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Identification of epitaxial Y2O3inclusions in sputtered YBa2Cu3O7films: Impact on film growth (1992)

Catana, A. ; Broom, R. F. ; Bednorz, J. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1016-1018. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106507.

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Sum‐frequency generation in segmented KTP waveguides (1992)

Laurell, F. ; Brown, J. B. ; Bierlein, J. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(9): 1064-1066. Published 1992 Mar 02. doi: 10.1063/1.106445.

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Fabrication of TlCaBaCuO step‐edge Josephson junctions with hysteretic behavior (1992)

Martens, J. S. ; Hietala, V. M. ; Zipperian, T. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1013-1015. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106506.

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Organometallic vapor phase epitaxial growth and characterization of GaInP/AlInP quantum wells on 10°‐off GaAs substrates using ethyldimethylindium (1992)

Wang, T. Y. ; Welch, D. F. ; Scifres, D. R. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1007-1009. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106504.

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Generation of the pretilt angles in nematic liquid crystal (5CB) aligned on the rubbed polypyrrole films (1992)

Seo, Dae‐Shik ; Kobayashi, Shunsuke ; Mochizuki, Akihiro

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1025-1026. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106487.

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Using light as a stencil (1992)

Prentiss, M. ; Timp, G. ; Bigelow, N. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1027-1029. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106488.

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Low dark current step‐bound‐to‐miniband transition InGaAs/GaAs/AlGaAs multiquantum‐well infrared detector (1992)

Yu, Larry S. ; Wang, Y. H. ; Li, Sheng S. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 992-994. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106484.

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Integrated wavelength demultiplexer‐receiver on InP (1992)

Bornholdt, C. ; Trommer, D. ; Unterbörsch, G. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 971-973. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.107460.

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Electrical behavior of Yb ion inp‐ andn‐type InP (1992)

Seghier, D. ; Benyattou, T. ; Bremond, G. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 983-985. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106481.

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Electrical characteristics of paraelectric lead lanthanum zirconium titanate thin films for dynamic random access memory applications (1992)

Jones, R. E. ; Maniar, P. D. ; Olowolafe, J. O. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1022-1024. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106486.

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Thermal and photochemical decomposition pathways of AsH3on GaAs(100): Implication for atomic layer epitaxy (1992)

Zhu, X.‐Y. ; Wolf, M. ; Huett, T. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 977-979. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106479.

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Oriented lead germanate thin films by excimer laser ablation (1992)

Peng, C. J. ; Roy, D. ; Krupanidhi, S. B.

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 827-829. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.107431.

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Vapor phase synthesis of crystalline nanometer‐scale GaAs clusters (1992)

Saunders, Winston A. ; Sercel, Peter C. ; Atwater, Harry A. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 950-952. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106471.

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Growth of strained InAs/InP quantum wells by molecular beam epitaxy (1992)

Hopkinson, M. ; David, J. P. R. ; Claxton, P. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 841-843. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.106531.

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Suppressed photocurrent multiple‐quantum‐well optical modulators by proton implantation (1992)

Woodward, T. K. ; Tell, B. ; Knox, W. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 742-744. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106555.

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Unbekannt

Enhanced two‐wave mixing in a photorefractive waveguide having a periodically reversedc‐axis by electrical poling technique (1992)

Ito, Fumihiko ; Kitayama, Ken‐ichi ; Nakao, Osamu

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 793-795. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.106520.

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Improvement of peak‐to‐valley ratio by the incorporation of the InAs layer into the GaSb/AlSb/GaSb/AlSb/InAs double barrier resonant interband tunneling structure (1992)

Houng, M. P. ; Wang, Y. H. ; Shen, C. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 713-715. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106546.

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Unbekannt

Surface‐emitting lasers with optical cavity along the [111] direction (1992)

Ou, S. S. ; Yang, J. J. ; Jansen, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 689-691. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106538.

