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1

Unbekannt

Applied Regression Analysis (1981)

N. R. Draper ; H. Smith

Wiley

In: New York, 2nd Edition, 709 pp., Wiley, vol. 75, no. 2, pp. 2-203, (ISBN: 3-7643-7143-9)

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Publikationsdatum: 1981

Schlagwort(e): Correlation ; Data analysis / ~ processing ; fit ; Textbook of mathematics

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BIBLIOGRAFIE SEISMOLOGIE

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Seismic Waves and Sources (1981)

A. Ben-Menahem ; S. J. Singh

Springer

In: New York, 1108 pp., Springer, vol. 96, pp. 225, (ISBN 0-471-95596-5)

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Publikationsdatum: 1981

Schlagwort(e): FROTH ; RUB ; GMG ; 3.15.80 ; Textbook of geophysics ; Seismology ; Waves ; Wavelet processing ; SModelling ; Dislocation ; Elasticity theory of dislocations ; Source

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BIBLIOGRAFIE SEISMOLOGIE

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Photoluminescence from ultrathin ZnSe/CdSe quantum wells (1993)

Zajicek, H. ; Juza, P. ; Abramof, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(7): 717-719. Published 1993 Feb 15. doi: 10.1063/1.109615.

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Publikationsdatum: 1993-02-15

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Thema: Physik

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Unbekannt

Self‐enhanced diffraction from fixed photorefractive gratings during coherent reconstruction (1993)

Segev, Mordechai ; Kewitsch, Anthony ; Yariv, Amnon ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(9): 907-909. Published 1993 Mar 01. doi: 10.1063/1.108515.

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Publikationsdatum: 1993-03-01

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Thema: Physik

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Unbekannt

Electrical characteristics of directly‐bonded GaAs and InP (1993)

Wada, Hiroshi ; Ogawa, Yoh ; Kamijoh, Takeshi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(7): 738-740. Published 1993 Feb 15. doi: 10.1063/1.108855.

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Publikationsdatum: 1993-02-15

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Unbekannt

Continuous electronic tuning of a narrow‐band Nd3+‐fiber laser (1993)

Sabert, Hendrik

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(5): 452-454. Published 1993 Feb 01. doi: 10.1063/1.108930.

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Publikationsdatum: 1993-02-01

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Hot‐electron electroluminescence in AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (1993)

Zanoni, Enrico ; Vendrame, Loris ; Pavan, Paolo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(4): 402-404. Published 1993 Jan 25. doi: 10.1063/1.108943.

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Publikationsdatum: 1993-01-25

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Homoepitaxial growth of InP on (111)B substrates by gas‐source molecular beam epitaxy (1993)

Hou, H. Q. ; Tu, C. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(3): 281-283. Published 1993 Jan 18. doi: 10.1063/1.108990.

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Electron‐temperature control by movable pins installed in a hollow cathode for discharge plasmas (1993)

Sato, N. ; Iizuka, S. ; Koizumi, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(6): 567-569. Published 1993 Feb 08. doi: 10.1063/1.108913.

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Electrical characteristics of plasma loaded, radio frequency driven, capacitively coupled electrodes (1993)

Forster, John

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(26): 3429-3431. Published 1993 Jun 28. doi: 10.1063/1.109038.

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Unbekannt

Highly thermally stable electrical compensation in oxygen implantedp‐InAlAs (1993)

Krauz, Ph. ; Rao, E. V. K. ; Thibierge, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(8): 867-869. Published 1993 Feb 22. doi: 10.1063/1.108549.

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Publikationsdatum: 1993-02-22

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Cross-sectional transmission electron microscopy parallel to the active stripe of degraded buried heterostructure distributed feedback laser devices (1993)

Chu, S. N. G. ; Nakahara, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(8): 817-819. Published 1993 Feb 22. doi: 10.1063/1.108588.

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Publikationsdatum: 1993-02-22

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Unbekannt

Stress releasing mechanisms in In0.2Ga0.8As layers grown on misoriented GaAs [001] substrate (1993)

Werner, P. ; Zakharov, N. D. ; Chen, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(22): 2798-2800. Published 1993 May 31. doi: 10.1063/1.109213.

