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Identification of epitaxial Y2O3inclusions in sputtered YBa2Cu3O7films: Impact on film growth (1992)

Catana, A. ; Broom, R. F. ; Bednorz, J. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1016-1018. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106507.

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Sum‐frequency generation in segmented KTP waveguides (1992)

Laurell, F. ; Brown, J. B. ; Bierlein, J. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(9): 1064-1066. Published 1992 Mar 02. doi: 10.1063/1.106445.

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Fabrication of TlCaBaCuO step‐edge Josephson junctions with hysteretic behavior (1992)

Martens, J. S. ; Hietala, V. M. ; Zipperian, T. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1013-1015. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106506.

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Organometallic vapor phase epitaxial growth and characterization of GaInP/AlInP quantum wells on 10°‐off GaAs substrates using ethyldimethylindium (1992)

Wang, T. Y. ; Welch, D. F. ; Scifres, D. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1007-1009. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106504.

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Generation of the pretilt angles in nematic liquid crystal (5CB) aligned on the rubbed polypyrrole films (1992)

Seo, Dae‐Shik ; Kobayashi, Shunsuke ; Mochizuki, Akihiro

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1025-1026. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106487.

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Using light as a stencil (1992)

Prentiss, M. ; Timp, G. ; Bigelow, N. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1027-1029. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106488.

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Low dark current step‐bound‐to‐miniband transition InGaAs/GaAs/AlGaAs multiquantum‐well infrared detector (1992)

Yu, Larry S. ; Wang, Y. H. ; Li, Sheng S. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 992-994. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106484.

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Integrated wavelength demultiplexer‐receiver on InP (1992)

Bornholdt, C. ; Trommer, D. ; Unterbörsch, G. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 971-973. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.107460.

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Electrical behavior of Yb ion inp‐ andn‐type InP (1992)

Seghier, D. ; Benyattou, T. ; Bremond, G. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 983-985. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106481.

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Electrical characteristics of paraelectric lead lanthanum zirconium titanate thin films for dynamic random access memory applications (1992)

Jones, R. E. ; Maniar, P. D. ; Olowolafe, J. O. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1022-1024. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106486.

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Thermal and photochemical decomposition pathways of AsH3on GaAs(100): Implication for atomic layer epitaxy (1992)

Zhu, X.‐Y. ; Wolf, M. ; Huett, T. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 977-979. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106479.

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Oriented lead germanate thin films by excimer laser ablation (1992)

Peng, C. J. ; Roy, D. ; Krupanidhi, S. B.

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 827-829. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.107431.

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Vapor phase synthesis of crystalline nanometer‐scale GaAs clusters (1992)

Saunders, Winston A. ; Sercel, Peter C. ; Atwater, Harry A. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 950-952. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106471.

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Growth of strained InAs/InP quantum wells by molecular beam epitaxy (1992)

Hopkinson, M. ; David, J. P. R. ; Claxton, P. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 841-843. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.106531.

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Suppressed photocurrent multiple‐quantum‐well optical modulators by proton implantation (1992)

Woodward, T. K. ; Tell, B. ; Knox, W. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 742-744. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106555.

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Enhanced two‐wave mixing in a photorefractive waveguide having a periodically reversedc‐axis by electrical poling technique (1992)

Ito, Fumihiko ; Kitayama, Ken‐ichi ; Nakao, Osamu

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 793-795. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.106520.

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Improvement of peak‐to‐valley ratio by the incorporation of the InAs layer into the GaSb/AlSb/GaSb/AlSb/InAs double barrier resonant interband tunneling structure (1992)

Houng, M. P. ; Wang, Y. H. ; Shen, C. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 713-715. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106546.

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Unbekannt

Surface‐emitting lasers with optical cavity along the [111] direction (1992)

Ou, S. S. ; Yang, J. J. ; Jansen, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 689-691. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106538.

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Unbekannt

Fully connected bulk Pb1−xSnxMo6S7.6samples made by hot isostatic pressing (1992)

Le Lay, L. ; Willis, T. C. ; Larbalestier, D. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 775-777. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106516.

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Center electrode effects in a long‐conduction‐time plasma‐opening switch (1992)

Véron, L. ; Etlicher, B. ; Rouillé, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 560-561. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106607.

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Faraday rotation from Zn1−xFexSe epilayers (1992)

Fu, L. P. ; Schmiedel, T. ; Petrou, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 583-585. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106617.