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Unbekannt

Fully connected bulk Pb1−xSnxMo6S7.6samples made by hot isostatic pressing (1992)

Le Lay, L. ; Willis, T. C. ; Larbalestier, D. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 775-777. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106516.

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Unbekannt

Center electrode effects in a long‐conduction‐time plasma‐opening switch (1992)

Véron, L. ; Etlicher, B. ; Rouillé, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 560-561. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106607.

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Unbekannt

Faraday rotation from Zn1−xFexSe epilayers (1992)

Fu, L. P. ; Schmiedel, T. ; Petrou, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 583-585. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106617.

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Unbekannt

Director‐polarization reorientation via solitary waves in ferroelectric liquid crystals (1992)

Abdulhalim, I. ; Moddel, G. ; Clark, N. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 551-553. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106604.

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Unbekannt

Externally pumped high repetition rate femtosecond infrared optical parametric oscillator (1992)

Mak, Gary ; Fu, Qiang ; van Driel, Henry M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 542-544. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106601.

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Unbekannt

Phase‐locked CO2laser array using diagonal coupling of waveguide channels (1992)

Abramski, K. M. ; Colley, A. D. ; Baker, H. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 530-532. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106597.

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Unbekannt

Mode spacing “anomaly” in InGaN blue lasers (1999)

Jiang, H. X. ; Lin, J. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(8): 1066-1068. Published 1999 Feb 22. doi: 10.1063/1.123483.

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High-Tc directly coupled direct current SQUID gradiometer with flip-chip flux transformer (1999)

Tian, Y. J. ; Linzen, S. ; Schmidl, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(9): 1302-1304. Published 1999 Mar 01. doi: 10.1063/1.123531.

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Photoconductivity investigation of the electron dynamics in GaAs grown at low temperature (1999)

Stellmacher, Max ; Schnell, Jean-Phillipe ; Adam, Didier ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(9): 1239-1241. Published 1999 Mar 01. doi: 10.1063/1.123511.

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Unbekannt

Growth and characterization of small band gap (∼0.6 eV) InGaAsN layers on InP (1999)

Gokhale, Milind R. ; Wei, Jian ; Wang, Hongsheng ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(9): 1287-1289. Published 1999 Mar 01. doi: 10.1063/1.123526.

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Unbekannt

Controlled spontaneous emissions from current-driven semiconductor microcavity triodes (1999)

Yamashita, S. ; Nakamura, S. ; Kobayashi, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(9): 1278-1280. Published 1999 Mar 01. doi: 10.1063/1.123523.

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Unbekannt

Intrinsic picosecond response times of Y–Ba–Cu–O superconducting photodetectors (1999)

Lindgren, M. ; Currie, M. ; Williams, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(6): 853-855. Published 1999 Feb 08. doi: 10.1063/1.123388.

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Unbekannt

Charge depletion of n+-In0.53Ga0.47As potential wells by background acceptor doping (1999)

Skuras, E. ; Long, A. R. ; Vögele, B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(7): 973-975. Published 1999 Feb 15. doi: 10.1063/1.123427.

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Unbekannt

Fabrication of nano-structural arrays by channeling pulsed atomic beams through pulsed-laser standing-waves under off-resonant condition (1999)

Zhu, X. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(4): 525-527. Published 1999 Jan 25. doi: 10.1063/1.123175.

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Unbekannt

Active reflection via a phase-insensitive quadratic nonlinear interaction within a microcavity (1999)

Cojocaru, Crina ; Martorell, Jordi ; Vilaseca, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(4): 504-506. Published 1999 Jan 25. doi: 10.1063/1.123169.

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Unbekannt

65 GHz InGaAs/InAlGaAs/InP waveguide-integrated photodetectors for the 1.3–1.55 μm wavelength regime (1999)

Kollakowski, St. ; Strittmatter, A. ; Dröge, E. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1999; 74(4): 612-614. Published 1999 Jan 25. doi: 10.1063/1.123181.

