

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Publikationsdatum: 1997-03-10

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Unbekannt

Modified substrate spontaneous emission in broad area semiconductor lasers (1997)

Wright, Malcolm W. ; Dente, Gregory C. ; Bossert, David J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(8): 937-939. Published 1997 Feb 24. doi: 10.1063/1.118446.

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Publikationsdatum: 1997-02-24

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Unbekannt

Optical gain for wurtzite GaN with anisotropic strain in c plane (1997)

Domen, K. ; Horino, K. ; Kuramata, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(8): 987-989. Published 1997 Feb 24. doi: 10.1063/1.118457.

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Publikationsdatum: 1997-02-24

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Unbekannt

A 3 bit single flux quantum shift register based on high-Tc bicrystal Josephson junctions operating at 50 K (1997)

Oelze, B. ; Ruck, B. ; Sodtke, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(5): 658-660. Published 1997 Feb 03. doi: 10.1063/1.118325.

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Publikationsdatum: 1997-02-03

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Unbekannt

Improvement of the dielectric properties of Ta2O5 through substitution with Al2O3 (1997)

Cava, R. J. ; Peck, W. F. ; Krajewski, J. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(11): 1396-1398. Published 1997 Mar 17. doi: 10.1063/1.119088.

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Publikationsdatum: 1997-03-17

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Unbekannt

Evanescent-light guiding of atoms through hollow optical fiber for optically controlled atomic deposition (1997)

Ito, H. ; Sakaki, K. ; Ohtsu, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(19): 2496-2498. Published 1997 May 12. doi: 10.1063/1.118901.

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Publikationsdatum: 1997-05-12

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Unbekannt

Parallel quantum-point-contacts as high-frequency-mixers (1997)

Haubrich, A. G. C. ; Wharam, D. A. ; Kriegelstein, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(24): 3251-3253. Published 1997 Jun 16. doi: 10.1063/1.119139.

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Publikationsdatum: 1997-06-16

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Unbekannt

Optical properties of the epitaxial Pb1−xLaxTiO3 thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition (1997)

Kim, Y. ; Erbil, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(2): 143-145. Published 1997 Jan 13. doi: 10.1063/1.118340.

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Publikationsdatum: 1997-01-13

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Unbekannt

Hydrogen induced silicon surface layer cleavage (1997)

Lu, Xiang ; Cheung, Nathan W. ; Strathman, Michael D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(13): 1804-1806. Published 1997 Sep 29. doi: 10.1063/1.119404.

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Publikationsdatum: 1997-09-29

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Unbekannt

Photorefractive damage removal in annealed-proton-exchanged LiNbO3 channel waveguides (1997)

Robertson, Elaine E. ; Eason, Robert W. ; Yokoo, Yoshiatsu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(16): 2094-2096. Published 1997 Apr 21. doi: 10.1063/1.118959.

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Publikationsdatum: 1997-04-21

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Unbekannt

Tunable InGaAs/GaAs/InGaP laser (1997)

Dutta, N. K. ; Hobson, W. S. ; Lopata, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(10): 1219-1220. Published 1997 Mar 10. doi: 10.1063/1.118534.

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Publikationsdatum: 1997-03-10

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Unbekannt

Nondestructive assessment of the grain size distribution of SnO2 nanoparticles by low-frequency Raman spectroscopy (1997)

Diéguez, Angel ; Romano-Rodrı́guez, Albert ; Ramón Morante, Juan ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(14): 1957-1959. Published 1997 Oct 06. doi: 10.1063/1.119754.

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Publikationsdatum: 1997-10-06

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Unbekannt

Scanning probe nanolithography of conducting metal oxides (1997)

Hung, Chen-Jen ; Gui, Jianian ; Switzer, Jay A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(12): 1637-1639. Published 1997 Sep 22. doi: 10.1063/1.120002.

