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Unbekannt

Dependence of crystallographic tilt and defect distribution on mask material in epitaxial lateral overgrown GaN layers (2000)

Tomiya, S. ; Funato, K. ; Asatsuma, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(5): 636-638. Published 2000 Jul 31. doi: 10.1063/1.127069.

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Estimation of interwell terahertz gain by photon-assisted tunneling measurement in triple-barrier resonant tunneling diodes (2000)

Asada, M. ; Oguma, Y. ; Sashinaka, N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(5): 618-620. Published 2000 Jul 31. doi: 10.1063/1.127063.

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Crystallization of bulk amorphous Zr–Ti(Nb)–Cu–Ni–Al (2000)

Löffler, Jörg F. ; Bossuyt, Sven ; Glade, Stephen C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 525-527. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127032.

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Measurement of negative-ion density in high-density C4F8 plasma using a laser photodetachment technique combined with a millimeter-wave open resonator (2000)

Kono, A. ; Kato, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 495-497. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127022.

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Superconducting quantum wells for the detection of submillimeter wave electromagnetic radiation (2000)

Rahman, Faiz ; Thornton, Trevor

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 432-434. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.127000.

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Erratum: “Mechanically induced Si layer transfer in hydrogen implanted Si wafers” [Appl. Phys. Lett. 76, 2370 (2000)] (2000)

Henttinen, K. ; Suni, I. ; Lau, S. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 310-310. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126960.

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Structure variation of intersubband electron–acoustic phonon scattering rate in coupled quantum wells (2000)

Požela, K. ; Naran, S. B. ; Leburton, J.-P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 265-267. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126945.

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Interplay between segregation, roughness, and local strains in the growth of Ga0.75In0.25P alloy (2000)

Wallart, X. ; Priester, C. ; Deresmes, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 253-255. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126941.

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Nanoscale characterization of stresses in semiconductor devices by quantitative electron diffraction (2000)

Demarest, J. ; Hull, R. ; Schonenberg, K. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 412-414. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126993.

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Improved thermal stability of GaN{0001} surfaces by adsorbed C60 molecules (2000)

Nienhaus, Hermann ; Schepers, Carsten ; Grabowski, Stefan P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 403-405. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126990.

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Study of the crystalline quality of exfoliated surfaces in hydrogen-implanted silicon (2000)

Breese, M. B. H. ; Alves, L. C. ; Hoechbauer, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 268-270. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126946.

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Molecular-dynamics study of the mechanism and kinetics of void growth in ductile metallic thin films (2000)

Gungor, M. Rauf ; Maroudas, Dimitrios ; Zhou, Shujia

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 343-345. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126971.

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Room temperature InAsSb photovoltaic midinfrared detector (2000)

Rakovska, A. ; Berger, V. ; Marcadet, X. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 397-399. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126988.

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Unbekannt

Statistical analysis of near-field photoluminescence spectra of single ultrathin layers of CdSe/ZnSe (2000)

von Freymann, G. ; Kurtz, E. ; Klingshirn, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 394-396. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126987.

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Magnetocaloric effect in Gd2PdSi3 (2000)

Sampathkumaran, E. V. ; Das, I. ; Rawat, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 418-420. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126995.

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Unbekannt

Second-harmonic spectroscopy of bulk boron-doped Si(001) (2000)

Lim, D. ; Downer, M. C. ; Ekerdt, J. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 181-183. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126917.

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Unbekannt

Si1−xGex/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3 μm (2000)

Li, Cheng ; Yang, Qinqing ; Wang, Hongjie ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 157-159. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126909.

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Unbekannt

Erratum: “Efficiency peaks in the transient electroluminescence of multilayer organic light-emitting devices” [Appl. Phys. Lett. 76, 2170 (2000)] (2000)

Savvate’ev, V. ; Friedl, J. ; Zou, L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1560-1560. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1308052.

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Unbekannt

In situ observation of nucleation and subsequent growth of clusters in silane radio frequency discharges (2000)

Koga, Kazunori ; Matsuoka, Yasuhiro ; Tanaka, Kenichi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 196-198. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126922.

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Unbekannt

Temperature dependence of the transition from two-dimensional to three-dimensional growth of Ge on (001)Si studied by reflection high-energy electron diffraction (2000)

Cimalla, V. ; Zekentes, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1452-1454. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1290720.