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Hydrogen-induced reduction of axial stress in optical fiber cores (1999)

Ky, Nguyen Hong ; Limberger, H. G. ; Salathé, R. P. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1999; 74(4): 516-518. Published 1999 Jan 25. doi: 10.1063/1.123172.

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Enhanced hole injection in a bilayer vacuum-deposited organic light-emitting device using a p-type doped silicon anode (1999)

Zhou, X. ; He, J. ; Liao, L. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(4): 609-611. Published 1999 Jan 25. doi: 10.1063/1.123161.

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Selective area oxide desorption by electron irradiation in a H2 ambient on GaAs (100) (1999)

Brown, S. J. ; Burke, T. M. ; Smith, M. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(7): 950-952. Published 1999 Feb 15. doi: 10.1063/1.123419.

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The contribution of vacancies to carbon out-diffusion in silicon (1999)

Scholz, R. F. ; Werner, P. ; Gösele, U. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(3): 392-394. Published 1999 Jan 18. doi: 10.1063/1.123081.

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Intraband absorption in Ge/Si self-assembled quantum dots (1999)

Boucaud, P. ; Le Thanh, V. ; Sauvage, S. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1999; 74(3): 401-403. Published 1999 Jan 18. doi: 10.1063/1.123083.

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Gas-phase nanoparticle formation and transport during pulsed laser deposition of Y1Ba2Cu3O7−d (1999)

Geohegan, D. B. ; Puretzky, A. A. ; Rader, D. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3788-3790. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124180.

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Electrically active defect centers induced by Ga+ focused ion beam irradiation of GaAs(100) (1999)

Brown, S. J. ; Rose, P. D. ; Jones, G. A. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(4): 576-578. Published 1999 Jan 25. doi: 10.1063/1.123150.

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Longitudinal magnetoresistance of CrO2 thin films (1999)

Suzuki, Katsuhiko ; Tedrow, P. M.

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In: Applied Physics Letters. 1999; 74(3): 428-429. Published 1999 Jan 18. doi: 10.1063/1.123050.

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β-SiC nanorods synthesized by hot filament chemical vapor deposition (1999)

Zhou, X. T. ; Wang, N. ; Lai, H. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3942-3944. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124231.

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Bifunctional molecular glass for efficient photorefractive material (1999)

Ogino, Kenji ; Park, Sang-Hun ; Sato, Hisaya

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In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3936-3938. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124229.

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Fabry–Perot cavity chemical sensors by silicon micromachining techniques (1999)

Han, Jaeheon

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(3): 445-447. Published 1999 Jan 18. doi: 10.1063/1.123056.

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Structural properties and Raman modes of zinc blende InN epitaxial layers (1999)

Tabata, A. ; Lima, A. P. ; Teles, L. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(3): 362-364. Published 1999 Jan 18. doi: 10.1063/1.123072.

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Unbekannt

Structure and magnetic properties of Gd3(Fe1−xCox)25Cr4 compounds (1999)

Yang, Dong ; Wang, Jianli ; Tang, Ning ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 4020-4022. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.123247.

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Light-induced negative differential resistance in planar InP/InGaAs/InP double-heterojunction p-i-n photodiode (1999)

Ho, Chong-Long ; Wu, Meng-Chyi ; Ho, Wen-Jeng ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 4008-4010. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.123243.

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Unbekannt

GaInN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes grown by molecular beam epitaxy (1999)

Grandjean, N. ; Massies, J. ; Dalmasso, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(24): 3616-3618. Published 1999 Jun 14. doi: 10.1063/1.123199.

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Unbekannt

Oxygen diffusion in heavily antimony-, arsenic-, and boron-doped Czochralski silicon wafers (1999)

Ono, Toshiaki ; Rozgonyi, George A. ; Asayama, Eiichi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(24): 3648-3650. Published 1999 Jun 14. doi: 10.1063/1.123210.

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Unbekannt

The effect of bottom electrode on the performance of thin film based capacitors in the gigahertz region (1999)

Dube, D. C. ; Baborowski, J. ; Muralt, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3546-3548. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124156.

