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A plasma microlens for ultrashort high power lasers (2009)

Katzir, Yiftach ; Eisenmann, Shmuel ; Ferber, Yair ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 95(3): 031101. Published 2009 Jul 20. doi: 10.1063/1.3184788.

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Critical slowing down of relaxation dynamics near the Curie temperature in the relaxor Pb(Sc0.5Nb0.5)O3 (2009)

Ahart, Muhtar ; Hushur, Anwar ; Bing, Yonghong ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 94(14): 142906. Published 2009 Apr 06. doi: 10.1063/1.3115765.

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Carrier compensation by deep levels in Zn1−xMgxO/sapphire (2009)

Hierro, A. ; Tabares, G. ; Ulloa, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 94(23): 232101. Published 2009 Jun 08. doi: 10.1063/1.3149699.

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Epitaxial solid‐solution films of immiscible MgO and CaO (1994)

Hellman, E. S. ; Hartford, E. H.

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In: Applied Physics Letters. 1994; 64(11): 1341-1343. Published 1994 Mar 14. doi: 10.1063/1.111928.

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Exciton radiative lifetime in GaAs quantum wires grown by metalorganic chemical‐vapor selective growth (1994)

Kono, T. ; Tsukamoto, S. ; Nagamune, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(12): 1564-1566. Published 1994 Mar 21. doi: 10.1063/1.111866.

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Pulsed excimer laser ablation of (Pb,La)TiO3thin films for dynamic random access memory devices (1994)

Rao, G. Mohan ; Krupanidhi, S. B.

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In: Applied Physics Letters. 1994; 64(12): 1591-1593. Published 1994 Mar 21. doi: 10.1063/1.111849.

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Surface plasmon resonance microscopy: Reconstructing a three‐dimensional image (1994)

Morgan, Hywel ; Taylor, D. Martin

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In: Applied Physics Letters. 1994; 64(11): 1330-1331. Published 1994 Mar 14. doi: 10.1063/1.111924.

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Femtosecond reflectivity measurements and second harmonic generation in nonresonant excitation of photoconductive switches (1994)

Keil, U. D. ; Dykaar, D. R. ; Kopf, R. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(14): 1812-1814. Published 1994 Apr 04. doi: 10.1063/1.111764.

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Microstructure and epitaxy ofc‐axis oriented single crystal cobalt films grown on rigid underlayers (1994)

Krishnan, Kannan M. ; Honda, Y. ; Hirayama, Y. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1994; 64(12): 1499-1501. Published 1994 Mar 21. doi: 10.1063/1.111871.

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Eddy current microscopy using a 77‐K superconducting sensor (1994)

Black, R. C. ; Wellstood, F. C. ; Dantsker, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(1): 100-102. Published 1994 Jan 03. doi: 10.1063/1.110906.

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Photoamperic probes in scanning tunneling microscopy (1994)

Prins, M. W. J. ; van der Wielen, M. C. M. M. ; Jansen, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(10): 1207-1209. Published 1994 Mar 07. doi: 10.1063/1.110891.

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On the improvement of broadband stimulated Brillouin scattering reflectors (1994)

Perrone, M. R. ; Yao, Y. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(1): 19-21. Published 1994 Jan 03. doi: 10.1063/1.110902.

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Double‐crystal x‐ray diffraction from periodically corrugated crystalline semiconductor surfaces (1994)

De Caro, Liberato ; Sciacovelli, Pasquale ; Tapfer, Leander

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(1): 34-36. Published 1994 Jan 03. doi: 10.1063/1.110912.

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Transparent chemical vapor deposited β‐SiC (1994)

Goela, J. S. ; Burns, L. E. ; Taylor, R. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(2): 131-133. Published 1994 Jan 10. doi: 10.1063/1.111541.

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Carrier temperature and spectral holeburning dynamics in InGaAsP quantum well laser amplifiers (1994)

Willatzen, M. ; Mark, J. ; Mo/rk, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(2): 143-145. Published 1994 Jan 10. doi: 10.1063/1.111545.

