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Unbekannt

Controlling the sulphur content of ZnSe1−ySyepitaxial layers grown by metalorganic chemical vapor deposition using diethyl selenide, hydrogen sulphide, and dimethylzinc (1991)

Yates, H. M. ; Williams, J. O. ; Cole‐Hamilton, D. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2835-2837. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.105875.

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Uniformp‐type impurity‐doped multiquantum well AlGaInP semiconductor lasers with a lasing wavelength of 633 nm at 20 °C (1991)

Tanaka, T. ; Yanagisawa, H. ; Kakibayashi, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(16): 1943-1945. Published 1991 Oct 14. doi: 10.1063/1.106143.

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Unbekannt

Tunneling and subband levels in GaAs quantum well with direct and indirect AlxGa1−xAs barriers (1991)

Sankaran, Vasu ; Singh, Jasprit

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(16): 1963-1965. Published 1991 Oct 14. doi: 10.1063/1.106150.

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Scanning tunneling microscopy of Pt/Co multilayers on Pt buffer layers (1991)

Tang, S. L. ; Carcia, P. F. ; Coulman, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2898-2900. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.105845.

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Submicron probe of polymer adhesion with atomic force microscopy: Dependence on topography and material inhomogeneities (1991)

Mizes, H. A. ; Loh, K.‐G. ; Miller, R. J. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2901-2903. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.105846.

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Thermochemistry on a fluorinated diamond (111) surface (1991)

Harris, Stephen J. ; Belton, David N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(16): 1949-1951. Published 1991 Oct 14. doi: 10.1063/1.106145.

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Theoretical studies of the applications of resonant tunneling diodes as intersubband laser and interband excitonic modulators (1991)

Loehr, J. P. ; Singh, J. ; Mains, R. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(17): 2070-2072. Published 1991 Oct 21. doi: 10.1063/1.106133.

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InGaAs/InP multiple quantum well tunable Bragg reflector (1991)

Blum, O. ; Zucker, J. E. ; Chiu, T. H. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(23): 2971-2973. Published 1991 Dec 02. doi: 10.1063/1.105815.

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Epitaxy on vicinal surfaces: The critical flux and the diffusion coefficients (1991)

Lu, Yan‐Ten ; Metiu, Horia

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(23): 3054-3055. Published 1991 Dec 02. doi: 10.1063/1.105791.

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Optical investigation of interface roughness and defect incorporation in GaAs/AlGaAs quantum wells grown with and without growth interruption (1991)

Gurioli, M. ; Vinattieri, A. ; Colocci, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(17): 2150-2152. Published 1991 Oct 21. doi: 10.1063/1.106109.

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Doping effect of oxygen or nitrogen impurity in hydrogenated amorphous silicon films (1991)

Morimoto, Akiharu ; Matsumoto, Minoru ; Yoshita, Masahiro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(17): 2130-2132. Published 1991 Oct 21. doi: 10.1063/1.106102.

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Passivation of shallow impurities in Si by annealing in H2at high temperature (1991)

Veloarisoa, I. A. ; Stavola, Michael ; Kozuch, D. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(17): 2121-2123. Published 1991 Oct 21. doi: 10.1063/1.106099.

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Comparative study of the perovskite phase microstructure evolution and electrical properties of lead zirconate titanate thin-film capacitors annealed in oxygen and nitrogen ambients (1991)

Chikarmane, Vinay ; Sudhama, Chandra ; Kim, Jiyoung ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2850-2852. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.106427.

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Unbekannt

Oxygen‐vacancy ordering in Y2Ba4Cu7O15−ε (1991)

Krekels, T. ; Van Tendeloo, G. ; Amelinckx, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(23): 3048-3050. Published 1991 Dec 02. doi: 10.1063/1.105789.

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Unbekannt

Electrical characterization of metal‐insulator‐semiconductor diodes fabricated from laser‐ablated YBa2Cu3O7−δ /yttria‐stabilized zirconia films on Si substrates (1991)

Ajimine, Eric M. ; Pagaduan, Felino E. ; Rahman, M. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2889-2891. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.106402.

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Unbekannt

Swelling of plasma‐polymerized tetrafluoroethylene films (1991)

Butler, M. A. ; Buss, R. J. ; Seager, C. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2817-2819. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.106403.