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Unbekannt

Depth-resolved imaging of nematic liquid crystals by third-harmonic microscopy (1999)

Yelin, D. ; Silberberg, Y. ; Barad, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(21): 3107-3109. Published 1999 May 24. doi: 10.1063/1.124077.

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Unbekannt

A vertical cavity light emitting InGaN quantum well heterostructure (1999)

Song, Y.-K. ; Zhou, H. ; Diagne, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3441-3443. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124121.

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Unbekannt

Application of neutron interferometry to the measurement of thin film density (1999)

Wallace, W. E. ; Jacobson, D. L. ; Arif, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(3): 469-471. Published 1999 Jan 18. doi: 10.1063/1.123038.

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Unbekannt

Urbach energy dependence of the stability in amorphous silicon thin-film transistors (1999)

Wehrspohn, R. B. ; Deane, S. C. ; French, I. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(22): 3374-3376. Published 1999 May 31. doi: 10.1063/1.123349.

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Unbekannt

The effect of Si doping on the defect structure of GaN/AlN/Si(111) (1999)

Molina, S. I. ; Sánchez, A. M. ; Pacheco, F. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(22): 3362-3364. Published 1999 May 31. doi: 10.1063/1.123345.

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Unbekannt

High conduction-band offset of AlInAsSb/InGaAs multiple quantum wells grown by metalorganic vapor phase epitaxy (1999)

Chang, J. R. ; Su, Y. K. ; Lin, C. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3495-3497. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124141.

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Unbekannt

Improvements in electrical properties of (Ba,Sr)TiO3 capacitor with chemical vapor deposited Pt top electrode using Pt hexafluoroacetylacetonate (1999)

Lee, Jong Myeong ; Kang, Sang Yeol ; Shin, Ju Cheol ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3489-3491. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124139.

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Unbekannt

Magnetic properties of annular Josephson junctions for radiation detection: Experimental results (1999)

Cristiano, R. ; Esposito, E. ; Frunzio, L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(22): 3389-3391. Published 1999 May 31. doi: 10.1063/1.123354.

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Unbekannt

Measurement of induced surface charges, contact potentials, and surface states in GaN by electric force microscopy (1999)

Bridger, P. M. ; Bandić, Z. Z. ; Piquette, E. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3522-3524. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124148.

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Unbekannt

Infrared absorption of Li acceptors and shallow donors in ZnSe (1999)

Nakata, H. ; Yamada, K. ; Ohyama, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3480-3482. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124134.

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Unbekannt

Threshold behavior analysis of in-plane switching mode liquid-crystal cells with asymmetrical surface condition (1999)

Yoneya, Makoto ; Kondo, Katsumi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3477-3479. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124133.

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Unbekannt

Photorefractive Bragg gratings in nematic liquid crystals aligned by a magnetic field (1999)

Wiederrecht, Gary P. ; Wasielewski, Michael R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3459-3461. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124127.

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Unbekannt

Evidence for relaxed and high-quality growth of GaN on SiC(0001) (1999)

Boscherini, F. ; Lantier, R. ; Rizzi, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(22): 3308-3310. Published 1999 May 31. doi: 10.1063/1.123327.

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Unbekannt

Molecular beam epitaxial growth and optical properties of lattice-matched MgxZn1−xSeyTe1−y alloys on InP substrates (1999)

Naniwae, Koichi ; Iwata, Hiroshi ; Yashiki, Kenichiro

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3984-3986. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124244.

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Unbekannt

An efficient way to improve compositional abruptness at the GaAs on GaInAs interface (1999)

Chirlias, E. ; Massies, J. ; Guyaux, J. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3972-3974. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124240.

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Effect of dangling-bond density on luminescence in tritiated amorphous silicon (1999)

Sidhu, Lakhbeer S. ; Kosteski, Tome ; Zukotynski, Stefan ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3975-3977. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124241.

