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Unbekannt

Tunneling in In0.53Ga0.47As‐InP double‐barrier structures (1987)

Vuong, T. H. H. ; Tsui, D. C. ; Tsang, W. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(4): 212-214. Published 1987 Jan 26. doi: 10.1063/1.97664.

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Effect of substrate tilting on molecular beam epitaxial grown AlGaAs/GaAs lasers having very low threshold current densities (1987)

Chen, H. Z. ; Ghaffari, A. ; Morkoç, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(25): 2094-2096. Published 1987 Dec 21. doi: 10.1063/1.98958.

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Plasma‐enhanced deposition of high‐quality epitaxial silicon at low temperatures (1987)

Comfort, James H. ; Reif, Rafael

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(24): 2016-2018. Published 1987 Dec 14. doi: 10.1063/1.98278.

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Electron mobility inp‐GaAs by time of flight (1987)

Ahrenkiel, R. K. ; Dunlavy, D. J. ; Greenberg, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(10): 776-778. Published 1987 Sep 07. doi: 10.1063/1.98864.

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Nonselective etching of GaAs/AlGaAs double heterostructure laser facets by Cl2reactive ion etching in a load‐locked system (1987)

Vawter, G. Allen ; Coldren, Larry A. ; Merz, James L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(10): 719-721. Published 1987 Sep 07. doi: 10.1063/1.98899.

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Preparation of superconducting thin films of Ba2YCu3O7by a novel spin‐on pyrolysis technique (1987)

Rice, C. E. ; van Dover, R. B. ; Fisanick, G. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(22): 1842-1844. Published 1987 Nov 30. doi: 10.1063/1.98488.

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Effects of coherency strain on the band gap of pseudomorphic InxGa1−xAs on (001) InP (1987)

People, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(22): 1604-1606. Published 1987 Jun 01. doi: 10.1063/1.97794.

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Diffraction‐corrected subsurface imaging with a scanning laser acoustic microscope (1986)

Mueller, Rolf K. ; Robbins, William P. ; Zhou, Z. Q. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(23): 1577-1578. Published 1986 Jun 09. doi: 10.1063/1.96873.

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High efficiency, multiple layer ZnO acoustic transducers at millimeter‐wave frequencies (1987)

Hadimioglu, B. ; La Comb, L. J. ; Wright, D. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(23): 1642-1644. Published 1987 Jun 08. doi: 10.1063/1.97754.

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Erratum: Ultrafast absorption recovery due to stimulated emission in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells [Appl. Phys. Lett. 50, 821 (1987)] (1987)

Dubard, J. ; Oudar, J. L. ; Alexandre, F. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1987; 50(23): 1696-1696. Published 1987 Jun 08. doi: 10.1063/1.98270.

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Arsenic‐dopedp‐CdTe layers grown by organometallic vapor phase epitaxy (1987)

Ghandhi, S. K. ; Taskar, N. R. ; Bhat, I. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(14): 900-902. Published 1987 Apr 06. doi: 10.1063/1.98027.

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Unbekannt

Diffraction effects in a diode array traveling‐wave amplifier (1987)

Andrews, John R. ; Paoli, T. L. ; Burnham, R. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(21): 1676-1678. Published 1987 Nov 23. doi: 10.1063/1.98540.

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Charge trapping in thin nitrided SiO2films (1987)

Severi, Maurizio ; Impronta, Maurizio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(21): 1702-1704. Published 1987 Nov 23. doi: 10.1063/1.98549.

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Unbekannt

Interdiffusion behavior of HgTe‐CdTe junctions (1987)

Tang, Mei‐Fan S. ; Stevenson, David A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(18): 1272-1274. Published 1987 May 04. doi: 10.1063/1.97881.

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Publikationsdatum: 1987-05-04

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Unbekannt

Narrow spectral linewidth semiconductor optical‐fiber ring laser (1986)

Tai, Shuichi ; Kojima, Keisuke ; Noda, Susumu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1328-1330. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97367.

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Publikationsdatum: 1986-11-17

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Unbekannt

Compound formation at the interface between cobalt thin films and single‐crystal GaAs (1987)

Genut, M. ; Eizenberg, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(19): 1358-1360. Published 1987 May 11. doi: 10.1063/1.97855.

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Unbekannt

Ga0.47In0.53As/InP superlattice avalanche photodiode grown by metalorganic chemical vapor deposition (1987)

Beltram, F. ; Allam, J. ; Capasso, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(17): 1170-1172. Published 1987 Apr 27. doi: 10.1063/1.97952.

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Unbekannt

Heteroepitaxial growth of CdTe on InSb by metalorganic chemical vapor deposition (1987)

Sugiura, O. ; Tanaka, Y. ; Shiina, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(19): 1515-1517. Published 1987 Nov 09. doi: 10.1063/1.98620.