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Publikationsdatum: 1993-05-31

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Very low temperature ( (1993)

Murty, M. V. Ramana ; Atwater, Harry A. ; Kellock, A. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(20): 2566-2568. Published 1993 May 17. doi: 10.1063/1.109298.

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Carrier‐modulated, microwave‐detected Shubnikov–de Haas oscillations in two‐dimensional systems (1993)

Linke, H. ; Kowalski, B. ; Ramvall, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(21): 2725-2727. Published 1993 May 24. doi: 10.1063/1.109245.

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Publikationsdatum: 1993-05-24

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Strain effects in the intersubband transitions of narrow InGaAs quantum wells (1993)

Peng, L. H. ; Smet, J. H. ; Broekaert, T. P. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(19): 2413-2415. Published 1993 May 10. doi: 10.1063/1.109382.

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Publikationsdatum: 1993-05-10

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Determination of barrier traversal time by modulation of the incident wave (1993)

Hagmann, M. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(2): 199-201. Published 1993 Jan 11. doi: 10.1063/1.109314.

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Publikationsdatum: 1993-01-11

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Unbekannt

Multiple self‐consistent solutions at zero bias and multiple conduction curves in quantum tunneling diodes incorporatingN−‐N+‐N−spacer layers (1993)

Gullapalli, K. K. ; Tsao, A. J. ; Neikirk, D. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(23): 2971-2973. Published 1993 Jun 07. doi: 10.1063/1.109160.

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Publikationsdatum: 1993-06-07

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Unbekannt

Admittance spectroscopy of boron doped diamond (1993)

Glesener, J. W. ; Snail, K. A. ; Morrish, A. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(2): 181-183. Published 1993 Jan 11. doi: 10.1063/1.109332.

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Publikationsdatum: 1993-01-11

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Unbekannt

Independent determination of composition and relaxation of partly pseudomorphically grown Si‐Ge layers on silicon by a combination of standard x‐ray diffraction and transmission electron microscopy measurements (1993)

Bugiel, E. ; Zaumseil, P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(17): 2051-2053. Published 1993 Apr 26. doi: 10.1063/1.109476.

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Publikationsdatum: 1993-04-26

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Unbekannt

Modulation of a semicondutor‐to‐semimetal transition at 7 THz via coherent lattice vibrations (1993)

Cheng, T. K. ; Acioli, L. H. ; Vidal, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(16): 1901-1903. Published 1993 Apr 19. doi: 10.1063/1.109537.

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Publikationsdatum: 1993-04-19

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Unbekannt

Erbium laser ablation: The effect of dynamic optical properties (1993)

Cummings, Joseph P. ; Walsh, Joseph T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(16): 1988-1990. Published 1993 Apr 19. doi: 10.1063/1.109512.

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Publikationsdatum: 1993-04-19

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Unbekannt

Electron holography in the study of the leakage field of magnetic force microscope sensor tips (1993)

Matteucci, G. ; Muccini, M. ; Hartmann, U.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(15): 1839-1841. Published 1993 Apr 12. doi: 10.1063/1.109566.

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Publikationsdatum: 1993-04-12

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24

Unbekannt

Controlled passivation of GaAs by Se treatment (1993)

Scimeca, T. ; Watanabe, Y. ; Maeda, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(14): 1667-1669. Published 1993 Apr 05. doi: 10.1063/1.109607.

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Publikationsdatum: 1993-04-05

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Unbekannt

CuInSe2homojunction diode fabricated by phosphorus doping (1993)

Kohiki, Shigemi ; Nishitani, Mikihiko ; Negami, Takayuki ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(14): 1656-1657. Published 1993 Apr 05. doi: 10.1063/1.108617.

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Publikationsdatum: 1993-04-05

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Unbekannt

Surface‐emitting second‐harmonic generator by intersubband transition in asymmetric quantum wells with slab waveguide (1993)

Chen, Zhenghao ; Li, Meihua ; Cui, Dafu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(13): 1502-1503. Published 1993 Mar 29. doi: 10.1063/1.108671.