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Unbekannt

Local electrical dissipation imaged by scanning force microscopy (1991)

Denk, Winfried ; Pohl, Dieter W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(17): 2171-2173. Published 1991 Oct 21. doi: 10.1063/1.106088.

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Unbekannt

Ion implantation profile modeling of nitrocellulose coated substrates (1991)

Merhari, L. ; Le Hüe, C. ; Belorgeot, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2856-2858. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.105832.

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Unbekannt

Highly carbon‐dopedp‐type Ga0.5In0.5As and Ga0.5In0.5P by carbon tetrachloride in gas‐source molecular beam epitaxy (1991)

Chin, T. P. ; Kirchner, P. D. ; Woodall, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2865-2867. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.105835.

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Unbekannt

Monolithic two‐dimensional surface‐emitting diode laser arrays mounted in the junction‐down configuration (1991)

Jansen, M. ; Yang, J. J. ; Ou, S. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(21): 2663-2665. Published 1991 Nov 18. doi: 10.1063/1.105932.

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Unbekannt

a‐axis oriented YBa2Cu3O7−xthin films on Si with CeO2buffer layers (1991)

Luo, Li ; Wu, X. D. ; Dye, R. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(16): 2043-2045. Published 1991 Oct 14. doi: 10.1063/1.106126.

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Unbekannt

Novel all‐optical 10 μm waveguide modulator based on intersubband absorption in GaAs/AlGaAs quantum wells (1991)

Julien, F. H. ; Vagos, P. ; Lourtioz, J.‐M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(21): 2645-2647. Published 1991 Nov 18. doi: 10.1063/1.105925.

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Unbekannt

Characteristics of all YBa2Cu3O7edge junctions operating above 80 K (1991)

Koren, G. ; Polturak, E. ; Aharoni, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(21): 2745-2747. Published 1991 Nov 18. doi: 10.1063/1.105906.

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Unbekannt

Possibility of infrared laser in a resonant tunneling structure (1991)

Kastalsky, A. ; Goldman, V. J. ; Abeles, J. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(21): 2636-2638. Published 1991 Nov 18. doi: 10.1063/1.105922.

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Unbekannt

High sensitivity optical image processing device based on CdZnTe/ZnTe multiple quantum well structures (1991)

Partovi, A. ; Glass, A. M. ; Olson, D. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(15): 1832-1834. Published 1991 Oct 07. doi: 10.1063/1.106417.

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Unbekannt

Symmetric Si/Si1−xGextwo‐dimensional hole gases grown by rapid thermal chemical vapor deposition (1991)

Venkataraman, V. ; Schwartz, P. V. ; Sturm, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2871-2873. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.105837.

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Unbekannt

Insitupulsed laser deposition of superconducting Ba1−xKxBiO3thin films (1991)

Moon, B. M. ; Platt, C. E. ; Schweinfurth, R. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(15): 1905-1907. Published 1991 Oct 07. doi: 10.1063/1.106184.

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Unbekannt

Metalorganic molecular beam epitaxy of 1.3 μm quaternary layers and heterostructure lasers (1991)

Hamm, R. A. ; Ritter, D. ; Temkin, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(15): 1893-1895. Published 1991 Oct 07. doi: 10.1063/1.106180.

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Unbekannt

Stress‐driven void growth in narrow interconnection lines (1991)

Hu, S. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(21): 2685-2687. Published 1991 Nov 18. doi: 10.1063/1.105884.

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Subnanosecond burning of persistent spectral holes by donor‐acceptor electron transfer in tetraphenylporphine/p‐benzoquinone systems (1991)

Suzuki, Hiroyuki ; Shimada, Toshiyuki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(15): 1814-1816. Published 1991 Oct 07. doi: 10.1063/1.106207.

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Unbekannt

Factors controlling resolution in the laser‐induced aqueous etching of semiconductors using a focused cw beam (1991)

Li, Shi ; Scelsi, Giuseppe ; Ruberto, Mark N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(15): 1884-1886. Published 1991 Oct 07. doi: 10.1063/1.106177.