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Study of reactive‐ion‐etched silicon by a novel ultrashallow depth profiling technique (1994)

Chang, W. H. ; Huang, L. J. ; Lau, W. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(16): 2154-2156. Published 1994 Apr 18. doi: 10.1063/1.111661.

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HighTcsuperconductor‐normal‐superconductor step‐edge junction dc SQUIDs with CaRuO3as the normal metal (1994)

Lee, Soon‐Gul ; Park, Keunseop ; Park, Yong Ki ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(15): 2028-2030. Published 1994 Apr 11. doi: 10.1063/1.111728.

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Observation of mode selection in a radially anisotropic cylindrical waveguide with liquid‐crystal cladding (1994)

Chen, Shu‐Hsia ; Chen, Tien‐Jung

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(15): 1893-1895. Published 1994 Apr 11. doi: 10.1063/1.111760.

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Unbekannt

CeO2: An alternative insulator material for superconducting field effect devices (1994)

Walkenhorst, A. ; Schmitt, M. ; Adrian, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(14): 1871-1873. Published 1994 Apr 04. doi: 10.1063/1.111783.

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BeTe/ZnSe graded band gap ohmic contacts top‐ZnSe (1994)

Mensz, P. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(16): 2148-2150. Published 1994 Apr 18. doi: 10.1063/1.111684.

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Unbekannt

Single‐walled carbon nanotubes produced at high yield by mixed catalysts (1994)

Seraphin, Supapan ; Zhou, Dan

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(16): 2087-2089. Published 1994 Apr 18. doi: 10.1063/1.111691.

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Nitrogen‐doped ZnSe grown on 4°‐misoriented GaAs(100) and GaAs(211) by molecular beam epitaxy (1994)

Zhu, Ziqiang ; Ebisutani, Takashi ; Takebayashi, Kazuhisa ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(14): 1833-1835. Published 1994 Apr 04. doi: 10.1063/1.111770.

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Fabrication of three‐terminal resonant tunneling devices in silicon‐based material (1994)

Zaslavsky, A. ; Milkove, K. R. ; Lee, Y. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(13): 1699-1701. Published 1994 Mar 28. doi: 10.1063/1.111838.

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Vibrational mode for nitrogen in zinc selenide (1994)

Stein, H. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(12): 1520-1522. Published 1994 Mar 21. doi: 10.1063/1.111878.

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Thermal quenching properties of Er‐doped GaP (1994)

Wang, X. Z. ; Wessels, B. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(12): 1537-1539. Published 1994 Mar 21. doi: 10.1063/1.111884.

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Photothermoelastic transfer matrix (1994)

Bozóki, Zoltán ; Miklós, András ; Bicanic, Dane

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(11): 1362-1364. Published 1994 Mar 14. doi: 10.1063/1.111935.

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Scanned electrostatic force microscope for noninvasive high frequency potential measurement (1994)

Said, Ra’a A. ; Bridges, Greg E. ; Thomson, Doug J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(11): 1442-1444. Published 1994 Mar 14. doi: 10.1063/1.111910.

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Thermal velocity limits to diffusive electron transport in thin‐basenp+nGaAs bipolar transistors (1994)

Harmon, E. S. ; Melloch, M. R. ; Lundstrom, M. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(2): 205-207. Published 1994 Jan 10. doi: 10.1063/1.111505.

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Temporal response of a lithium nitrate electrohydrodynamic ion source (1994)

Blount, Mark ; Panitz, J. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(16): 2175-2177. Published 1994 Apr 18. doi: 10.1063/1.111667.

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In situtime‐resolved monitoring of PH3induced exchange reactions on GaAs under metalorganic vapor phase epitaxy conditions (1994)

Jönsson, J. ; Reinhardt, F. ; Zorn, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(15): 1998-2000. Published 1994 Apr 11. doi: 10.1063/1.111718.

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Electronic mobility gap structure and deep defects in amorphous silicon‐germanium alloys (1994)

Unold, Thomas ; Cohen, J. David ; Fortmann, Charles M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(13): 1714-1716. Published 1994 Mar 28. doi: 10.1063/1.111814.