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Unbekannt

Director‐polarization reorientation via solitary waves in ferroelectric liquid crystals (1992)

Abdulhalim, I. ; Moddel, G. ; Clark, N. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 551-553. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106604.

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Unbekannt

Externally pumped high repetition rate femtosecond infrared optical parametric oscillator (1992)

Mak, Gary ; Fu, Qiang ; van Driel, Henry M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 542-544. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106601.

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Unbekannt

Phase‐locked CO2laser array using diagonal coupling of waveguide channels (1992)

Abramski, K. M. ; Colley, A. D. ; Baker, H. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 530-532. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106597.

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Modulation of quantized levels of GaAs/AlGaAs quantum wells by InAs monomolecular plane insertion (1990)

Sato, Michio ; Horikoshi, Yoshiji

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1555-1557. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103172.

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Photoluminescence characteristics of AlGaN‐GaN‐AlGaN quantum wells (1990)

Khan, M. A. ; Skogman, R. A. ; Van Hove, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(13): 1257-1259. Published 1990 Mar 26. doi: 10.1063/1.102530.

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Influence of the impurity concentration on charge carrier dynamics in GaAs films (1990)

Werner, A. ; Kunst, M. ; Moustakas, T. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1558-1560. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103152.

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Study of cooling of hot carriers and intervalley scattering in In0.53Ga0.47As by subpicosecond Raman scattering (1990)

Kim, D. S. ; Yu, P. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1570-1572. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103133.

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Influences of trace metal impurities on the thermal quenching of photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon by homogeneous chemical vapor deposition (1990)

Qian, Z. M. ; Nijs, J. ; Michiel, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1591-1593. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103137.

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Pressure‐dependent transition in the mechanism of remote plasma SiNxdeposition (1990)

Meikle, Scott ; Hatanaka, Yoshinori

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 762-764. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.104259.

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Selectively doped double‐heterojunction lateral current injection ridge waveguide AlGaAs/GaAs laser (1990)

Yasuhira, N. ; Suemune, I. ; Kan, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1391-1393. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.102477.

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Unbekannt

Epitaxial Tl2CaBa2Cu2O8thin films with low 9.6 GHz surface resistance at high power and above 77 K (1990)

Hammond, R. B. ; Negrete, G. V. ; Bourne, L. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 825-827. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.104262.

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Infrared optical characterization of InAs/Ga1−xInxSb superlattices (1990)

Miles, R. H. ; Chow, D. H. ; Schulman, J. N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 801-803. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103425.

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S‐bend loss in disorder‐delineated GaAs heterostructure laser waveguides with native and blue shifted active regions (1990)

Tang, T. ; Swanson, P. ; Herzinger, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 741-743. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103431.

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GaAs‐AlAs low‐voltage refractive modulator operating at 1.06 μm (1990)

Goossen, K. W. ; Cunningham, J. E. ; Jan, W. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 744-746. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103432.

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Interaction between growing amorphous silicon and glass substrate evidenced byinsituinfrared ellipsometry (1990)

Blayo, N. ; Drévillon, B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 786-788. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103420.

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Electroluminescence and high‐field domains in GaAs/AlGaAs superlattices (1990)

Helm, M. ; Golub, J. E. ; Colas, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1356-1358. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102513.

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Effect of substrates and film thickness on the structural, optical, and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon films (1990)

Hishikawa, Yoshihiro ; Tsuge, Sadaji ; Nakamura, Noboru ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 771-773. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103416.

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Measurement of the x‐ray power from transition radiators (1990)

Piestrup, M. A. ; Moran, M. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1421-1423. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103179.

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Fabrication of thin‐film‐type Josephson junctions using a Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O /Bi‐Sr‐Cu‐O/Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O structure (1990)

Mizuno, K. ; Higashino, K. ; Setsune, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1469-1471. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103173.

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Epitaxial growth of Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O superconducting thin films by metalorganic chemical vapor deposition (1990)

Sugimoto, T. ; Yoshida, M. ; Yamaguchi, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 928-930. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.104269.

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Unbekannt

Electronic transitions in a SimGenstrained monolayer superlattice measured by photoreflectance (1990)

Dafesh, P. A. ; Arbet, V. ; Wang, K. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1498-1500. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103158.

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Unbekannt

Synthesis of YBa2Cu4O8at one atmosphere oxygen pressure by the modified citrate gel process (1990)

Liu, R. S. ; Janes, R. ; Bennett, M. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 920-921. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.104267.

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Unbekannt

Electrical properties of the interface between YBa2Cu3Oxfilms and various substrates (1990)

Ying, Q. Y. ; Kwok, H. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1478-1480. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103208.