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Unbekannt

Magnetotunneling in sputtered La0.7Ca0.3MnO3/Al2O3 multilayers (2000)

Luo, Y. ; Käufler, A. ; Samwer, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1508-1510. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1290718.

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Unbekannt

Exploring the effects of tensile and compressive strain on two-dimensional electron gas properties within InGaN quantum wells (2000)

LeBoeuf, S. F. ; Aumer, M. E. ; Bedair, S. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 97-99. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126889.

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Unbekannt

Observation and first-principles calculation of buried wurtzite phases in zinc-blende CdTe thin films (2000)

Yan, Y. ; Al-Jassim, M. M. ; Jones, K. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1461-1463. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1308062.

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Unbekannt

Band-tail photoluminescence in nanocrystalline Si (2000)

Kalkan, A. Kaan ; Fonash, S. J. ; Cheng, Shang-Cong

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 55-57. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126875.

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Unbekannt

Surface photovoltage spectroscopy, photoreflectance, and reflectivity characterization of an InGaAs/GaAs/GaAlAs vertical-cavity surface-emitting laser including temperature dependence (2000)

Huang, Y. S. ; Malikova, L. ; Pollak, Fred H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 37-39. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126869.

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Unbekannt

Cd–Ne direct current glow discharge: An efficient source of ultraviolet radiation (2000)

Petrov, G. M. ; Petrova, Ts. ; Ogoyski, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 40-42. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126870.

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Unbekannt

Alignment control method for liquid crystalline molecules and its application for an all-optical device (2000)

Seomun, San-Seong ; Fukuda, Takashi ; Matsuda, Hiro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 28-30. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126866.

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Unbekannt

Reaction of Co and capping layers and its effect on CoSi2 formation in Si/SiOx/Co system (2000)

Kim, Gi Bum ; Kwak, Joon Seop ; Baik, Hong Koo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1443-1445. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1290689.

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Unbekannt

Comment on “Interstitial-type defects away from the projected ion range in high energy ion implanted and annealed silicon” [Appl. Phys. Lett. 75, 1279 (1999)] (2000)

Venezia, V. C. ; Brown, R. A. ; Kalyanaraman, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 151-152. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126906.

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Unbekannt

How a quantum-dot laser turns on (2000)

Grundmann, Marius

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1428-1430. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1290716.

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Unbekannt

Influences of interfacial intrinsic low-dielectric layers on the dielectric properties of sputtered (Ba,Sr)TiO3 thin films (2000)

Lee, Byoung Taek ; Hwang, Cheol Seong

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 124-126. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126897.

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Unbekannt

Piconewton regime dynamic force microscopy in liquid (2000)

Tamayo, Javier ; Humphris, Andrew D. L. ; Miles, Mervyn J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 582-584. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127051.

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Unbekannt

Analysis of the activation energy of the subthreshold current in laser- and solid-phase-crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors (2000)

Pichon, L. ; Mercha, A. ; Carin, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 576-578. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127049.

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Oxide thinning percolation statistical model for soft breakdown in ultrathin gate oxides (2000)

Chen, Ming-Jer ; Kang, Ting-Kuo ; Liu, Chuan-Hsi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 555-557. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127042.

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Spectroscopic measurements on the Andreev reflection probability as a function of temperature (2000)

Appenzeller, J. ; Jakob, M. ; Stahl, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 549-551. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127040.

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Saturation of THz-frequency intraband absorption in InAs/GaAs quantum dot molecules (2000)

Boucaud, P. ; Gill, K. S. ; Williams, J. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 510-512. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127027.

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10.1162/153244303765208395 (2000)

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 1: Published 2000 Jan 01. doi: 10.1162/153244303765208395.

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Various bonding configurations of transition-metal atoms on carbon nanotubes: Their effect on contact resistance (2000)

Andriotis, Antonis N. ; Menon, Madhu ; Froudakis, George E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(26): 3890-3892. Published 2000 Jun 26. doi: 10.1063/1.126811.

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A plasma process for ultrafast deposition of SiGe graded buffer layers (2000)

Rosenblad, C. ; Känel, H. von ; Kummer, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(4): 427-429. Published 2000 Jan 24. doi: 10.1063/1.125776.

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Complete surface exfoliation of 4H–SiC by H+- and Si+-coimplantation (2000)

Bennett, J. A. ; Holland, O. W. ; Budde, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(22): 3265-3267. Published 2000 May 29. doi: 10.1063/1.126640.