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GaAs/AlGaAs microdisk lasers (1994)

Mohideen, U. ; Hobson, W. S. ; Pearton, S. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(15): 1911-1913. Published 1994 Apr 11. doi: 10.1063/1.111740.

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Energy dissipation during nanoscale indentation of polymers with an atomic force microscope (1994)

Boschung, E. ; Heuberger, M. ; Dietler, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(14): 1794-1796. Published 1994 Apr 04. doi: 10.1063/1.112003.

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Photoluminescence properties of Si1−xGexSi disordered superlattices (1994)

Wakahara, Akihiro ; Hasegawa, Toshimichi ; Kuramoto, Kyosuke ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(14): 1850-1852. Published 1994 Apr 04. doi: 10.1063/1.111776.

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Growth of SiC using hexamethyldisilane in a hydrogen‐poor ambient (1994)

Nordell, N. ; Nishino, S. ; Yang, J.‐W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(13): 1647-1649. Published 1994 Mar 28. doi: 10.1063/1.111819.

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Simple Diophantine test for the validity of conventional deep level transient spectroscopy (1994)

Batovski, Dobri ; Hardalov, Chavdar

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(13): 1668-1669. Published 1994 Mar 28. doi: 10.1063/1.111825.

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Improvements in strain‐balanced InGaAs/GaAs optical modulators for 1047‐nm operation (1994)

Goodwill, D. J. ; Walker, A. C. ; Stanley, C. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(10): 1192-1194. Published 1994 Mar 07. doi: 10.1063/1.110886.

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Atomic‐scale wear properties of muscovite mica evaluated by scanning probe microscopy (1994)

Miyake, Shojiro

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(8): 980-982. Published 1994 Aug 22. doi: 10.1063/1.112168.

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Publikationsdatum: 1994-08-22

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Influence of heat treatment on the structure and magnetic properties of sputtered BaCoTiFe10O19films (1994)

Gu, B. X. ; Zhang, H. Y. ; Zhai, H. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(26): 3404-3406. Published 1994 Dec 26. doi: 10.1063/1.112407.

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Publikationsdatum: 1994-12-26

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Time‐resolved investigations of sidewall recombination and in‐plane diffusivity in dry‐etched InGaAs/GaAs air‐post structures (1994)

Nambu, Yoshihiro ; Yokoyama, Hiroyuki ; Yoshikawa, Takashi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(4): 481-483. Published 1994 Jul 25. doi: 10.1063/1.112344.

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Surface scattering of x rays from InP (001) wafers (1994)

Li, J. H. ; Cui, S. F. ; Li, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(26): 3317-3319. Published 1994 Dec 26. doi: 10.1063/1.112446.

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Formation of carbon nitride films on Si(100) substrates by electron cyclotron resonance plasma assisted vapor deposition (1994)

Bousetta, A. ; Lu, M. ; Bensaoula, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(6): 696-698. Published 1994 Aug 08. doi: 10.1063/1.112272.

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Unbekannt

TiCN: A new chemical vapor deposited contact barrier metallization for submicron devices (1994)

Eizenberg, M. ; Littau, K. ; Ghanayem, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(19): 2416-2418. Published 1994 Nov 07. doi: 10.1063/1.112693.

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Publikationsdatum: 1994-11-07

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Unbekannt

Lateral photovoltaic effect in porous silicon (1994)

Boeringer, Daniel W. ; Tsu, Raphael

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(18): 2332-2334. Published 1994 Oct 31. doi: 10.1063/1.112733.

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Publikationsdatum: 1994-10-31

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Unbekannt

Determination of heterojunction band discontinuities in strained AlxIn1−xP/lnP systems (1994)

Lammasniemi, J. ; Tappura, K. ; Smekalin, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(20): 2574-2575. Published 1994 Nov 14. doi: 10.1063/1.112643.

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Publikationsdatum: 1994-11-14

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Unbekannt

Fullerene doped glasses (1994)

Lin, Fucheng ; Mao, Sen ; Meng, Zhicong ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(20): 2522-2524. Published 1994 Nov 14. doi: 10.1063/1.112623.