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Mechanism for photon emission from Au nano-hemispheres induced by scanning tunneling microscopy (1999)

Liau, Yish-Hann ; Scherer, Norbert F.

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In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3966-3968. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124238.

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Raman microscopy of lateral epitaxial overgrowth of GaN on sapphire (1999)

Pophristic, M. ; Long, F. H. ; Schurman, M. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1999; 74(23): 3519-3521. Published 1999 Jun 07. doi: 10.1063/1.124136.

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Suppression of temperature sensitivity of interband emission energy in 1.3-μm-region by an InGaAs overgrowth on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots (1999)

Mukai, Kohki ; Sugawara, Mitsuru

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3963-3965. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124237.

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Pulsed laser deposition of epitaxial GaNxAs1−x on GaAs (1999)

Hung, W. K. ; Chern, M. Y. ; Fan, J. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3951-3953. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124234.

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Optical properties of low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy AlxGa1−xN thin-film waveguides by prism coupling technique (1999)

Dogheche, E. ; Remiens, D. ; Omnes, F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(26): 3960-3962. Published 1999 Jun 28. doi: 10.1063/1.124236.

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Deposition of a thin polystyrene film by anthracene-photosensitized laser ablation at 351 nm (1999)

Tsuboi, Yasuyuki ; Itaya, Akira

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3896-3898. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124216.

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Memory window of highly c-axis oriented ferroelectric YMnO3 thin films (1999)

Lee, Ho Nyung ; Kim, Yong Tae ; Park, Young K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3887-3889. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124213.

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Interlayer coupling and enhanced coercivity in ferromagnetic/antiferromagnetic structures (1999)

Edelstein, A. S. ; Kodama, R. H. ; Miller, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3872-3874. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124208.

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Gapud, A. A. ; Wu, J. Z. ; Fang, L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3878-3880. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124210.

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Influence of illumination on the properties of Bi2Sr2CaCu2O8+y bicrystal grain boundary junction (1999)

Gilabert, A. ; Plecenik, A. ; Medici, M. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3869-3871. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124207.

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Electrical properties of covalently linked silicon/polypyrrole junctions (1999)

Vermeir, Inge E. ; Kim, Namyong Y. ; Laibinis, Paul E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3860-3862. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124204.

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Unbekannt

Strong linear polarization in scanning tunneling microscopy-induced luminescence from porous silicon (1999)

Wu, Zhanghua ; Nakayama, Tomonobu ; Qiao, Shan ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3842-3844. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124198.

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Lateral-junction vertical-cavity surface-emitting laser grown by molecular-beam epitaxy on a GaAs (311) A-oriented substrate (1999)

Vaccaro, Pablo O. ; Ohnishi, Hajime ; Fujita, Kazuhisa

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3854-3856. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124202.

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Unbekannt

Stress relaxation by surface rippling and dislocation generation in mismatched channels of InGaAs/InAlAs/InP high-electron-mobility transistors (1999)

Peiró, F. ; Cornet, A. ; Beck, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3818-3820. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124190.

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Near-ultraviolet and near-infrared electroluminescence from an indium–tin–oxide film/native Si oxide/p-Si structure (1999)

Wang, Y. Q. ; Zhao, T. P. ; Liu, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3815-3817. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124189.

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Unbekannt

Light emission during fracture of a Zr–Ti–Ni–Cu–Be bulk metallic glass (1999)

Gilbert, C. J. ; Ager, J. W. ; Schroeder, V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3809-3811. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124187.

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Unbekannt

Soft x-ray absorption of a buried SmCo film utilizing substrate fluorescence detection (1999)

Coulthard, I. ; Freeland, J. W. ; Winarski, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3806-3808. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124186.

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Unbekannt

The relation of active nitrogen species to high-temperature limitations for (0001̄) GaN growth by radio-frequency-plasma-assisted molecular beam epitaxy (1999)

Ptak, A. J. ; Millecchia, M. R. ; Myers, T. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3836-3838. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124196.