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Unbekannt

Detection of the EL2 metastability by x‐ray rocking‐curve measurements at low temperatures (1991)

Kowalski, G. ; Leszczynski, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(20): 2561-2563. Published 1991 Nov 11. doi: 10.1063/1.105953.

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Unbekannt

Low energy ion‐assisted deposition of titanium nitride ohmic contacts on alpha (6H)‐silicon carbide (1991)

Glass, R. C. ; Spellman, L. M. ; Davis, R. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(22): 2868-2870. Published 1991 Nov 25. doi: 10.1063/1.105836.

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Integrated distributed feedback laser and optical amplifier (1991)

Dutta, N. K. ; Lopata, J. ; Logan, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(14): 1676-1677. Published 1991 Sep 30. doi: 10.1063/1.106419.

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In situ determination of dielectric functions and optical gap of ultrathin amorphous silicon by real time spectroscopic ellipsometry (1991)

An, Ilsin ; Li, Y. M. ; Wronski, C. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(20): 2543-2545. Published 1991 Nov 11. doi: 10.1063/1.105947.

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Adhesion of polycrystalline diamond thin films on single‐crystal silicon substrates (1991)

Gamlen, C. A. ; Case, E. D. ; Reinhard, D. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(20): 2529-2531. Published 1991 Nov 11. doi: 10.1063/1.105942.

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Time response of a tunable‐electron‐density quantum well and reservoir structure (1991)

Wang, Jin ; Leburton, J. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(21): 2709-2711. Published 1991 Nov 18. doi: 10.1063/1.105892.

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Does benzene inhibit diamond film growth? (1991)

Martin, L. Robbin ; Harris, Stephen J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(15): 1911-1913. Published 1991 Oct 07. doi: 10.1063/1.106186.

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Dopant passivation in AlInAs and InGaP by atomic deuterium (1991)

Pearton, S. J. ; Kuo, J. M. ; Hobson, W. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(21): 2703-2705. Published 1991 Nov 18. doi: 10.1063/1.105890.

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Cathodoluminescence observation of excitons confined to a two‐dimensional electron gas in a selectively doped heterostructure (1991)

Reynolds, C. L. ; Lengle, S. E. ; Swaminathan, V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(21): 2700-2702. Published 1991 Nov 18. doi: 10.1063/1.105889.

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Identification of nonambipolar transport in the application of a photocarrier grating to hydrogenated amorphous silicon (1991)

Balberg, I. ; Weisz, S. Z.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(14): 1726-1728. Published 1991 Sep 30. doi: 10.1063/1.106231.

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New deep level luminescence bands observed from both a SiGe alloy layer and Si/Ge superlattice structures (1991)

Higgs, V. ; Lightowlers, E. C. ; van de Walle, G. F. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(20): 2579-2581. Published 1991 Nov 11. doi: 10.1063/1.105908.

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Unbekannt

Field‐effect conductance activation energy in an undoped polycrystalline silicon thin‐film transistor (1991)

Dimitriadis, C. A. ; Economou, N. A. ; Coxon, P. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 172-174. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.106010.

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Unbekannt

Improvement of the optical and photoelectric properties of hydrogenated amorphous silicon‐carbon alloys by using trisilylmethane as a feedstock (1991)

Li, Y.‐M. ; Fieselmann, B. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(14): 1720-1722. Published 1991 Sep 30. doi: 10.1063/1.106229.

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Influence of nucleation procedures on stress relaxation in heterostructures: GaAs/Si (100) (1991)

Soutadé, J. ; Fontaine, C. ; Muñoz‐Yagüe, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(14): 1764-1766. Published 1991 Sep 30. doi: 10.1063/1.106217.

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Unbekannt

Image potentials and the dry etching of submicron trenches with low‐energy ions (1991)

Davis, Robert J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(14): 1717-1719. Published 1991 Sep 30. doi: 10.1063/1.106228.

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Unbekannt

Population inversion through resonant interband tunneling (1991)

Yang, Rui Q. ; Xu, J. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 181-182. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105987.

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Unbekannt

Enhanced preferential sputtering of a hydrogenated barium surface (1991)

Heeren, R. M. A. ; Ćirić, D. ; Hopman, H. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 158-160. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.106005.