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Effect of strain transfer on critical thickness for epitaxial layers grown on compliant substrate (2000)

Huang, F. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(21): 3046-3048. Published 2000 May 22. doi: 10.1063/1.126574.

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Unbekannt

70+ μm deep domain inversion in X-cut LiNbO3 and its use in a high-speed bandpass integrated-optic modulator (2000)

Kishino, Tetsuya ; Tavlykaev, Robert F. ; Ramaswamy, Ramu V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(26): 3852-3854. Published 2000 Jun 26. doi: 10.1063/1.126799.

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Organic light-emitting diodes using an in situ thermally polymerized hole transporting layer (2000)

Jiang, Xuezhong ; Liu, Sen ; Liu, Michelle S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(21): 2985-2987. Published 2000 May 22. doi: 10.1063/1.126553.

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Unbekannt

Magnetic-field effects on undriven chaos in a weakly coupled GaAs/AlAs superlattice (2000)

Luo, K. J. ; Friedland, K.-J. ; Grahn, H. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(20): 2913-2915. Published 2000 May 15. doi: 10.1063/1.126515.

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Unbekannt

Temperature dependence of intrinsic recombination coefficients in 1.3 μm InAsP/InP quantum-well semiconductor lasers (2000)

Pikal, J. M. ; Menoni, C. S. ; Thiagarajan, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(19): 2659-2661. Published 2000 May 08. doi: 10.1063/1.126435.

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Unbekannt

Hydrogenation of ZnS passivation on narrow-band gap HgCdTe (2000)

White, J. K. ; Musca, C. A. ; Lee, H. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(17): 2448-2450. Published 2000 Apr 24. doi: 10.1063/1.126372.

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Unbekannt

Site-controlled InAs single quantum-dot structures on GaAs surfaces patterned by in situ electron-beam lithography (2000)

Ishikawa, Tomonori ; Nishimura, Tetsuya ; Kohmoto, Shigeru ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(2): 167-169. Published 2000 Jan 10. doi: 10.1063/1.125691.

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Unbekannt

Effects of surface resonance state on the plasmon resonance absorption of Ag nanoparticles embedded in partially oxidized amorphous Si matrix (2000)

Yang, L. ; Li, G. H. ; Zhang, L. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(12): 1537-1539. Published 2000 Mar 20. doi: 10.1063/1.126088.

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Unbekannt

Effect of hydrogen etching on 6H SiC surface morphology studied by reflection high-energy positron diffraction and atomic force microscopy (2000)

Kawasuso, A. ; Kojima, K. ; Yoshikawa, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(9): 1119-1121. Published 2000 Feb 28. doi: 10.1063/1.125957.

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Publikationsdatum: 2000-02-28

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Unbekannt

Investigations into local piezoelectric properties by atomic force microscopy (2000)

Durkan, C. ; Chu, D. P. ; Migliorato, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(3): 366-368. Published 2000 Jan 17. doi: 10.1063/1.125756.

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Publikationsdatum: 2000-01-17

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Unbekannt

Gating individual nanotubes and crosses with scanning probes (2000)

Tombler, Thomas W. ; Zhou, Chongwu ; Kong, Jing ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(17): 2412-2414. Published 2000 Apr 24. doi: 10.1063/1.125611.

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Publikationsdatum: 2000-04-24

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Unbekannt

Low-energy grazing-angle argon-ion irradiation of silicon: A viable option for cleaning? (2000)

Zalm, P. C. ; van den Berg, J. A. ; van Berkum, J. G. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(14): 1887-1889. Published 2000 Apr 03. doi: 10.1063/1.126201.

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Publikationsdatum: 2000-04-03

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Unbekannt

Room-temperature Al single-electron transistor made by electron-beam lithography (2000)

Pashkin, Yu. A. ; Nakamura, Y. ; Tsai, J. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(16): 2256-2258. Published 2000 Apr 17. doi: 10.1063/1.126313.

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Publikationsdatum: 2000-04-17

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Unbekannt

A quasicontinuous wave, optically pumped violet vertical cavity surface emitting laser (2000)

Song, Y.-K. ; Zhou, H. ; Diagne, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(13): 1662-1664. Published 2000 Mar 27. doi: 10.1063/1.126128.