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Publikationsdatum: 1993-03-29

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Unbekannt

X‐ray photoelectron spectroscopy study of GaAs surface exposed to a rf hydrogen plasma (1993)

Debiemme‐Chouvy, C. ; Ballutaud, D. ; Pesant, J. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(18): 2254-2255. Published 1993 May 03. doi: 10.1063/1.109432.

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Publikationsdatum: 1993-05-03

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Unbekannt

Second‐order nonlinear optical susceptibility inp‐doped asymmetric quantum wells (1993)

Li, Shaozhong ; Khurgin, J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(15): 1727-1729. Published 1993 Apr 12. doi: 10.1063/1.109587.

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Unbekannt

Microstructure ofc‐axis oriented lead titanate thin films by pulsed laser ablation (1993)

Ghonge, Subodh G. ; Goo, Edward ; Ramesh, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(15): 1742-1744. Published 1993 Apr 12. doi: 10.1063/1.109592.

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Unbekannt

Excitonic transitions in InGaP/InAlGaP strained quantum wells (1993)

Schneider, R. P. ; Bryan, R. P. ; Jones, E. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(9): 1240-1242. Published 1993 Aug 30. doi: 10.1063/1.110772.

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Unbekannt

Spiral growth of C60 (1993)

Fujita, J. ; Kuroshima, S. ; Satoh, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(7): 1008-1010. Published 1993 Aug 16. doi: 10.1063/1.109879.

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Publikationsdatum: 1993-08-16

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Unbekannt

Single‐frequency GaInAsSb/AlGaAsSb quantum‐well ridge‐waveguide lasers emitting at 2.1 μm (1993)

Choi, H. K. ; Eglash, S. J. ; Connors, M. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(24): 3271-3272. Published 1993 Dec 13. doi: 10.1063/1.110171.

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Publikationsdatum: 1993-12-13

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Unbekannt

Continuous‐wave, fourfold upconversion laser (1993)

Xie, P. ; Rand, S. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(23): 3125-3127. Published 1993 Dec 06. doi: 10.1063/1.110224.

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Publikationsdatum: 1993-12-06

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Unbekannt

Josephson tunnel junction microwave attenuator (1993)

Koshelets, V. P. ; Shitov, S. V. ; Shchukin, A. V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(23): 3218-3220. Published 1993 Dec 06. doi: 10.1063/1.110203.

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Publikationsdatum: 1993-12-06

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Unbekannt

Epitaxial growth of Si by ArF laser‐excited supersonic free jets of Si2H6 (1993)

Motooka, T. ; Abe, H. ; Fons, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(25): 3473-3475. Published 1993 Dec 20. doi: 10.1063/1.110124.

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AlGaInP visible vertical cavity surface emitting lasers operating with gain contributions from then=2 quantum well transition (1993)

Lott, J. A. ; Schneider, R. P. ; Zolper, J. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(25): 3485-3487. Published 1993 Dec 20. doi: 10.1063/1.110128.

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Comment on ‘‘35% efficient nonconcentrating novel silicon solar cell’’ (1993)

Demesmaeker, E. ; Ghannam, M. ; Nijs, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(6): 849-849. Published 1993 Aug 09. doi: 10.1063/1.109874.

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Processing dependence of the interfacial microstructure of Ag contacts to YBa2Cu3O7−δthin films (1993)

Gong, Z. H. ; Vassenden, F. ; Fagerberg, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(6): 836-838. Published 1993 Aug 09. doi: 10.1063/1.109870.

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Positron trap sites in the native oxide film grown on a hydrogen‐terminated silicon surface (1993)

Fujinami, M. ; Chilton, N. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(25): 3458-3460. Published 1993 Dec 20. doi: 10.1063/1.110119.

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Very high two‐dimensional electron gas concentrations with enhanced mobilities in selectively double‐δ‐doped GaAs/InGaAs pseudomorphic single quantum well heterostructures (1993)

Shieh, H. M. ; Hsu, W. C. ; Wu, C. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(4): 509-511. Published 1993 Jul 26. doi: 10.1063/1.109988.

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Emission spectroscopy during direct‐current‐biased, microwave‐plasma chemical vapor deposition of diamond (1993)

Shigesato, Yuzo ; Boekenhauer, Rachel E. ; Sheldon, Brian W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(3): 314-316. Published 1993 Jul 19. doi: 10.1063/1.110055.