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Unbekannt

Nd3+incorporation in CaF2layers grown by molecular beam epitaxy (1991)

Bausá, L. E. ; Legros, R. ; Muñoz‐Yagüe, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 152-154. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.106003.

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Unbekannt

N‐channel enhancement mode field‐effect transistors in Hg1−xCdxTe grown by organometallic epitaxy (direct alloy growth process) (1991)

Bhat, I. B. ; Parat, K. K. ; Ehsani, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1575-1577. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106288.

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Unbekannt

HighTcbulk superconductor wigglers (1991)

Matsuzawa, Hidenori ; Ishibashi, Yoshiharu ; Ariizumi, Masato ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 141-142. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.106000.

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Unbekannt

A physical model for boron penetration through an oxynitride gate dielectric prepared by rapid thermal processing in N2O (1991)

Hwang, Hyunsang ; Ting, Wenchi ; Kwong, Dim‐Lee ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1581-1582. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106290.

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Unbekannt

Practical low‐noise integrated dc superconducting quantum interference device magnetometer with additional positive feedback (1991)

Ryhänen, T. ; Cantor, R. ; Drung, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 228-230. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105974.

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Unbekannt

Room‐temperature short‐period transient grating measurement of perpendicular transport in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells (1991)

Norwood, D. P. ; Swoboda, H.‐E. ; Dawson, Martin D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 219-221. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105971.

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Unbekannt

Effect of oxygen partial pressure on theinsitugrowth of Y‐Ba‐Cu‐O thin films on SrTiO3 (1991)

Zheng, J. Q. ; Shih, M. C. ; Williams, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 231-233. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105975.

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Epitaxial YBa2Cu3Oxthin films on sapphire using a Y‐stabilized ZrO2buffer layer (1991)

Schmidt, H. ; Hradil, K. ; Hösler, W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 222-224. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105972.

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Structural modulations of Bi2Sr2CuO6studied byinsitux‐ray diffraction (1991)

Shen, Y. ; Richards, D. R. ; Hinks, D. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1559-1561. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106282.

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Influence of substrate topography on the nucleation of diamond thin films (1991)

Dennig, Paul A. ; Stevenson, David A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1562-1564. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106283.

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Lateral tunneling through voltage‐controlled barriers (1991)

Manion, S. J. ; Bell, L. D. ; Kaiser, W. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 213-215. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105969.

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Molecular beam epitaxy of GaAs on Si‐on‐insulator (1991)

Zhu, Wenhua ; Yu, Yuehui ; Lin, Chenglu ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 210-212. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105968.

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The bulk modulus of C60molecules and crystals: A molecular mechanics approach (1991)

Ruoff, Rodney S. ; Ruoff, Arthur L.

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1553-1555. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106280.

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Low‐temperature homoepitaxy on Si(111) (1991)

Weir, B. E. ; Freer, B. S. ; Headrick, R. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 204-206. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105966.

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Monte Carlo particle simulation of radiation‐induced heating in GaAs field‐effect transistors (1991)

Moglestue, C. ; Buot, F. A. ; Anderson, W. T.

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 192-194. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105963.

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Substantial improvement by substrate misorientation in dc performance of Al0.5Ga0.5As/GaAs/Al0.5Ga0.5As double‐heterojunctionNpNbipolar transistors grown by molecular beam epitaxy (1991)

Chand, Naresh ; Berger, Paul R. ; Dutta, Niloy K.

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(2): 186-188. Published 1991 Jul 08. doi: 10.1063/1.105961.

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Room‐temperature CO2laser radiation detector (1991)

Srinivas, T. A. S. ; Timans, P. J. ; Butcher, R. J. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1529-1531. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106272.

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Preparation of PbTiO3thin films at low temperature by an excimer laser ablation technique (1991)

Tabata, Hitoshi ; Kawai, Tomoji ; Kawai, Shichio ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(19): 2354-2356. Published 1991 Nov 04. doi: 10.1063/1.106038.

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Molecular beam epitaxy of GaSb (1991)

Longenbach, K. F. ; Wang, W. I.

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(19): 2427-2429. Published 1991 Nov 04. doi: 10.1063/1.106037.

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1.4 ps rise‐time high‐voltage photoconductive switching (1991)

Motet, T. ; Nees, J. ; Williamson, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(12): 1455-1457. Published 1991 Sep 16. doi: 10.1063/1.105286.