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Publikationsdatum: 2000-03-27

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Unbekannt

Nanosecond transients in the electroluminescence from multilayer blue organic light-emitting devices based on 4,4′-bis(2,2′diphenyl vinyl)-1,1′-biphenyl (2000)

Savvate’ev, V. ; Friedl, J. H. ; Zou, L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(12): 1501-1503. Published 2000 Mar 20. doi: 10.1063/1.126076.

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Unbekannt

Electrical characteristics of ultrathin gate oxide prepared by postoxidation annealing in ND3 (2000)

Kwon, Hyungshin ; Hwang, Hyunsang

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(6): 772-773. Published 2000 Feb 07. doi: 10.1063/1.125890.

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Publikationsdatum: 2000-02-07

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Unbekannt

Atomically resolved scanning tunneling microscopy of hydrogen-terminated Si(001) surfaces after HF cleaning (2000)

Arima, Kenta ; Endo, Katsuyoshi ; Kataoka, Toshihiko ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(4): 463-465. Published 2000 Jan 24. doi: 10.1063/1.125788.

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Publikationsdatum: 2000-01-24

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Unbekannt

Improved temperature performance of Al0.33Ga0.67As/GaAs quantum-cascade lasers with emission wavelength at λ≈11 μm (2000)

Kruck, P. ; Page, H. ; Sirtori, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(23): 3340-3342. Published 2000 Jun 05. doi: 10.1063/1.126686.

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Unbekannt

Demonstration of III–V semiconductor-based nonvolatile memory devices (2000)

Pan, Zhongwei ; Shum, Kai

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(4): 505-507. Published 2000 Jan 24. doi: 10.1063/1.125802.

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Unbekannt

Oxygen plasma effects on sol-gel-derived lead-zirconate-titanate thin films (2000)

Jang, H. K. ; Lee, S. K. ; Lee, Cheol Eui ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(7): 882-884. Published 2000 Feb 14. doi: 10.1063/1.125617.

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Unbekannt

Comparison of the electrical and thermal stability of stress- or radiation-induced leakage current in thin oxides (2000)

Riess, P. ; Ceschia, M. ; Paccagnella, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(9): 1158-1160. Published 2000 Feb 28. doi: 10.1063/1.125969.

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Unbekannt

Topographic measurement of electromigration-induced stress gradients in aluminum conductor lines (2000)

Wang, P.-C. ; Noyan, I. C. ; Kaldor, S. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(25): 3726-3728. Published 2000 Jun 19. doi: 10.1063/1.126763.

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Unbekannt

Effect of Mg ionization efficiency on performance of Npn AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors (2000)

Monier, C. ; Pearton, S. J. ; Chang, P. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(21): 3115-3117. Published 2000 May 22. doi: 10.1063/1.126541.

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Near-infrared laser pumped intersubband THz laser gain in InGaAs–AlAsSb–InP quantum wells (2000)

Liu, Ansheng ; Ning, C. Z.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(15): 1984-1986. Published 2000 Apr 10. doi: 10.1063/1.126230.

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Unbekannt

Temperature dependence of dislocation photoresponse in relaxed GeSi films (2000)

Gray, Matthew H. ; Hsu, J. W. P.

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In: Applied Physics Letters. 2000; 76(10): 1294-1296. Published 2000 Mar 06. doi: 10.1063/1.126013.

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Publikationsdatum: 2000-03-06

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Growth temperature dependence of transport properties of InAs epilayers grown on GaP (2000)

Souw, Victor ; Gopal, V. ; Chen, E.-H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(8): 1176-1178. Published 2000 Aug 21. doi: 10.1063/1.1289269.

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Unbekannt

Optical gate action of a molecular thin film probed with femtosecond near-field optical microscopy (2000)

Kawashima, H. ; Furuki, M. ; Tatsuura, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(9): 1283-1285. Published 2000 Aug 28. doi: 10.1063/1.1289902.

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Charge trapping in very thin high-permittivity gate dielectric layers (2000)

Houssa, M. ; Stesmans, A. ; Naili, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(9): 1381-1383. Published 2000 Aug 28. doi: 10.1063/1.1290138.

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Negative ion formation in the scattering of CF3+ from graphite (2000)

Gleeson, M. A. ; Kropholler, M. ; Kleyn, A. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(8): 1096-1098. Published 2000 Aug 21. doi: 10.1063/1.1289808.