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Publikationsdatum: 1997-09-22

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Observation of coherent modes of Josephson vortices in Bi2Sr2CaCu2Ox (1997)

Lee, J. U. ; Guptasarma, P. ; Hornbaker, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(10): 1412-1414. Published 1997 Sep 08. doi: 10.1063/1.119909.

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Publikationsdatum: 1997-09-08

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Unbekannt

Refrigeration of a dielectric membrane by superconductor/insulator/normal-metal/insulator/superconductor tunneling (1997)

Manninen, A. J. ; Leivo, M. M. ; Pekola, J. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(14): 1885-1887. Published 1997 Apr 07. doi: 10.1063/1.118721.

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Publikationsdatum: 1997-04-07

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Unbekannt

Pyroelectrically induced optical emission from potassium titanyl phosphate crystals (1997)

Cooke, D. W. ; Bennett, B. L. ; Muenchausen, R. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(10): 1338-1340. Published 1997 Sep 08. doi: 10.1063/1.119887.

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Naturally formed ZnCdSe quantum dots on ZnSe (110) surfaces (1997)

Zhang, B. P. ; Yasuda, T. ; Segawa, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(18): 2413-2415. Published 1997 May 05. doi: 10.1063/1.118888.

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Publikationsdatum: 1997-05-05

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Unbekannt

Stable photorefractive memory effect in sol-gel materials (1997)

Darracq, B. ; Canva, M. ; Chaput, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(3): 292-294. Published 1997 Jan 20. doi: 10.1063/1.118396.

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Unbekannt

Azimuthal surface gliding of a nematic liquid crystal (1997)

Vorflusev, V. P. ; Kitzerow, H.-S. ; Chigrinov, V. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(25): 3359-3361. Published 1997 Jun 23. doi: 10.1063/1.119170.

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Publikationsdatum: 1997-06-23

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Unbekannt

Atomic layer graphoepitaxy for single crystal heterostructures (1997)

Wallis, D. J. ; Browning, N. D. ; Sivananthan, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(23): 3113-3115. Published 1997 Jun 09. doi: 10.1063/1.119107.

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Conducting Sr0.7NbO3 thin film electrodes for ferroelectric capacitors (1997)

Bowman, R. M. ; O’Neill, D. ; McCurry, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(19): 2622-2624. Published 1997 May 12. doi: 10.1063/1.118937.

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Be–Zn interdiffusion and its influence on InGaAsP lasers fabricated by hybrid growth of chemical beam epitaxy and metalorganic vapor phase epitaxy (1997)

Sugiura, Hideo ; Kondo, Susum ; Mitsuhara, Manabu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(21): 2846-2848. Published 1997 May 26. doi: 10.1063/1.119053.

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Spontaneous production of 10-nm Si structures by plasma etching using self-formed masks (1997)

Tada, Tetsuya ; Hamoudi, Ali ; Kanayama, Toshihiko ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(19): 2538-2540. Published 1997 May 12. doi: 10.1063/1.118913.

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Outdoor evaluation of the thermoluminescent properties of α-Al2O3 crystals (1997)

Muñoz, J. A. ; Cussó, F. ; de Cárcer, I. Aguirre ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(13): 1674-1675. Published 1997 Mar 31. doi: 10.1063/1.118200.

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Spatial correlations across n+n semiconductor junctions (1997)

Bulashenko, O. M. ; Gomila, G. ; Rubı́, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(24): 3248-3250. Published 1997 Jun 16. doi: 10.1063/1.119151.

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Ultrafast intersubband photocurrent response in quantum-well infrared photodetectors (1997)

Ehret, S. ; Schneider, H. ; Fleissner, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(5): 641-643. Published 1997 Aug 04. doi: 10.1063/1.119815.

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Room temperature intrinsic optical transition in GaN epilayers: The band-to-band versus excitonic transitions (1997)

Smith, M. ; Lin, J. Y. ; Jiang, H. X. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(5): 635-637. Published 1997 Aug 04. doi: 10.1063/1.119813.