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Unbekannt

Dielectric response of As‐stabilized GaAs surfaces observed by surface photo‐absorption (1994)

Uwai, Kunihiko ; Kobayashi, Naoki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(2): 150-152. Published 1994 Jul 11. doi: 10.1063/1.112655.

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Publikationsdatum: 1994-07-11

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Unbekannt

Band‐edge emission from strained SiGe alloy layers on Ge(100) substrates (1994)

Terashima, Koichi ; Ikarashi, Taeko ; Tweet, Douglas ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(5): 601-603. Published 1994 Aug 01. doi: 10.1063/1.112311.

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Publikationsdatum: 1994-08-01

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Unbekannt

Interfacial microstructures of ultrathin Ge layers on Si probed by x‐ray scattering and fluorescence yield (1994)

Ming, Z. H. ; Soo, Y. L. ; Huang, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(11): 1382-1384. Published 1994 Sep 12. doi: 10.1063/1.113007.

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Publikationsdatum: 1994-09-12

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Unbekannt

Composition modulation in lattice matched Zn1−xMgxSySe1−y/ZnSe buffer layer/GaAs heterostructures (1994)

Kuo, L. H. ; Salamanca‐Riba, L. ; Wu, B. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(10): 1230-1232. Published 1994 Sep 05. doi: 10.1063/1.112079.

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Publikationsdatum: 1994-09-05

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Unbekannt

Four‐channel YBa2Cu3O7−ydc SQUID magnetometer for biomagnetic measurements (1994)

Tanaka, S. ; Itozaki, H. ; Toyoda, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(4): 514-516. Published 1994 Jan 24. doi: 10.1063/1.111090.

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Publikationsdatum: 1994-01-24

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Unbekannt

Optical detection of misfit dislocation‐induced deep levels at InGaAs/GaAs heterojunctions (1994)

Raisanen, A. ; Brillson, L. J. ; Goldman, R. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(26): 3572-3574. Published 1994 Jun 27. doi: 10.1063/1.111201.

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Publikationsdatum: 1994-06-27

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Unbekannt

Misorientation angle distributions for large‐angle grain boundaries in Bi2Sr2CaCu2O8and Bi2Sr2Ca2Cu3O10composite tapes (1994)

Zhu, Yimei ; Suenaga, M. ; Sabatini, R. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(14): 1832-1834. Published 1994 Oct 03. doi: 10.1063/1.112967.

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Publikationsdatum: 1994-10-03

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Unbekannt

Hall effect of metallic Langmuir–Blodgett films based on bisethylenedioxytetrathiafulvalene complex of decyltetracyanoquinodimethane (1994)

Takenaga, Mitsuru ; Abdulla, Aniwar ; Kasai, Akinari ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(19): 2602-2604. Published 1994 May 09. doi: 10.1063/1.111539.

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Publikationsdatum: 1994-05-09

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Unbekannt

Optical properties of porous silicon superlattices (1994)

Vincent, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(18): 2367-2369. Published 1994 May 02. doi: 10.1063/1.111982.

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Publikationsdatum: 1994-05-02

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Unbekannt

Current gain increase in AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors using AlGaAs layer overgrowth (1994)

Kalingamudali, S. R. D. ; Wismayer, A. C. ; Woods, R. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(11): 1403-1405. Published 1994 Sep 12. doi: 10.1063/1.112065.

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Unbekannt

Enhanced critical currents by CeO2additions in directionally solidified YBa2Cu3O7 (1994)

Piñol, S. ; Sandiumenge, F. ; Martínez, B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(11): 1448-1450. Published 1994 Sep 12. doi: 10.1063/1.112011.

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Unbekannt

Dose‐rate effects on radiation‐induced bipolar junction transistor gain degradation (1994)

Wei, A. ; Kosier, S. L. ; Schrimpf, R. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(15): 1918-1920. Published 1994 Oct 10. doi: 10.1063/1.112816.

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Unbekannt

Low operating current self‐sustained pulsation GaAlAs laser diodes with a real refractive index guided structure (1994)

Takayama, T. ; Imafuji, O. ; Sugiura, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(10): 1211-1212. Published 1994 Sep 05. doi: 10.1063/1.112073.