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High resolution electron microscopy study of damage created in Si‐implanted InP (1991)

Zheng, P. ; Ruault, M.‐O. ; Pitaval, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1594-1596. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106266.

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Stability of hydrogenated amorphous silicon deposited at high temperatures with a remote hydrogen plasma (1991)

Johnson, N. M. ; Nebel, C. E. ; Santos, P. V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(12): 1443-1445. Published 1991 Sep 16. doi: 10.1063/1.105282.

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Body current scanning: A novel technique for characterizing the floating body effects and parasitic bipolar action in silicon‐on‐insulator metal‐oxide‐semiconductor transistors (1991)

Liu, Patrick S. ; Li, G. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(12): 1435-1437. Published 1991 Sep 16. doi: 10.1063/1.105279.

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Influence of cobalt substitution on critical currents of YBa2Cu3O7−s (1991)

Kulkarni, R. G. ; Baldha, G. J. ; Bichile, G. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1386-1388. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.106383.

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A novel quantum‐well optoelectronic switching device with stimulated emission (1991)

Ou, S. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1296-1298. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.106377.

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Unbekannt

Thermally stimulated current in neutron‐transmutation‐doped semi‐insulating GaAs (1991)

Kuriyama, K. ; Yokoyama, K. ; Satoh, Akemi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1326-1328. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.105489.

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Insitudetermination of flux nonuniformities during molecular beam epitaxial growth (1991)

Shanabrook, B. V. ; Katzer, D. S. ; Wagner, R. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1317-1319. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.105486.

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Polarization insensitive tunable liquid‐crystal etalon filter (1991)

Patel, J. S.

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1314-1316. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.105485.

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Unbekannt

Direct imaging of the fragments produced during excimer laser ablation of YBa2Cu3O7−δ (1991)

Gupta, A. ; Braren, B. ; Casey, K. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1302-1304. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.105481.

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Unbekannt

Effect of growth temperature on photoluminescence of InAs grown by organometallic vapor phase epitaxy (1991)

Fang, Z. M. ; Ma, K. Y. ; Cohen, R. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(12): 1446-1448. Published 1991 Sep 16. doi: 10.1063/1.105283.

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Unbekannt

Laser action in a KrF‐laser‐pumped Ta vapor (1991)

Yoshida, H. ; Ninomiya, H. ; Takashima, N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1290-1292. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.105478.

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Unbekannt

High‐superconducting critical current densities in YBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7superlattices (1991)

Jakob, G. ; Przyslupski, P. ; Stölzel, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1626-1628. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106251.

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Unbekannt

Thermally stable, low‐resistance NiInWNxohmic contacts ton‐type GaAs prepared by sputter deposition (1991)

Murakami, Masanori ; Lustig, Naftali ; Price, W. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(19): 2409-2411. Published 1991 Nov 04. doi: 10.1063/1.106031.

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Unbekannt

Wet etching of gold films compatible with highTcsuperconducting thin films (1991)

Eidelloth, W. ; Sandstrom, R. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(13): 1632-1634. Published 1991 Sep 23. doi: 10.1063/1.106253.

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Unbekannt

High mobility AlInAs/InP high electron mobility transistor structures grown by organometallic vapor phase epitaxy (1991)

Aina, L. ; Mattingly, M. ; Burgess, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(12): 1485-1487. Published 1991 Sep 16. doi: 10.1063/1.105295.

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Unbekannt

Electroluminescence from a pseudomorphic Si0.8Ge0.2alloy (1991)

Robbins, D. J. ; Calcott, P. ; Leong, W. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1350-1352. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.105305.

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85

Unbekannt

Electrostatic trapping of contamination particles in a process plasma environment (1991)

Carlile, Robert N. ; Geha, Sam ; O’Hanlon, John F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(10): 1167-1169. Published 1991 Sep 02. doi: 10.1063/1.105545.

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Unbekannt

Kinetics of thermal stress induced void growth in narrow aluminum lines (1991)

Bo/rgesen, P. ; Lee, J. K. ; Paszkiet, C. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1341-1343. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.105302.