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Unbekannt

Investigation of field, carrier, and coherent phonon dynamics in low‐temperature grown GaAs (1993)

Dekorsy, T. ; Kurz, H. ; Zhou, X. Q. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(21): 2899-2901. Published 1993 Nov 22. doi: 10.1063/1.110291.

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Oxygen isotopic exchange between an18O+implanted Si layer and a natural SiO2capping layer during high‐temperature annealing (1993)

Li, Yupu ; Kilner, J. A. ; Chater, R. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(20): 2812-2814. Published 1993 Nov 15. doi: 10.1063/1.110295.

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Unbekannt

Visible photoluminescence of porous Si1−xGexobtained by stain etching (1993)

Ksendzov, A. ; Fathauer, R. W. ; George, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(2): 200-202. Published 1993 Jul 12. doi: 10.1063/1.110368.

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Unbekannt

Two‐dimensional electron and hole states at the staggered band line‐up interface of InAlAs/InP (1993)

Böhrer, J. ; Krost, A. ; Bimberg, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(21): 2955-2957. Published 1993 Nov 22. doi: 10.1063/1.110284.

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Unbekannt

Critical current density and microstructure of screen‐printed (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Oxthick film sandwiched between Ag substrates (1993)

Oota, A. ; Matsui, H. ; Funakura, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(2): 243-245. Published 1993 Jul 12. doi: 10.1063/1.110354.

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Unbekannt

Study of photoresponse of high‐TcY‐Ba‐Cu‐O superconducting ultrathin films using a picosecond laser pulse train (1993)

Shi, L. ; Huang, G. L. ; Lehane, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(20): 2830-2832. Published 1993 Nov 15. doi: 10.1063/1.110301.

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Unbekannt

Reactive ion etching of gallium nitride in silicon tetrachloride plasmasa) (1993)

Adesida, I. ; Mahajan, A. ; Andideh, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(20): 2777-2779. Published 1993 Nov 15. doi: 10.1063/1.110331.

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Unbekannt

Experimental studies of ionization processes in the breakdown phase of a transient hollow cathode discharge (1993)

Choi, P. ; Aliaga, R. ; Blottiere, B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(20): 2750-2752. Published 1993 Nov 15. doi: 10.1063/1.110323.

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Unbekannt

Observation of optically detected magnetic resonance in GaN films (1993)

Glaser, E. R. ; Kennedy, T. A. ; Crookham, H. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(19): 2673-2675. Published 1993 Nov 08. doi: 10.1063/1.110416.

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Unbekannt

Pure linear polarization imaging in near field scanning optical microscopy (1993)

Vaez‐Iravani, M. ; Toledo‐Crow, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(2): 138-140. Published 1993 Jul 12. doi: 10.1063/1.110378.

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Unbekannt

Random telegraphic noise in double barrier systems (1993)

Salvino, R. E. ; Buot, F. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(19): 2652-2654. Published 1993 Nov 08. doi: 10.1063/1.110410.

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Unbekannt

Simple method for direct synthesis of YBa2Cu4O8at atmospheric oxygen pressure (1993)

Khan, Nawazish A. ; Baber, N. ; Zafar Iqbal, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(2): 257-259. Published 1993 Jul 12. doi: 10.1063/1.110359.

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Unbekannt

Phase locking of linear arrays of CO2waveguide lasers by the waveguide‐confined Talbot effect (1993)

Hornby, A. M. ; Baker, H. J. ; Colley, A. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(19): 2591-2593. Published 1993 Nov 08. doi: 10.1063/1.110440.

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Unbekannt

Time‐resolved scanning tunneling microscopy through tunnel distance modulation (1993)

Freeman, M. R. ; Nunes, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(19): 2633-2635. Published 1993 Nov 08. doi: 10.1063/1.110404.

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Unbekannt

Molecular beam epitaxial growth and optical characterization of GaAs/AlxGa1−xAs quantum wells on nominally oriented (111)B GaAs substrates (1993)

García, B. J. ; Fontaine, C. ; Muñoz‐Yagüe, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(19): 2691-2693. Published 1993 Nov 08. doi: 10.1063/1.110422.