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Transmittance and resistivity of semicontinuous copper films prepared by pulsed-laser deposition (2000)

So, S. K. ; Fong, H. H. ; Yeung, C. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(8): 1099-1101. Published 2000 Aug 21. doi: 10.1063/1.1289259.

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Application of split-gate structures as tunable spin filters (2000)

Gilbert, M. J. ; Bird, J. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(7): 1050. Published 2000 Jan 01. doi: 10.1063/1.1288816.

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Self-biased dielectric bolometer from epitaxially grown Pb(Zr,Ti)O[sub 3] and lanthanum-doped Pb(Zr,Ti)O[sub 3] multilayered thin films (2000)

Liu, Weiguo ; Jiang, Bin ; Zhu, Weiguang

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(7): 1047. Published 2000 Jan 01. doi: 10.1063/1.1289064.

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Unbekannt

Optical gain and collector current characteristics of resonant-cavity phototransistors (2000)

Lin, Chien-chung ; Martin, Wayne ; Harris, James S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(9): 1188-1190. Published 2000 Feb 28. doi: 10.1063/1.125978.

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Unbekannt

Fabricating nanometer-scale Co dot and line arrays on Cu(100) surfaces (2000)

Silva, S. L. ; Jenkins, C. R. ; York, S. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(9): 1128-1130. Published 2000 Feb 28. doi: 10.1063/1.125959.

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Unbekannt

Multilayered gated lateral quantum dot devices (2000)

Liang, C.-T. ; Simmons, M. Y. ; Smith, C. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(9): 1134-1136. Published 2000 Feb 28. doi: 10.1063/1.125961.

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Unbekannt

Analysis of the turn-off dynamics in polymer light-emitting diodes (2000)

Pinner, D. J. ; Friend, R. H. ; Tessler, N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(9): 1137-1139. Published 2000 Feb 28. doi: 10.1063/1.125962.

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Unbekannt

Micromagnetics of submicron (110) Fe elements (2000)

Thomas, Luc ; Parkin, Stuart S. P. ; Yu, Jun ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(6): 766-768. Published 2000 Feb 07. doi: 10.1063/1.125888.

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Unbekannt

Quality of silica capping layer and its influence on quantum-well intermixing (2000)

Fu, L. ; Deenapanray, P. N. K. ; Tan, H. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(7): 837-839. Published 2000 Feb 14. doi: 10.1063/1.125601.

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Unbekannt

Controlling the performance of GaAs–AlGaAs quantum-cascade lasers via barrier height modifications (2000)

Wilson, L. R. ; Keightley, P. T. ; Cockburn, J. W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(7): 801-803. Published 2000 Feb 14. doi: 10.1063/1.125589.

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Unbekannt

Exciton spin polarization in magnetic semiconductor quantum wires (2000)

Ray, O. ; Sirenko, A. A. ; Berry, J. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(9): 1167-1169. Published 2000 Feb 28. doi: 10.1063/1.125972.

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Unbekannt

Erratum: “High-Tc second-order gradiometer for magnetocardiography in an unshielded environment” [Appl. Phys. Lett. 75, 1979 (1999)] (2000)

Kouznetsov, K. A. ; Borgmann, J. ; Clarke, John

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(8): 1075-1075. Published 2000 Feb 21. doi: 10.1063/1.125943.

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82

Unbekannt

High-temperature characteristics of 1.3 μm InGaAsN:Sb/GaAs multiple-quantum-well lasers grown by molecular-beam epitaxy (2000)

Yang, X. ; Heroux, J. B. ; Jurkovic, M. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(7): 795-797. Published 2000 Feb 14. doi: 10.1063/1.125587.

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83

Unbekannt

Magnetocrystalline anisotropy of TbFe12−xTix single crystals (2000)

Wang, Jianli ; Wu, Guangheng ; Tang, Ning ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(9): 1170-1172. Published 2000 Feb 28. doi: 10.1063/1.125973.

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84

Unbekannt

Large enhancement of second harmonic generation in polymer films by microcavities (2000)

Cao, H. ; Hall, D. B. ; Torkelson, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(5): 538-540. Published 2000 Jan 31. doi: 10.1063/1.125811.

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85

Unbekannt

Appearance of superparamagnetism on heating nanosize Mn0.65Zn0.35Fe2O4 (2000)

Rath, Chandana ; Mishra, N. C. ; Anand, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(4): 475-477. Published 2000 Jan 24. doi: 10.1063/1.125792.