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Chromium-containing metallic fibers confined within carbon nanotubes: Possibility of template-mediated crystal growth (1997)

Okuyama, Fumio ; Ogasawara, Isao

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(5): 623-625. Published 1997 Aug 04. doi: 10.1063/1.119811.

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Diffusional narrowing of Ge on Si(100) coherent island quantum dot size distributions (1997)

Drucker, Jeff ; Chaparro, Sergio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(5): 614-616. Published 1997 Aug 04. doi: 10.1063/1.119809.

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Influence of nanoscale surface curvature on prenucleation phenomena in chemical vapor deposition diamond growth (1997)

Louchev, O. A. ; Sato, Y. ; Dennig, P. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(7): 894-896. Published 1997 Aug 18. doi: 10.1063/1.119680.

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Unbekannt

Smart pixel using a vertical cavity surface-emitting laser (1997)

Welker, M. ; Knüpfer, B. ; Malzer, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(24): 3561-3563. Published 1997 Dec 15. doi: 10.1063/1.120391.

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Unbekannt

Observing lateral temperature and refractive index profiles in an optically pumped midinfrared laser through temporally and spatially resolved spectra (1997)

Yan, Chi ; McDaniel, Donald L. ; Moeller, Charles E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(21): 3054-3056. Published 1997 Nov 24. doi: 10.1063/1.120283.

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Unbekannt

Enhancement of nonlinear optical response due to cavity-induced double resonance in a semiconductor ultrathin film (1997)

Ishihara, Hajime ; Cho, Kikuo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(21): 3036-3038. Published 1997 Nov 24. doi: 10.1063/1.120433.

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Unbekannt

Indexing the hopper shaped {111} face produced in chemical vapor deposited diamond (1997)

Menon, Prabhjot Mehta ; Feigerle, C. S. ; Thundat, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(21): 3078-3080. Published 1997 Nov 24. doi: 10.1063/1.120282.

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Unbekannt

Surface step bunching and crystal defects in InAlAs films grown by molecular beam epitaxy on (111)B InP substrates (1997)

Bécourt, N. ; Peiró, F. ; Cornet, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(20): 2961-2963. Published 1997 Nov 17. doi: 10.1063/1.120229.

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Unbekannt

Photoluminescence energy and interface chemistry of GaInP/GaAs quantum wells (1997)

Mesrine, M. ; Massies, J. ; Vanelle, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(24): 3552-3554. Published 1997 Dec 15. doi: 10.1063/1.120388.

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Unbekannt

Space-charge-enhanced electromechanical response in thin-film polyurethane elastomers (1997)

Su, J. ; Zhang, Q. M. ; Ting, R. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 386-388. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119545.

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Unbekannt

Control of nematic director orientation by exposing rubbed polyimide films to linearly polarized ultraviolet light (1997)

Kim, Jae-Hoon ; Shi, Yushan ; Kumar, Satyendra ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(21): 3162-3164. Published 1997 Nov 24. doi: 10.1063/1.120277.

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Unbekannt

Fabrication of amorphous-carbon-nitride field emitters (1997)

Chi, Eung Joon ; Shim, Jae Yeob ; Baik, Hong Koo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 324-326. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119562.

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Unbekannt

Bilayer growth period oscillation of the Sb2 reactivity during molecular beam epitaxy of AlSb (001) (1997)

Kaspi, Ron ; Loehr, John P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(24): 3537-3539. Published 1997 Dec 15. doi: 10.1063/1.120383.

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Unbekannt

The Meyer–Neldel conductivity prefactor for chalcogenide glasses (1997)

Yelon, Arthur ; Movaghar, Bijan

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(24): 3549-3551. Published 1997 Dec 15. doi: 10.1063/1.120387.

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Unbekannt

Potential controlled stripping of an amorphous As layer on GaAs(001) in an electrolyte: Anin situx-ray scattering study (1997)

Scherb, G. ; Kazimirov, A. ; Zegenhagen, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(20): 2990-2992. Published 1997 Nov 17. doi: 10.1063/1.120239.