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Unbekannt

Evidence for localized Si-donor state and its metastable properties in AlGaN (1999)

Skierbiszewski, C. ; Suski, T. ; Leszczynski, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3833-3835. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124195.

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Unbekannt

Initial stages of III-nitride growth (1999)

Großner, Ulrike ; Furthmüller, Jürgen ; Bechstedt, Friedhelm

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3851-3853. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124201.

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Unbekannt

Light-induced electron spin resonance in amorphous hydrogenated germanium (1999)

Marques, F. C. ; de Lima, M. M. ; Taylor, P. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3797-3799. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124183.

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Unbekannt

Self-assembled carbon-induced germanium quantum dots studied by grazing-incidence small-angle x-ray scattering (1999)

Stangl, J. ; Holý, V. ; Mikulı́k, P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3785-3787. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124179.

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Unbekannt

Role of surface defect states in visible luminescence from oxidized hydrogenated amorphous Si/hydrogenated amorphous Ge multilayers (1999)

Xu, Jun ; He, ZhenHong ; Chen, Kunji ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3773-3775. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124175.

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Unbekannt

Homeotropic liquid-crystal device with two metastable states (1999)

Chen, Li-Yi ; Chen, Shu-Hsia

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3779-3781. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124177.

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Unbekannt

In-plane electro-optic anisotropy of (1−x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–xPbTiO3 thin films grown on (100)-cut LaAlO3 (1999)

Lu, Yalin ; Zheng, Jianjun ; Croning Golomb, Mark ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3764-3766. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124172.

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Unbekannt

Low-resistance visible wavelength distributed Bragg reflectors using small energy band offset heterojunctions (1999)

Fastenau, J. M. ; Robinson, G. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3758-3760. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124171.

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Unbekannt

Ab-initio calculation of excited state absorption of Cr4+ in Y3Al5O12 (1999)

Ching, W. Y. ; Xu, Yong-Nian ; Brickeen, B. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(25): 3755-3757. Published 1999 Jun 21. doi: 10.1063/1.124170.

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Unbekannt

Control of morphology changes in self-assembled Mn-based nanostructures overgrown with mismatched material (1999)

Bonanni, A. ; Seyringer, H. ; Sitter, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(24): 3732-3734. Published 1999 Jun 14. doi: 10.1063/1.123236.

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Unbekannt

Graphite lattice synthesis catalyzed by chromium-containing crystallites (1999)

Okuyama, Fumio ; Hayashi, Tatsuji ; Fujimoto, Yasutaka

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(24): 3726-3728. Published 1999 Jun 14. doi: 10.1063/1.123234.

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Unbekannt

All-optical reflection modulator using a nonlinear heteronipi structure within an asymmetric Fabry–Perot optical cavity (1999)

Davies, P. F. ; Phillips, C. C. ; Roberts, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(24): 3717-3719. Published 1999 Jun 14. doi: 10.1063/1.123231.

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Unbekannt

Temperature-accelerated dielectric breakdown in ultrathin gate oxides (1999)

Chen, C.-C. ; Chang, C.-Y. ; Chien, C.-H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(24): 3708-3710. Published 1999 Jun 14. doi: 10.1063/1.123228.

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Unbekannt

Analysis of contamination, hydrogen emission, and surface temperature variations using real time spectroscopic ellipsometry during p/i interface formation in amorphous silicon p-i-n solar cells (1999)

Fujiwara, H. ; Koh, Joohyun ; Wronski, C. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 74(24): 3687-3689. Published 1999 Jun 14. doi: 10.1063/1.123230.

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Sub-diffraction-limited patterning using evanescent near-field optical lithography (1999)

Alkaisi, M. M. ; Blaikie, R. J. ; McNab, S. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1999; 75(22): 3560-3562. Published 1999 Nov 29. doi: 10.1063/1.125388.

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Details

Publikationsdatum: 1999-11-29

Print ISSN: 0003-6951

Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

Publiziert von American Institute of Physics

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