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Unbekannt

Proposal for three‐dimensional internal field mapping by cw electro‐optic probing (1987)

Lo, Y. H. ; Wu, M. C. ; Zhu, Z. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(25): 1791-1793. Published 1987 Jun 22. doi: 10.1063/1.97698.

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Unbekannt

Magnetic and structural properties of melt‐spun erbium‐iron‐boron ribbons (1987)

Meisner, G. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(2): 116-117. Published 1987 Jan 12. doi: 10.1063/1.97870.

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Publikationsdatum: 1987-01-12

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Unbekannt

Thin films of amorphous MoO3as a negative resist (1987)

Gupta, P. K. ; Chopra, K. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(19): 1527-1529. Published 1987 Nov 09. doi: 10.1063/1.98624.

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Unbekannt

Optical properties of general twisted nematic liquid‐crystal displays (1987)

Ong, Hiap Liew

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(18): 1398-1400. Published 1987 Nov 02. doi: 10.1063/1.98688.

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Publikationsdatum: 1987-11-02

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Unbekannt

Ultrafast absorption recovery due to stimulated emission in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells (1987)

Dubard, J. ; Oudar, J. L. ; Alexandre, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(13): 821-823. Published 1987 Mar 30. doi: 10.1063/1.98055.

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Unbekannt

Improved quality Si‐on‐Si3N4structures by ion beam synthesis and lamp annealing (1987)

Reeson, K. J. ; Hemment, P. L. F. ; Meekison, C. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(26): 1882-1884. Published 1987 Jun 29. doi: 10.1063/1.97674.

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Unbekannt

Ion beam amorphization of YBa2Cu3Ox (1987)

Clark, G. J. ; LeGoues, F. K. ; Marwick, A. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(18): 1462-1464. Published 1987 Nov 02. doi: 10.1063/1.98658.

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Unbekannt

Lifetime measurements in semiconductors by infrared absorption due to pulsed optical excitation (1987)

Ling, Z. G. ; Ajmera, P. K. ; Anselment, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(18): 1445-1447. Published 1987 Nov 02. doi: 10.1063/1.98652.

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Carbon incorporation in metalorganic chemical vapor deposition (Al,Ga)As films grown on (100), (311)A, and (311)Boriented GaAs substrates (1987)

Tamamura, K. ; Ogawa, J. ; Akimoto, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(17): 1149-1151. Published 1987 Apr 27. doi: 10.1063/1.97945.

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Unbekannt

On the relative importance of physical and chemical sputtering during ion‐enhanced etching of silicon by XeF2 (1987)

Houle, F. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(25): 1838-1840. Published 1987 Jun 22. doi: 10.1063/1.97713.

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Publikationsdatum: 1987-06-22

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Unbekannt

Optically tuned, all‐semiconductor optical interference filter (1987)

Gourley, P. L. ; Biefeld, R. M. ; Johnson, P. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(17): 1310-1312. Published 1987 Oct 26. doi: 10.1063/1.98712.

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Unbekannt

Optically induced regeneration of the stable configuration of the EL2 defect in GaAs (1987)

von Bardeleben, H. J. ; Bagraev, N. T. ; Bourgoin, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(18): 1451-1453. Published 1987 Nov 02. doi: 10.1063/1.98654.

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Unbekannt

Water interaction with the superconducting YBa2Cu3O7phase (1987)

Yan, M. F. ; Barns, R. L. ; O’Bryan, H. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(7): 532-534. Published 1987 Aug 17. doi: 10.1063/1.98389.

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Unbekannt

Stability of nitrogen‐rich titanium nitride and zirconium nitride films (1986)

Salmenoja, K. ; Korhonen, A. S. ; Erola, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(9): 505-506. Published 1986 Sep 01. doi: 10.1063/1.97131.

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Unbekannt

Picosecond pulse generation ( (1987)

Arakawa, Y. ; Sogawa, T. ; Nishioka, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(17): 1295-1297. Published 1987 Oct 26. doi: 10.1063/1.98707.

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Publikationsdatum: 1987-10-26

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Unbekannt

Electric field induced refractive index changes in GaAs‐AlxGa1−xAs quantum wells (1987)

Hiroshima, Tohya

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(15): 968-970. Published 1987 Apr 13. doi: 10.1063/1.98001.

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Quantum‐confined Stark effect in InGaAs/InP quantum wells grown by organometallic vapor phase epitaxy (1987)

Bar‐Joseph, I. ; Klingshirn, C. ; Miller, D. A. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(15): 1010-1012. Published 1987 Apr 13. doi: 10.1063/1.97991.

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Space‐charge‐limited current in a miniaturized quadrupole channel (1987)

Thomae, R. W. ; Siebenlist, F. ; van Putten, A. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(15): 1013-1015. Published 1987 Apr 13. doi: 10.1063/1.97992.