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Unbekannt

Raman study of Al0.54In0.46P/GaAs interfaces grown by solid source molecular beam epitaxy (1993)

Johnson, F. G. ; Wicks, G. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(17): 2402-2404. Published 1993 Oct 25. doi: 10.1063/1.110488.

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Unbekannt

Ozone‐induced rapid low temperature oxidation of silicon (1993)

Kazor, A. ; Boyd, Ian W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(18): 2517-2519. Published 1993 Nov 01. doi: 10.1063/1.110467.

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Unbekannt

Refractive indices of ZnMgSSe alloys lattice matched to GaAs (1993)

Ukita, M. ; Okuyama, H. ; Ozawa, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(15): 2082-2084. Published 1993 Oct 11. doi: 10.1063/1.110599.

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Unbekannt

Study of interface resistances in epitaxial YBa2Cu3O7−x/barrier/YBa2Cu3O7−xjunctions (1993)

Char, K. ; Antognazza, L. ; Geballe, T. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(17): 2420-2422. Published 1993 Oct 25. doi: 10.1063/1.110494.

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Unbekannt

Magnetotunneling spectroscopy in wide In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As double quantum wells (1993)

Smet, Jurgen H. ; Fonstad, Clifton G. ; Hu, Qing

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(16): 2225-2227. Published 1993 Oct 18. doi: 10.1063/1.110534.

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Unbekannt

Effects of grown‐in stress on the metastable solid solubility limits in Sb implanted Ge0.1Si0.9alloys (1993)

Hong, Stella Q. ; Hong, Q. Z. ; Mayer, J. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(15): 2053-2055. Published 1993 Oct 11. doi: 10.1063/1.110589.

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Unbekannt

Can electrical deactivation of highly Si‐doped GaAs be explained by autocompensation? (1993)

Schuppler, S. ; Adler, D. L. ; Pfeiffer, L. N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(17): 2357-2359. Published 1993 Oct 25. doi: 10.1063/1.110500.

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Unbekannt

Strain and charge distribution in GaN‐AlN‐GaN semiconductor‐insulator‐semiconductor structure for arbitrary growth orientation (1993)

Bykhovski, Alexei ; Gelmont, Boris ; Shur, Michael

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(16): 2243-2245. Published 1993 Oct 18. doi: 10.1063/1.110540.

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Unbekannt

Photoluminescence of hydrogenated GaAs/AlGaAs quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy (1993)

Botha, J. R. ; Leitch, A. W. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(18): 2534-2536. Published 1993 Nov 01. doi: 10.1063/1.110450.

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Unbekannt

Role of excitation frequency in a low‐pressure, inductively coupled radio‐frequency, magnetized plasma (1993)

Cui, Chunshi ; Boswell, R. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(17): 2330-2332. Published 1993 Oct 25. doi: 10.1063/1.110516.

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Analytical results of the switch on statistics in distributed feedback laser diodes by short triangular pulses (1993)

Balle, Salvador ; Mirasso, Claudio R. ; Sapia, Adalberto ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(13): 1721-1723. Published 1993 Sep 27. doi: 10.1063/1.110694.

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Suppression of threading dislocation generation in highly lattice mismatched heteroepitaxies by strained short‐period superlattices (1993)

Kawai, T. ; Yonezu, H. ; Ogasawara, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(15): 2067-2069. Published 1993 Oct 11. doi: 10.1063/1.110594.

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Planar field‐induced quantum dot transistor (1993)

Wang, Y. ; Chou, S. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(16): 2257-2259. Published 1993 Oct 18. doi: 10.1063/1.110545.

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Potential structure in silane radio‐frequency discharge containing particles (1993)

Okuno, Yoshihiro ; Fujita, Hiroharu ; Shiratani, Masaharu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(13): 1748-1750. Published 1993 Sep 27. doi: 10.1063/1.110702.

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Calculation of InAs/AlSb(001) band offsets: Effect of strain and interfacial atomic structure (1993)

Dandrea, R. G. ; Duke, C. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(13): 1795-1797. Published 1993 Sep 27. doi: 10.1063/1.110665.