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Unbekannt

Anisotropic Josephson junctions of Y‐Ba‐Cu‐O/Au/Nb film sandwiches (1990)

Akoh, H. ; Camerlingo, C. ; Takada, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1487-1489. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103156.

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Unbekannt

Photoconductivity of chemically deposited CdS:Y films (1990)

Bhushan, S. ; Sharma, S. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 884-886. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.104093.

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Unbekannt

Multiquantum well structure with an average electron mobility of 4.0×106 cm2/V s (1992)

Pfeiffer, L. N. ; West, K. W. ; Eisenstein, J. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(10): 1211-1212. Published 1992 Sep 07. doi: 10.1063/1.107597.

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Unbekannt

Photoelectric properties in microscopicp‐njunctions of organic semiconductors (1992)

Saito, Kazuhiro ; Sugi, Michio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(1): 116-118. Published 1992 Jul 06. doi: 10.1063/1.107658.

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Unbekannt

Low‐temperature metalorganic chemical vapor deposition of perovskite Pb(ZrxTi1−x)O3thin films (1992)

Peng, Chien H. ; Desu, Seshu B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(1): 16-18. Published 1992 Jul 06. doi: 10.1063/1.107646.

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Unbekannt

Optical bleaching of metastable defects in amorphous silicon (1992)

Ganguly, Gautam

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 874-876. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.107435.

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51

Unbekannt

Enhanced spectral power density and reduced linewidth at 1.3 μm in an InGaAsP quantum well resonant‐cavity light‐emitting diode (1992)

Hunt, N. E. J. ; Schubert, E. F. ; Logan, R. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(19): 2287-2289. Published 1992 Nov 09. doi: 10.1063/1.108489.

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52

Unbekannt

Lateral band‐gap patterning and carrier confinement in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on nonplanar dot patterns (1992)

Krahl, M. ; Kapon, E. ; Schiavone, L. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(7): 813-815. Published 1992 Aug 17. doi: 10.1063/1.107753.

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Unbekannt

Phonon mode study of near‐lattice‐matched InxGa1−xAs using micro‐Raman spectroscopy (1992)

Estrera, J. P. ; Stevens, P. D. ; Glosser, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(16): 1927-1929. Published 1992 Oct 19. doi: 10.1063/1.108366.

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Unbekannt

Picosecond transient photoluminescence spectra of ZnSe‐ZnS strained‐layer superlattices grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy (1992)

Cui, Jie ; Wang, Hai‐Long ; Gan, Fu‐Xi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(13): 1540-1542. Published 1992 Sep 28. doi: 10.1063/1.107489.

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Unbekannt

Polarized Raman spectroscopy in ion irradiated graphite (1992)

Compagnini, G. ; Baratta, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(15): 1796-1798. Published 1992 Oct 12. doi: 10.1063/1.108403.

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Unbekannt

Temperature dependence of damping in high‐speed quantum‐well lasers (1992)

Ishikawa, Masayuki ; Fukushima, Toru ; Nagarajan, Radhakrishnan ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(4): 396-398. Published 1992 Jul 27. doi: 10.1063/1.107894.

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Unbekannt

Observation of stripe‐direction dependence of threshold current density for AlGaInP laser diodes with CuPt‐type natural superlattice in Ga0.5In0.5P active layer (1992)

Fujii, H. ; Ueno, Y. ; Gomyo, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(7): 737-739. Published 1992 Aug 17. doi: 10.1063/1.107782.

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Unbekannt

On the theory of steady‐state electromigration in thin films (1992)

Bauer, C. L. ; Mullins, W. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(25): 2987-2989. Published 1992 Dec 21. doi: 10.1063/1.108011.

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Unbekannt

Variation of the Schottky barrier height of the differently oriented CoGa on GaAs by molecular beam epitaxy (1992)

Kuo, T. C. ; Wang, K. L. ; Arghavani, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(24): 2869-2871. Published 1992 Dec 14. doi: 10.1063/1.108060.

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YBa2Cu3O7−ymicrobridges on Y2O3/yttria‐stabilized zirconia/SiO2/Si(100) (1992)

Hontsu, S. ; Mukai, N. ; Ishii, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(22): 2709-2711. Published 1992 Nov 30. doi: 10.1063/1.108483.

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Unbekannt

Interband absorption in α‐Sn/Ge short‐period superlattices (1992)

Olajos, Janos ; Wegscheider, Werner ; Abstreiter, Gerhard

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(26): 3130-3132. Published 1992 Dec 28. doi: 10.1063/1.107983.