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Unbekannt

Characterization of the near‐interface region of chemical vapor deposited diamond films on silicon by backscatter Kikuchi diffraction (1994)

Geier, S. ; Schreck, M. ; Hessmer, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(14): 1781-1783. Published 1994 Oct 03. doi: 10.1063/1.112867.

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Unbekannt

Strain symmetrization effects in pseudomorphic Si1−yCy/Si1−xGexsuperlattices (1994)

Eberl, K. ; Iyer, S. S. ; LeGoues, F. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(6): 739-741. Published 1994 Feb 07. doi: 10.1063/1.111051.

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62

Unbekannt

Suppression of microstructural coarsening and creep deformation in a lead‐free solder (1994)

McCormack, M. ; Jin, S. ; Kammlott, G. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(5): 580-582. Published 1994 Jan 31. doi: 10.1063/1.111114.

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Unbekannt

Cross‐sectional scanning tunneling microscopy of doped and undoped AlGaAs/GaAs heterostructures (1994)

Gwo, S. ; Chao, K.‐J. ; Shih, C. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(4): 493-495. Published 1994 Jan 24. doi: 10.1063/1.111140.

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Unbekannt

Erratum: ‘‘Time dependent ballistic electron emission microscopy studies of a Au/(100)GaAs interface with a native oxide diffusion barrier’’ [Appl. Phys. Lett. 62, 2965 (1993)] (1994)

Talin, A. Alec ; Ohlberg, Douglas A. A. ; Williams, R. Stanley ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(4): 529-529. Published 1994 Jan 24. doi: 10.1063/1.111998.

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65

Unbekannt

Morphology of plasma polymerized methyl methacrylate films (1994)

Li, Guifang ; Tobin, Jeffrey A. ; Denton, Denice D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(5): 560-562. Published 1994 Jan 31. doi: 10.1063/1.111103.

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Unbekannt

Highly efficient Cherenkov‐type second harmonic generation in a Ta2O5/KTiOPO4waveguide (1994)

Doumuki, Tohru ; Tamada, Hitoshi ; Saitoh, Masaki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(26): 3533-3535. Published 1994 Jun 27. doi: 10.1063/1.111971.

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Unbekannt

Formation of β‐SiC nanocrystals by the relaxation of Si1−yCyrandom alloy layers (1994)

Powell, A. R. ; LeGoues, F. K. ; Iyer, S. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(3): 324-326. Published 1994 Jan 17. doi: 10.1063/1.111195.

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AlGaAs/GaAs charge injection transistor/negative resistance field‐effect transistor fabricated with shallow Pd/Ge ohmic contacts (1994)

Lai, Jiun‐Tsuen ; Lee, Joseph Ya‐min

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(3): 306-308. Published 1994 Jan 17. doi: 10.1063/1.111187.

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Modulated reflectance and resonant Raman scattering of GaAs quantum wires grown on nonplanar substrates (1994)

Rinaldi, R. ; Cingolani, R. ; Ferrara, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(26): 3587-3589. Published 1994 Jun 27. doi: 10.1063/1.111206.

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Publikationsdatum: 1994-06-27

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Microstructure of epitaxial oxide thin film heterostructures on silicon by pulsed laser deposition (1994)

Ghonge, Subodh G. ; Goo, Edward ; Ramesh, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(25): 3407-3409. Published 1994 Jun 20. doi: 10.1063/1.111293.

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Active mode locking of a diode laser by a resonant tunneling diode (1994)

Grumann, E. ; Golub, J. E. ; Matusovsky, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(23): 3095-3097. Published 1994 Jun 06. doi: 10.1063/1.111358.

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Publikationsdatum: 1994-06-06

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2.7–3.9 μm InAsSb(P)/InAsSbP low threshold diode lasers (1994)

Baranov, A. N. ; Imenkov, A. N. ; Sherstnev, V. V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(19): 2480-2482. Published 1994 May 09. doi: 10.1063/1.111603.

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Unbekannt

Photoluminescence of chemically vapor deposited Si on silica aerogels (1994)

Cao, Wanqing ; Hunt, Arlon J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(18): 2376-2378. Published 1994 May 02. doi: 10.1063/1.111619.