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On resolving hot carrier induced degradation mechanisms in silicon‐on‐sapphire metal‐oxide‐semiconductor field‐effect transistors (1993)

Chao, E. Y. ; Li, G. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(14): 1912-1914. Published 1993 Oct 04. doi: 10.1063/1.110646.

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Native oxide top‐ and bottom‐confined narrow stripep‐nAlyGa1−yAs‐GaAs‐InxGa1−xAs quantum well heterostructure laser (1993)

Maranowski, S. A. ; Sugg, A. R. ; Chen, E. I. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(12): 1660-1662. Published 1993 Sep 20. doi: 10.1063/1.110728.

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Novel method for rejuvenating and fabricating stable Se/GaAs surfaces (1993)

Scimeca, T. ; Prabhakaran, K. ; Watanabe, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(13): 1807-1808. Published 1993 Sep 27. doi: 10.1063/1.110669.

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Monolithic optoelectronic transistor: A new smart‐pixel device (1993)

Aull, B. F. ; Nichols, K. B. ; Maki, P. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(11): 1555-1557. Published 1993 Sep 13. doi: 10.1063/1.110747.

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Electronic and atomic structure of metastable phases of boron nitride using core‐level photoabsorption (1993)

Chaiken, A. ; Terminello, L. J. ; Wong, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(15): 2112-2114. Published 1993 Oct 11. doi: 10.1063/1.110556.

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Growth and ferroelectric properties of Bi2VO5.5thin films with metallic LaNiO3electrodes (1993)

Prasad, K. V. R. ; Varma, K. B. R. ; Raju, A. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(14): 1898-1900. Published 1993 Oct 04. doi: 10.1063/1.110641.

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Unbekannt

Electroabsorption of InAsP/InP strained multiple quantum wells for 1.3 μm waveguide modulators (1993)

Hou, H. Q. ; Cheng, A. N. ; Wieder, H. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(13): 1833-1835. Published 1993 Sep 27. doi: 10.1063/1.110806.

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High temperature (77 °C) operation of 634 nm InGaAlP multiquantum‐well laser diodes with tensile‐strained quantum wells (1993)

Watanabe, Minoru ; Rennie, John ; Okajima, Masaki ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(11): 1486-1488. Published 1993 Sep 13. doi: 10.1063/1.109664.

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Unbekannt

Ultrahigh mobility two‐dimensional electron gas in AlxGa1−xAs/GaAs heterostructures by organometallic vapor phase epitaxy (1993)

Basco, Ricardo ; Agahi, Farid ; Lau, Kei May

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(14): 1960-1962. Published 1993 Oct 04. doi: 10.1063/1.110614.

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Unbekannt

Positron annihilation and internal surfaces (1993)

Huang, W. F. ; Huang, D. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(10): 1334-1335. Published 1993 Sep 06. doi: 10.1063/1.109722.

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Unbekannt

High power microwaves at 9 GHz from an extended length cavity in a coaxial beam geometry (1993)

Davis, T. J. ; Schächter, L. ; Nation, J. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(13): 1854-1856. Published 1993 Sep 27. doi: 10.1063/1.110655.

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Unbekannt

Interfacial alloy formation in ZnSe/CdSe quantum‐well heterostructures characterized by photoluminescence spectroscopy (1993)

Zhu, Ziqiang ; Yoshihara, Hiroteru ; Takebayashi, Kazuhisa ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(12): 1678-1680. Published 1993 Sep 20. doi: 10.1063/1.110708.

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Unbekannt

Interface study of Nb/ZrOx‐Zr/Nb Josephson junctions (1993)

Morohashi, Shin’ichi ; Kataoka, Yuji ; Yagishita, Teruo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(11): 1570-1572. Published 1993 Sep 13. doi: 10.1063/1.110752.

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Unbekannt

Numerical analysis on temperature dependence of XeCl‐lasing characteristics (1993)

Imada, Go ; Masugata, Katsumi ; Yatsui, Kiyoshi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(10): 1313-1315. Published 1993 Sep 06. doi: 10.1063/1.109715.