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Publikationsdatum: 1992-12-28

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Unbekannt

Organic solar cell based on multistep charge separation system (1992)

Hiramoto, Masahiro ; Fukusumi, Hiroyuki ; Yokoyama, Masaaki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(21): 2580-2582. Published 1992 Nov 23. doi: 10.1063/1.108133.

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Unbekannt

Tunable blue light source by intracavity frequency doubling of a Cr‐doped LiSrAlF6laser (1992)

Balembois, François ; Georges, Patrick ; Salin, François ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(20): 2381-2382. Published 1992 Nov 16. doi: 10.1063/1.108196.

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Unbekannt

Heavily Si‐doped GaAs grown by low‐pressure metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine and silane (1992)

Chichibu, S. ; Iwai, A. ; Matsumoto, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(4): 489-491. Published 1992 Jan 27. doi: 10.1063/1.106645.

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Unbekannt

Gallium arsenide: A new material to accomplish passively mode‐locked Nd:YAG laser (1992)

Zhang, Zhuhong ; Qian, Liejia ; Fan, Dianyuan ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(4): 419-421. Published 1992 Jan 27. doi: 10.1063/1.106621.

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Unbekannt

Finite‐element analysis of particle‐particle forces in electrorheological fluids (1992)

Davis, L. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(3): 319-321. Published 1992 Jan 20. doi: 10.1063/1.107441.

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Unbekannt

Surface and interface structures of S‐passivated GaAs(111) studied by soft x‐ray standing waves (1992)

Sugiyama, Munehiro ; Maeyama, Satoshi ; Oshima, Masaharu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(26): 3247-3249. Published 1992 Jun 29. doi: 10.1063/1.106708.

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Control of grain alignment to fabricate long Y‐Ba‐Cu‐O superconductors with high current density (1992)

Selvamanickam, V. ; Partsinevelos, C. ; McGuire, A. V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(26): 3313-3315. Published 1992 Jun 29. doi: 10.1063/1.106677.

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Effect of crystallographic alignment of isolation trenches: A resolved‐shear‐stress perspective (1992)

Hu, S. M. ; Chidambarrao, D.

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In: Applied Physics Letters. 1992; 61(7): 783-785. Published 1992 Aug 17. doi: 10.1063/1.107797.

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Rapid modulation of interband optical properties of quantum wells by intersubband absorption (1992)

Gorfinkel, Vera B. ; Luryi, Serge

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(25): 3141-3143. Published 1992 Jun 22. doi: 10.1063/1.106749.

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Nonlinearity in the excitation yield of ZnS:Mn electroluminescent devices (1992)

Geoffroy, A. ; Bringuier, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(26): 3172-3174. Published 1992 Dec 28. doi: 10.1063/1.107949.

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Long‐pulse electron‐beam generation from the back‐lighted thyratron (1992)

Liou, Rong Lin ; Hsu, Tseng‐Yang ; Gundersen, Martin A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(22): 2647-2649. Published 1992 Nov 30. doi: 10.1063/1.108096.

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Identification of segregation from borophosphosilicate glass films during annealing (1992)

Imai, S. ; Yabuuchi, Y. ; Terai, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(22): 2761-2763. Published 1992 Jun 01. doi: 10.1063/1.106869.

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Reactive ion etching of ZnSe by gas mixture of ethane and hydrogen (1992)

Ohtsuka, K. ; Imaizumi, M. ; Sugimoto, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(24): 3025-3026. Published 1992 Jun 15. doi: 10.1063/1.106797.

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Blue continuously pumped upconversion lasing in Tm:YLiF4 (1992)

Hebert, T. ; Wannemacher, R. ; Macfarlane, R. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(21): 2592-2594. Published 1992 May 25. doi: 10.1063/1.106919.

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Stable amorphous silicon double stacked solar cell using low band gap amorphous silicon bottomilayer (1992)

Jang, Jin ; Kim, Tae Gon ; Kim, Sung Chul ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(23): 2880-2882. Published 1992 Jun 08. doi: 10.1063/1.106806.

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Unbekannt

Incorporation of silicon and aluminum in low temperature molecular beam epitaxial GaAs (1992)

Manasreh, M. O. ; Evans, K. R. ; Stutz, C. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(19): 2377-2379. Published 1992 May 11. doi: 10.1063/1.107031.