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Unbekannt

Bulk‐induced alignment of nematic liquid crystals by photopolymerization (1994)

Jain, Sukhmal C. ; Kitzerow, Heinz‐S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(22): 2946-2948. Published 1994 May 30. doi: 10.1063/1.111419.

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Unbekannt

Influence of inductance induced noise in an YBa2Cu3O7dc‐SQUID at high operation temperatures (1994)

Nilsson, P. Å. ; Claeson, T. ; Hansen, J. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(18): 2445-2447. Published 1994 May 02. doi: 10.1063/1.111594.

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Unbekannt

Ultrafast dynamics of the optical mode of a 1.5 μm multiple quantum well optical amplifier (1994)

Botkin, D. ; Weiss, S. ; Sucha, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(21): 2861-2863. Published 1994 May 23. doi: 10.1063/1.111450.

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Publikationsdatum: 1994-05-23

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Unbekannt

Decay dynamics of laser‐induced gratings in LiNbO3:Zn (1994)

Deng, Jiachun ; Wen, Jinke ; Wu, Zhongkang ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 64(20): 2622-2624. Published 1994 May 16. doi: 10.1063/1.111497.

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Publikationsdatum: 1994-05-16

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Unbekannt

New formation mechanism of electric field domain due to Γ‐Xsequential tunneling in GaAs/AlAs superlattices (1994)

Zhang, Yaohui ; Yang, Xiaoping ; Liu, Wei ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(9): 1148-1150. Published 1994 Aug 29. doi: 10.1063/1.112124.

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Publikationsdatum: 1994-08-29

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Unbekannt

Importance of steps in heteroepitaxy: The case of aluminum on silicon (1994)

Sosnowski, Marek ; Ramac, Samuel ; Brown, Walter L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(23): 2943-2945. Published 1994 Dec 05. doi: 10.1063/1.112541.

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Publikationsdatum: 1994-12-05

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Unbekannt

Nonresonant detection of electric force gradients by dynamic force microscopy (1994)

Yokoyama, Hiroshi ; Inoue, Takahito ; Itoh, Junji

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(24): 3143-3145. Published 1994 Dec 12. doi: 10.1063/1.112462.

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Publikationsdatum: 1994-12-12

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Unbekannt

Effect of gas composition on texture of diamond films (1994)

Marinelli, M. ; Milani, E. ; Montuori, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(22): 2839-2841. Published 1994 Nov 28. doi: 10.1063/1.112537.

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Publikationsdatum: 1994-11-28

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Unbekannt

Mechanical alloying process of the zirconia–8 mol % yttria ceramic powder (1994)

Chen, Y. L. ; Qi, M. ; Wu, J. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(3): 303-305. Published 1994 Jul 18. doi: 10.1063/1.113022.

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Publikationsdatum: 1994-07-18

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83

Unbekannt

Photoluminescence of a staggered In0.5Ga0.5P/AlxGa1−xAs heterojunction (1994)

Kim, Kwan‐Shik ; Lee, Jong Boong ; Choe, Byung‐Doo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(4): 451-453. Published 1994 Jul 25. doi: 10.1063/1.112330.

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Publikationsdatum: 1994-07-25

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Unbekannt

Symmetry considerations in vertical‐cavity surface‐emitting lasers: Prediction of removal of polarization isotropicity on (001) substrates (1994)

Vakhshoori, Daryoosh

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(3): 259-261. Published 1994 Jul 18. doi: 10.1063/1.112410.

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85

Unbekannt

Transport properties in Tl‐Ba‐Ca‐Cu‐O grain boundary junctions on SrTiO3bicrystal substrates (1994)

Sarnelli, E. ; Chaudhari, P. ; Lee, W. Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(3): 362-364. Published 1994 Jul 18. doi: 10.1063/1.112376.

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Unbekannt

Modulation‐doped GaInAs/GaInAsP strained multiple‐quantum‐well lasers grown by chemical beam epitaxy (1994)

Mawatari, Hiroyasu ; Iga, Ryuzu ; Sugiura, Hideo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(3): 277-279. Published 1994 Jul 18. doi: 10.1063/1.112371.