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Unbekannt

Near-field spectroscopy of selectively oxidized vertical cavity surface emitting lasers (2000)

Kim, J. ; Boyd, J. T. ; Jackson, Howard E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(5): 526-528. Published 2000 Jan 31. doi: 10.1063/1.125807.

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Unbekannt

Exchange-biased La2/3Ca1/3(Sr1/3)MnO3 ultrathin films (2000)

Nikolaev, K. R. ; Krivorotov, I. N. ; Cooley, W. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(4): 478-480. Published 2000 Jan 24. doi: 10.1063/1.125793.

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Unbekannt

Doping screening of polarization fields in nitride heterostructures (2000)

Di Carlo, Aldo ; Della Sala, Fabio ; Lugli, Paolo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(26): 3950-3952. Published 2000 Jun 26. doi: 10.1063/1.126831.

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Unbekannt

Current-induced realignment of magnetic domains in nanostructured Cu/Co multilayer pillars (2000)

Katine, J. A. ; Albert, F. J. ; Buhrman, R. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(3): 354-356. Published 2000 Jan 17. doi: 10.1063/1.125752.

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Unbekannt

Piezoelectric field-enhanced second-order nonlinear optical susceptibilities in wurtzite GaN/AlGaN quantum wells (2000)

Liu, Ansheng ; Chuang, S.-L. ; Ning, C. Z.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(3): 333-335. Published 2000 Jan 17. doi: 10.1063/1.125736.

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Unbekannt

Stimulated emission study of InGaN/GaN multiple quantum well structures (2000)

Liao, Chi-Chih ; Feng, Shih-Wei ; Yang, C. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(3): 318-320. Published 2000 Jan 17. doi: 10.1063/1.125732.

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Unbekannt

Effect of dopant atoms on the roughness of III–V semiconductor cleavage surfaces (2000)

Quadbeck, P. ; Ebert, Ph. ; Urban, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(3): 300-302. Published 2000 Jan 17. doi: 10.1063/1.125726.

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Unbekannt

Suppression of implantation-induced damage in 6H–SiC by simultaneous excimer laser irradiation during ion implantation (2000)

Hishida, Yuji ; Watanabe, Masanori ; Sekine, Kohei ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(26): 3867-3869. Published 2000 Jun 26. doi: 10.1063/1.126803.

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Unbekannt

Heterogeneously integrated organic light-emitting diodes with complementary metal–oxide–silicon circuitry (2000)

Mathine, D. L. ; Woo, H. S. ; He, W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(26): 3849-3851. Published 2000 Jun 26. doi: 10.1063/1.126798.

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Unbekannt

Laser-assisted scanning tunnelling microscope detection of a molecular adsorbate (2000)

Smith, D. A. ; Owens, R. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(25): 3825-3827. Published 2000 Jun 19. doi: 10.1063/1.126794.

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Unbekannt

Schottky effect model of electrical activity of metallic precipitates in silicon (2000)

Plekhanov, P. S. ; Tan, T. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(25): 3777-3779. Published 2000 Jun 19. doi: 10.1063/1.126778.

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Unbekannt

Ultraviolet photon counting with GaN avalanche photodiodes (2000)

McIntosh, K. A. ; Molnar, R. J. ; Mahoney, L. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(26): 3938-3940. Published 2000 Jun 26. doi: 10.1063/1.126827.

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Unbekannt

Metal-sulfur-based air-stable passivation of GaAs with very low surface-state densities (2000)

Ashby, Carol I. H. ; Zavadil, Kevin R. ; Baca, Albert G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(3): 327-329. Published 2000 Jan 17. doi: 10.1063/1.125734.

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Unbekannt

Control of the expression of anchored genes using micron scale heater (2000)

Shivashankar, G. V. ; Liu, S. ; Libchaber, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(24): 3638-3640. Published 2000 Jun 12. doi: 10.1063/1.126732.

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Comment on “Anomaly of Hall effect in magnetoresistive La0.67Ca0.33MnO3” [Appl. Phys. Lett. 75, 3372 (1999)] (2000)

Ziese, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 76(24): 3653-3653. Published 2000 Jun 12. doi: 10.1063/1.126737.

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Publikationsdatum: 2000-06-12

Print ISSN: 0003-6951

Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

Publiziert von American Institute of Physics

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