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Unbekannt

H−production from a barium converter with different discharge configurations (1990)

van Os, C. F. A. ; Leung, K. N. ; Kunkel, W. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 861-863. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.103389.

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Unbekannt

Direct observation of glide dislocations in a KCl crystal by the light scattering method (1990)

Kataoka, T. ; Ohji, H. ; Kishida, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1317-1319. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102504.

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Unbekannt

Integrated‐optic polarization controller with unlimited transformation range (1990)

Heismann, F. ; Divino, M. D. ; Buhl, L. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 855-857. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.103387.

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Unbekannt

Intense charged‐particle emission in a diffuse vacuum discharge (1990)

Gundel, H. ; Riege, H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1532-1534. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103166.

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Unbekannt

Effect of Lorentz force on thermally activated processes of flux lines in a Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O film (1990)

Takamura, S. ; Hoshiya, T. ; Aruga, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1582-1584. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103135.

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Unbekannt

Strong flux pinning centers in Y‐Ba‐Cu‐O films prepared by chemical vapor deposition (1990)

Watanabe, K. ; Matsushita, T. ; Kobayashi, N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1490-1492. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103211.

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Unbekannt

High‐efficiency DF‐CO2pulsed chemical laser (1990)

Dreiling, T. D. ; McGann, R. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1397-1399. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.102479.

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Unbekannt

Influence of substrate temperature on the orientation of YBa2Cu3O7films (1990)

Shi, W. ; Shi, J. ; Sun, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 822-824. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.104261.

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Unbekannt

Frequency stabilization of a 612 nm He‐Ne laser in a transverse magnetic field (1990)

Eom, Cheon Il ; Eom, Tae Bong ; Chung, Myung Sai

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 739-740. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.104101.

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Unbekannt

Effects of rapid thermal annealing and SiO2encapsulation on GaInAs/AlInAs heterostructures (1990)

O’Brien, S. ; Shealy, J. R. ; Bour, D. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1365-1367. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.103204.

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Unbekannt

Directional etching of Si with perfect selectivity to SiO2using an ultraclean electron cyclotron resonance plasma (1990)

Matsuura, Takashi ; Uetake, Hiroaki ; Ohmi, Tadahiro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1339-1341. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.103203.

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Unbekannt

High electrical resistivity diamond films deposited from an oxyacetylene flame (1990)

Tzeng, Y. ; Tin, C. C. ; Phillips, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 789-791. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103421.

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Unbekannt

Blue Stark shift in modulation strained InGaAs/InP quantum wells (1990)

Gershoni, D. ; Hamm, R. A. ; Panish, M. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1347-1349. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102510.

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Unbekannt

Low‐temperature reordering in partially amorphized Si crystals (1990)

Priolo, Francesco ; Battaglia, Anna ; Nicotra, Ruggero ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 768-770. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103415.

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Unbekannt

Periodic surface structures in the excimer laser ablative etching of polymers (1990)

Dyer, P. E. ; Farley, R. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 765-767. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103414.

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Unbekannt

Persistent magnetic fields trapped in highTcsuperconductor (1990)

Weinstein, R. ; Chen, In‐Gann ; Liu, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1475-1477. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103207.

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Unbekannt

Quantum well superluminescent diode with very wide emission spectrum (1990)

Chen, T. R. ; Eng, L. ; Zhuang, Y. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1345-1346. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102509.

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Unbekannt

Intersubband infrared absorption in GexSi1−x/Si superlattice by photocurrent measurement (1990)

Karunasiri, R. P. G. ; Park, J. S. ; Wang, K. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1342-1344. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102508.

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Unbekannt

Surface‐enhanced Raman spectroscopy of chemical vapor deposited diamond films (1990)

Knight, Diane S. ; Weimer, Ronald ; Pilione, Lawrence ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1320-1322. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102505.

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Time‐resolved luminescence of GaAs/AlGaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy on misoriented substrates (1990)

Colocci, M. ; Gurioli, M. ; Vinattieri, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 783-785. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103419.

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Can barriers with inverted tunneling rates lead to subband population inversion? (1990)

Helm, M. ; Allen, S. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1368-1370. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102516.

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Unbekannt

Dynamic optoelectronic read/write memory (1990)

Nottenburg, R. N. ; Levi, A. F. J. ; Tanbun‐Ek, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1501-1503. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103159.

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Behavior of high dose O+‐implanted Si/Ge/Si structures (1990)

Zhang, J. P. ; Tang, Y. S. ; Robinson, A. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 890-892. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.103395.

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