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Unbekannt

Se‐rich phase of ZnSe(100) predicted by total‐energy calculations (1994)

García, Alberto ; Northrup, John E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(6): 708-710. Published 1994 Aug 08. doi: 10.1063/1.112276.

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Publikationsdatum: 1994-08-08

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Unbekannt

Erratum: ‘‘Charge sensitivity of a single electron transistor’’ [Appl. Phys. Lett. 65, 1847 (1994)] (1994)

Hanke, Ulrik ; Galperin, Yu. M. ; Chao, K. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(26): 3416-3416. Published 1994 Dec 26. doi: 10.1063/1.113094.

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Publikationsdatum: 1994-12-26

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Unbekannt

Polarization reversal in LiNbO3crystals under asymmetric diffusion conditions (1994)

Kugel, V. D. ; Rosenman, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(19): 2398-2400. Published 1994 Nov 07. doi: 10.1063/1.112687.

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Unbekannt

Panchromatic cathodoluminescence investigation of defects in CdTe bulk crystals and homoepitaxial layers (1994)

Salviati, G. ; Franzosi, P. ; Scaffardi, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(25): 3257-3259. Published 1994 Dec 19. doi: 10.1063/1.113026.

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Publikationsdatum: 1994-12-19

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Unbekannt

Optically generated liquid crystal gratings (1994)

Gibbons, Wayne M. ; Sun, Shao‐Tang

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(20): 2542-2544. Published 1994 Nov 14. doi: 10.1063/1.112629.

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Unbekannt

Laser‐induced phase transformation from amorphous to perovskite in PbZr0.44Ti0.56O3films with the substrate at room temperature (1994)

Lu, X. M. ; Zhu, J. S. ; Huang, X. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(16): 2015-2017. Published 1994 Oct 17. doi: 10.1063/1.112805.

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Unbekannt

In situpattern deposition of In2O3andin situpattern etching of GaAs (1994)

Ozasa, Kazunari ; Kim, Eun Kyu ; Aoyagi, Yoshinobu

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(13): 1635-1637. Published 1994 Sep 26. doi: 10.1063/1.113045.

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Unbekannt

Morphology and size distribution of oxide precipitates in as‐grown Czochralski silicon crystals (1994)

Sueoka, K. ; Ikeda, N. ; Yamamoto, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(13): 1686-1688. Published 1994 Sep 26. doi: 10.1063/1.112886.

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Unbekannt

Highp‐type doping of ZnSe using Li3N diffusion (1994)

Lim, S. W. ; Honda, T. ; Koyama, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(19): 2437-2438. Published 1994 Nov 07. doi: 10.1063/1.112699.

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Unbekannt

Relaxation and H coverage of ammonium fluoride treated Si(111) (1994)

Copel, M. ; Culbertson, R. J. ; Tromp, R. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(18): 2344-2346. Published 1994 Oct 31. doi: 10.1063/1.112740.

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Unbekannt

Velocity selection of fast laser ablated aluminum atoms by temporally and spatially specific photoionization (1994)

Macler, Michel ; Fajardo, Mario E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(18): 2275-2277. Published 1994 Oct 31. doi: 10.1063/1.112716.

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Unbekannt

Nanocrystal size modifications in porous silicon by preanodization ion implantation (1994)

Pavesi, L. ; Giebel, G. ; Ziglio, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(17): 2182-2184. Published 1994 Oct 24. doi: 10.1063/1.112755.

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Unbekannt

Semiconductor characterization with the scanning surface harmonic microscope (1994)

Bourgoin, J.‐P. ; Johnson, M. B. ; Michel, B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(16): 2045-2047. Published 1994 Oct 17. doi: 10.1063/1.112788.

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Platinumsilicide Schottky barrier infrared detectors with a grating: Dependence of the optical response on wavelength and polarization (1994)

Kapser, K. ; Deimel, P. P. ; Platz, W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1994; 65(16): 1986-1988. Published 1994 Oct 17. doi: 10.1063/1.113042.

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