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Unbekannt

Highly multiplexed graded‐index polymer waveguide hologram for near‐infrared eight‐channel wavelength division demultiplexing (1991)

Chen, Ray T. ; Lu, Huey ; Robinson, Daniel ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(10): 1144-1146. Published 1991 Sep 02. doi: 10.1063/1.105538.

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Unbekannt

Enhanced flux pinning by combined atomic substitution and phase decomposition in cuprate superconductors (1991)

Tallon, J. L. ; Pooke, D. M. ; Buckley, R. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(10): 1239-1241. Published 1991 Sep 02. doi: 10.1063/1.105515.

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Unbekannt

Flux pinning and critical current density of a Y1Ba2Cu3O7−xsuperconducting thin film (1991)

Matsuura, Takashi ; Itozaki, Hideo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(10): 1236-1238. Published 1991 Sep 02. doi: 10.1063/1.105514.

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90

Unbekannt

Laser writing and rewriting on YBa2Cu3O7films (1991)

Shen, Y. Q. ; Freltoft, T. ; Vase, P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(11): 1365-1367. Published 1991 Sep 09. doi: 10.1063/1.105310.

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91

Unbekannt

High‐quality YBa2Cu3O7−xthin films by plasma‐enhanced metalorganic chemical vapor deposition at low temperature (1991)

Zhao, J. ; Li, Y. Q. ; Chern, C. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(10): 1254-1256. Published 1991 Sep 02. doi: 10.1063/1.105468.

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Unbekannt

Corrosion protection of aluminum surfaces using pyrolytic tin oxide (1991)

Roos, Arne ; Hedenqvist, Per

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In: Applied Physics Letters. 1991; 59(1): 25-27. Published 1991 Jul 01. doi: 10.1063/1.105566.

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93

Unbekannt

Over 245 mW 1.3 μm buried ridge stripe laser diodes onn‐substrate fabricated by the reactive ion beam etching technique (1991)

Bouadma, N. ; Kazmierski, C. ; Semo, J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(1): 22-24. Published 1991 Jul 01. doi: 10.1063/1.105565.

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Unbekannt

Tunneling assisted modulation of the intersubband absorption in double quantum wells (1991)

Vodjdani, N. ; Vinter, B. ; Berger, V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(5): 555-557. Published 1991 Jul 29. doi: 10.1063/1.105384.

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Unbekannt

Enhancement of deposition rates in the reactive sputtering of silicon exposed to an argon‐oxygen plasma (1991)

Ohwaki, Takeshi ; Taga, Yasunori

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(4): 420-422. Published 1991 Jul 22. doi: 10.1063/1.105449.

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Unbekannt

High‐frequency operation of heavily carbon‐doped Ga0.51In0.49P/GaAs surface‐emitting light‐emitting diodes grown by metalorganic molecular beam epitaxy (1991)

de Lyon, T. J. ; Woodall, J. M. ; McInturff, D. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(4): 402-404. Published 1991 Jul 22. doi: 10.1063/1.105444.

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Unbekannt

Experimental observation of two microwave radiation mechanisms with widely separated frequencies during the output pulse of a high‐voltage virtual cathode oscillator (1991)

Haworth, M. ; Adler, R. ; Anderson, B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(4): 408-410. Published 1991 Jul 22. doi: 10.1063/1.105446.

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98

Unbekannt

Negative light‐modulation effect of boron‐doped hydrogenated amorphous silicon (1991)

Maeda, Yoshinobu ; Yamamoto, Shigeichi ; Migitaka, Masatoshi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(4): 390-392. Published 1991 Jul 22. doi: 10.1063/1.105440.

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99

Unbekannt

Intensity and phase noise in microcavity surface‐emitting semiconductor lasers (1991)

Agrawal, Govind P. ; Gray, George R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(4): 399-401. Published 1991 Jul 22. doi: 10.1063/1.105443.

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Unbekannt

Oxide thickness effect and surface roughening in the desorption of the oxide from GaAs (1991)

Van Buuren, T. ; Weilmeier, M. K. ; Athwal, I. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1991; 59(4): 464-466. Published 1991 Jul 22. doi: 10.1063/1.105437.

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Publikationsdatum: 1991-07-22

Print ISSN: 0003-6951

Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

Publiziert von American Institute of Physics

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