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Unbekannt

Ultrathin SiOxNy by rapid thermal heating of silicon in N2 at T=760–1050 °C (1997)

Green, M. L. ; Sorsch, T. ; Feldman, L. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(20): 2978-2980. Published 1997 Nov 17. doi: 10.1063/1.120235.

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Unbekannt

The kinetics of intermixing of GaAs/AlGaAs quantum confined heterostructures (1997)

Saher Helmy, A. ; Aitchison, J. S. ; Marsh, J. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(20): 2998-3000. Published 1997 Nov 17. doi: 10.1063/1.120242.

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Unbekannt

Size distribution of Ge islands grown on Si(001) (1997)

Goryll, M. ; Vescan, L. ; Schmidt, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 410-412. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119553.

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Unbekannt

Measuring hystereses of magnetic surfaces by ion scattering (1997)

Schleberger, M. ; Dirska, M. ; Manske, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(21): 3156-3158. Published 1997 Nov 24. doi: 10.1063/1.120275.

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Unbekannt

Atomic origin of deep levels in p-type GaN: Theory (1997)

Chadi, D. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(20): 2970-2971. Published 1997 Nov 17. doi: 10.1063/1.120232.

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Unbekannt

Effect of capping layers on activation of Be/As-implanted semi-insulating InP:Fe (1997)

Lee, Dongsoo ; Jeong, Jichai

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 383-385. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119544.

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Unbekannt

Evolution of interstitial- and vacancy-type defects upon thermal annealing in ion-implanted Si (1997)

Libertino, S. ; Benton, J. L. ; Jacobson, D. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 389-391. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119546.

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Unbekannt

Investigations of double capillary discharge scheme for production of wave guide in plasma (1997)

Kaganovich, D. ; Sasorov, P. V. ; Ehrlich, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(20): 2925-2927. Published 1997 Nov 17. doi: 10.1063/1.120217.

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Unbekannt

Photoluminescence of Nd-doped LiNbO3 films prepared by pulsed laser deposition (1997)

Alfonso, J. E. ; Martı́n, M. J. ; Zaldo, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(20): 2904-2906. Published 1997 Nov 17. doi: 10.1063/1.120211.

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Unbekannt

Optical investigation of strain and defects in (100) CdTe/Ge/Si and ZnTe/Ge/Si grown by molecular beam epitaxy (1997)

Hutchins, J. W. ; Skromme, B. J. ; Chen, Y. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 350-352. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119534.

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Unbekannt

Preconditioning of c-plane sapphire for GaN epitaxy by radio frequency plasma nitridation (1997)

Heinlein, Christian ; Grepstad, Jostein ; Berge, Torunn ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 341-343. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119532.

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Ex situellipsometry characterization of excimer laser annealed amorphous silicon thin films grown by low pressure chemical vapor deposition (1997)

Kuo, Chau-Hong ; Hsieh, In-Cha ; Schroder, Dieter K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 359-361. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119537.

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Positron and gamma-photon production and nuclear reactions in cascade processes initiated by a sub-terawatt femtosecond laser (1997)

Shkolnikov, P. L. ; Kaplan, A. E. ; Pukhov, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(24): 3471-3473. Published 1997 Dec 15. doi: 10.1063/1.120362.

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Analysis of voltage noise in forward-biased silicon bipolar homojunctions: Low- and high-injection regimes (1997)

Martı́n, M. J. ; Pardo, D. ; Velázquez, J. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(23): 3382-3384. Published 1997 Dec 08. doi: 10.1063/1.120554.

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Preferential Co–Si bonding at the Co/SiGe(100) interface (1997)

Boyanov, B. I. ; Goeller, P. T. ; Sayers, D. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(21): 3060-3062. Published 1997 Nov 24. doi: 10.1063/1.119436.

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Strong Hall voltage modulation in hybrid ferromagnet/semiconductor microstructures (1997)

Monzon, F. G. ; Johnson, Mark ; Roukes, M. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(21): 3087-3089. Published 1997 Nov 24. doi: 10.1063/1.120254.