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Unbekannt

Determining band offsets with triple quantum‐well structures (1993)

Bryant, Garnett W. ; Bradshaw, J. L. ; Leavitt, R. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(10): 1357-1359. Published 1993 Sep 06. doi: 10.1063/1.109676.

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Unbekannt

Laser‐driven synthesis of nanocrystalline alumina powders from gas‐phase precursors (1993)

Borsella, E. ; Botti, S. ; Giorgi, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(10): 1345-1347. Published 1993 Sep 06. doi: 10.1063/1.109672.

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88

Unbekannt

Enhanced superconducting properties in ultrathin YBa2Cu3O7−δlayers (1993)

Norton, David P. ; Lowndes, Douglas H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(10): 1432-1434. Published 1993 Sep 06. doi: 10.1063/1.109648.

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Unbekannt

Improvement of the growth of InxGa1−xAs on GaAs (001) using Te as surfactant (1993)

Grandjean, N. ; Massies, J. ; Delamarre, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(1): 66-68. Published 1993 Jul 05. doi: 10.1063/1.110770.

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Unbekannt

Strong photoluminescence from AlP/GaP disordered superlattice grown by atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy using tertiarybutylphosphine (1993)

Wang, Xue‐Lun ; Wakahara, Akihiro ; Sasaki, Akio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(8): 888-890. Published 1993 Feb 22. doi: 10.1063/1.108556.

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Unbekannt

Calcium fluoride thin films on GaAs(100) for possible metal‐insulator‐semiconductor applicationsa) (1993)

Chaudhari, G. N. ; Rao, V. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(8): 852-854. Published 1993 Feb 22. doi: 10.1063/1.108545.

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Unbekannt

Effects of drift and diffusion current flow on the high‐speed performance of quantum well lasers (1993)

Taylor, G. W. ; Claisse, P. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(7): 723-725. Published 1993 Feb 15. doi: 10.1063/1.108850.

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Unbekannt

Magnetic field dependence of the critical current in YBa2Cu3O7−δbicrystal grain boundary junctions (1993)

Mayer, B. ; Schuster, S. ; Beck, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(7): 783-785. Published 1993 Feb 15. doi: 10.1063/1.108578.

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Unbekannt

Silver‐gold compound metal island films prepared by using a two‐step evaporation method (1993)

Baba, Kazutaka ; Okuno, Toshiaki ; Miyagi, Mitsunobu

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(5): 437-439. Published 1993 Feb 01. doi: 10.1063/1.108926.

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Unbekannt

Photoconduction in germanium and phosphorus doped silica waveguides (1993)

Kashyap, Raman ; Maxwell, Graeme D. ; Williams, Doug L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(3): 214-216. Published 1993 Jan 18. doi: 10.1063/1.109019.

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Unbekannt

Morphology of flattened diamond crystals synthesized by the oxy‐acetylene flame method (1993)

Hirabayashi, Keiji ; Kimura, Takeshi ; Hirose, Yoichi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(4): 354-356. Published 1993 Jan 25. doi: 10.1063/1.108955.

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Unbekannt

On the characteristics of narrow‐band resonant modulation of semiconductor lasers beyond relaxation oscillation frequency (1993)

Lau, K. Y. ; Georges, J. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(11): 1459-1461. Published 1993 Sep 13. doi: 10.1063/1.109655.

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Unbekannt

Low‐frequency noise behavior of γ‐irradiated partially depleted silicon‐on‐insulatorn‐channel metal‐oxide‐semiconductor transistors (1993)

Simoen, E. ; Claeys, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(12): 1672-1674. Published 1993 Sep 20. doi: 10.1063/1.110733.

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Unbekannt

Effect of noise and capacitance on the dynamical characteristics of high‐TcJosephson junctions (1993)

Busse, F. ; Nebel, R. ; Herzog, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 63(12): 1687-1689. Published 1993 Sep 20. doi: 10.1063/1.110685.

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Excimer pumped deuterated L‐arginine phosphate optical parametric oscillator (1993)

Robertson, Gordon ; Dunn, Malcolm H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1993; 62(26): 3405-3407. Published 1993 Jun 28. doi: 10.1063/1.109031.

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