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Local structural order around dopant atoms in Fe- and Co-doped ternary alloys based on γ′-Ni3Al (1997)

Balasubramanian, Mahalingam ; Lyver, Rex ; Budnick, Joseph I. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 330-332. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119919.

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The effect of dose rate on interstitial release from the end-of-range implant damage region in silicon (1997)

Robertson, Lance S. ; Lilak, Aaron ; Law, Mark E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(21): 3105-3107. Published 1997 Nov 24. doi: 10.1063/1.120260.

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The effect of nitrogen ions emitted from a plasma source on molecular beam epitaxial growth of p-ZnSe:N (1997)

Kimura, K. ; Miwa, S. ; Kajiyama, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(4): 485-487. Published 1997 Jul 28. doi: 10.1063/1.119586.

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Optimized growth conditions for the epitaxial nucleation of β-GaN on GaAs(001) by molecular beam epitaxy (1997)

Brandt, Oliver ; Yang, Hui ; Trampert, Achim ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(4): 473-475. Published 1997 Jul 28. doi: 10.1063/1.119583.

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Unbekannt

Quenching with rapid decompression—a new method for rapid solidification (1997)

He, D. W. ; Zhang, F. X. ; Zhang, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3811-3813. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120542.

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Unbekannt

The interstitial fraction of diffusivity of common dopants in Si (1997)

Gossmann, H.-J. ; Haynes, T. E. ; Stolk, P. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3862-3864. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120527.

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Unbekannt

Dielectric properties of silicon nitride films deposited by microwave electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition at low temperature (1997)

Ye, Chao ; Ning, Zhaoyuan ; Shen, Mingrong ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(3): 336-337. Published 1997 Jul 21. doi: 10.1063/1.119531.

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Unbekannt

Transparent nanocrystalline diamond ceramics fabricated from C60 fullerene by shock compression (1997)

Hirai, H. ; Kondo, K. ; Kim, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(20): 3016-3018. Published 1997 Nov 17. doi: 10.1063/1.120248.

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Unbekannt

Phonons as probes in self-organized SiGe islands (1997)

Groenen, J. ; Carles, R. ; Christiansen, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3856-3858. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120525.

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82

Unbekannt

High performance ZnSTe photovoltaic visible-blind ultraviolet detectors (1997)

Sou, I. K. ; Man, C. L. ; Ma, Z. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3847-3849. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120522.

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83

Unbekannt

Electrical effects generated by experimental volcanic explosions (1997)

Büttner, R. ; Röder, H. ; Zimanowski, B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(14): 1903-1905. Published 1997 Apr 07. doi: 10.1063/1.118726.

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84

Unbekannt

Contradirectional two-wave mixing in Rh-doped BaTiO3 crystal (1997)

Mu, Xiaodong ; Xu, Xinguang ; Shao, Zongshu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(8): 1011-1013. Published 1997 Aug 25. doi: 10.1063/1.119711.

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Unbekannt

n-type high-conductive epitaxial diamond film prepared by gas source molecular beam epitaxy with methane and tri-n-butylphosphine (1997)

Nishimori, Toshihiko ; Nakano, Koji ; Sakamoto, Hitoshi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(7): 945-947. Published 1997 Aug 18. doi: 10.1063/1.119922.

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86

Unbekannt

Effect of the miniband width on the characteristics of a surface-normal reflective optical modulator at 1.3 μm using the Wannier–Stark effect (1997)

Tadanaga, Osamu ; Kagawa, Toshiaki ; Matsuoka, Yutaka

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(8): 1014-1016. Published 1997 Aug 25. doi: 10.1063/1.119712.

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Unbekannt

Room temperature 1.54 μm light emission of erbium doped Si Schottky diodes prepared by molecular beam epitaxy (1997)

Du, Chun-Xia ; Ni, Wei-Xin ; Joelsson, Kenneth B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(8): 1023-1025. Published 1997 Aug 25. doi: 10.1063/1.119715.

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Unbekannt

Erratum: “Distributed feedback quantum cascade lasers” [Appl. Phys. Lett. 70, 2670 (1997)] (1997)

Faist, Jérôme ; Gmachl, Claire ; Capasso, Federico ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(7): 986-986. Published 1997 Aug 18. doi: 10.1063/1.120561.

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89

Unbekannt

Using strained (AlxGa1−x)yIn1−yAszP1−z system materials to improve the performance of 850 nm surface- and edge-emitting lasers (1997)

Sale, T. E. ; Amamo, C. ; Ohiso, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(8): 1002-1004. Published 1997 Aug 25. doi: 10.1063/1.119708.

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Unbekannt

Anomalous longitudinal mode hops in GaAs/AlGaAs distributed Bragg reflector lasers (1997)

Hofstetter, Daniel ; Zappe, Hans P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(2): 181-183. Published 1997 Jul 14. doi: 10.1063/1.119494.

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Unbekannt

A source of hyperthermal neutrals for materials processing (1997)

Goeckner, M. J. ; Bennett, T. K. ; Cohen, S. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(7): 980-982. Published 1997 Aug 18. doi: 10.1063/1.119706.

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Unbekannt

Single-crystal Si field emitter fabricated by anodization (1997)

Higa, Katsuya ; Nishii, Kiyoaki ; Asano, Tanemasa

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(7): 983-985. Published 1997 Aug 18. doi: 10.1063/1.119707.

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93

Unbekannt

Stability of magnesium implanted YBa2Cu3O7 thin films (1997)

Wong, André ; Liang, Ruixing ; Badaye, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(25): 3709-3711. Published 1997 Dec 22. doi: 10.1063/1.120489.

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Unbekannt

Self-limiting process for the bismuth content in molecular beam epitaxial growth of Bi2Sr2CuOy thin films (1997)

Migita, Shinji ; Kasai, Yuji ; Ota, Hiroyuki ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(25): 3712-3714. Published 1997 Dec 22. doi: 10.1063/1.120490.

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95

Unbekannt

Optical absorption of ZnS nanocrystals inside pores of silica (1997)

Tan, Ming ; Cai, Weiping ; Zhang, Lide

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(25): 3697-3699. Published 1997 Dec 22. doi: 10.1063/1.120485.

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Unbekannt

Remote electron beam induced current imaging of electrically active regions in YBa2Cu3O7−x single crystals (1997)

Dı́az-Guerra, C. ; Piqueras, J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(19): 2830-2832. Published 1997 Nov 10. doi: 10.1063/1.120419.

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Publikationsdatum: 1997-11-10

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Unbekannt

Erratum: “On the kinetics of growth of highly defective GaN epilayers and the origin of the deep trap responsible for yellow-band luminescence” [Appl. Phys. Lett. 71, 347 (1997)] (1997)

Liu, H. ; Kim, J. G. ; Ludwig, M. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(17): 2544-2544. Published 1997 Oct 27. doi: 10.1063/1.120565.

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Unbekannt

High velocity pseudosurface waves on LiNbO3 with thin overlayers (1997)

Makarov, S. N. ; Belkova, A. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(16): 2100-2101. Published 1997 Apr 21. doi: 10.1063/1.118961.

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Publikationsdatum: 1997-04-21

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Unbekannt

Type conversion in irradiated silicon diodes (1997)

Taylor, Stephen J. ; Yamaguchi, Masafumi ; Yang, Ming-Ju ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(16): 2165-2167. Published 1997 Apr 21. doi: 10.1063/1.118946.

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Unbekannt

Enhancement on field emission characteristics of pulsed laser deposited diamondlike carbon films using Au precoatings (1997)

Chuang, F. Y. ; Sun, C. Y. ; Cheng, H. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 70(16): 2111-2113. Published 1997 Apr 21. doi: 10.1063/1.118964.

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Publikationsdatum: 1997-04-21

Print ISSN: 0003-6951

Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

Publiziert von American Institute of Physics

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