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Implosion of sodium‐bearing capillary‐discharge plasmas for x‐ray laser experiments (1987)

Young, F. C. ; Stephanakis, S. J. ; Scherrer, V. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(16): 1053-1055. Published 1987 Apr 20. doi: 10.1063/1.97967.

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Effect of hydrogen on shallow dopants in crystalline silicon (1987)

Pantelides, Sokrates T.

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In: Applied Physics Letters. 1987; 50(15): 995-997. Published 1987 Apr 13. doi: 10.1063/1.97957.

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Phase‐locked shallow mesa graded barrier quantum well laser arrays (1986)

Mawst, L. J. ; Givens, M. E. ; Emanuel, M. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(20): 1337-1339. Published 1986 May 19. doi: 10.1063/1.96953.

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Kinetics of arsenic activation and clustering in high dose implanted silicon (1986)

Kamgar, Avid ; Baiocchi, F. A. ; Sheng, T. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(16): 1090-1092. Published 1986 Apr 21. doi: 10.1063/1.96607.

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Optically pumped mode‐locked PbS1−xSexlasers (1987)

Vilhelmsson, K. ; Valk, B. ; Salour, M. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(13): 807-808. Published 1987 Mar 30. doi: 10.1063/1.98051.

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Unbekannt

High‐temperature resistivity of the Ba2YCu3Oxsuperconductor (1987)

Grader, G. Sageev ; Gallagher, P. K. ; Gyorgy, E. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(14): 1115-1117. Published 1987 Oct 05. doi: 10.1063/1.98757.

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Unbekannt

Photoluminescence characterization of single heterojunction quantum well structures (1987)

Aina, O. ; Mattingly, M. ; Juan, F. Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(1): 43-45. Published 1987 Jan 05. doi: 10.1063/1.98121.

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Unbekannt

Thermionic emission model for the initial regime of silicon oxidation (1987)

Irene, E. A. ; Lewis, E. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(10): 767-769. Published 1987 Sep 07. doi: 10.1063/1.98861.

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Publikationsdatum: 1987-09-07

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Unbekannt

Nonperiodic power coupling in highly birefringent nonlinear optical fibers (1986)

Vatarescu, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(21): 1409-1411. Published 1986 Nov 24. doi: 10.1063/1.97337.

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Publikationsdatum: 1986-11-24

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Unbekannt

Single‐crystal, optical interference filters and integrated high reflector/photodiode using multilayers of GaP and GaAsxP1−x (1986)

Gourley, P. L. ; Biefeld, R. M. ; Zipperian, T. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(5): 242-244. Published 1986 Aug 04. doi: 10.1063/1.97619.

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Publikationsdatum: 1986-08-04

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Unbekannt

Formation ofp‐type GaAs layers using Mg+implantation and capless rapid thermal annealing (1986)

Masum Choudhury, A. N. M. ; Armiento, C. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(26): 1787-1789. Published 1986 Dec 29. doi: 10.1063/1.97191.

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Unbekannt

Direct and accurate measurement of etch rate of polymer films under far‐UV irradiation (1987)

Lazare, Sylvain ; Soulignac, Jean Claude ; Fragnaud, Pascal

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(10): 624-625. Published 1987 Mar 09. doi: 10.1063/1.98101.

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Publikationsdatum: 1987-03-09

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Unbekannt

Highly activated shallow Ga profiles in silicon obtained by implantation and rapid thermal annealing (1987)

Harrison, H. B. ; Iyer, S. S. ; Sai‐Halasz, G. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(13): 992-994. Published 1987 Sep 28. doi: 10.1063/1.98786.

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Unbekannt

Nature of the self‐limiting effect in the low‐pressure chemical vapor deposition of tungsten (1987)

Lifshitz, N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(13): 967-969. Published 1987 Sep 28. doi: 10.1063/1.98778.

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Unbekannt

Critical layer thickness in In0.2Ga0.8As/GaAs single strained quantum well structures (1987)

Fritz, I. J. ; Gourley, P. L. ; Dawson, L. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(13): 1004-1006. Published 1987 Sep 28. doi: 10.1063/1.98984.

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Unbekannt

Polarization and frequency control of a semiconductor laser with a new external cavity structure (1987)

Wakana, S. ; Shirasaki, M. ; Furukawa, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(22): 1547-1549. Published 1987 Jun 01. doi: 10.1063/1.97775.

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Unbekannt

Effect of thermodynamics on ion mixing (1987)

Workman, T. W. ; Cheng, Y. T. ; Johnson, W. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(21): 1485-1487. Published 1987 May 25. doi: 10.1063/1.98253.

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Unbekannt

Programmed magnetic field applied liquid encapsulated Czochralski crystal growth (1987)

Ozawa, Shoichi ; Kimura, Tadashi ; Kobayashi, Junji ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(6): 329-331. Published 1987 Feb 09. doi: 10.1063/1.98190.

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Publikationsdatum: 1987-02-09

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Unbekannt

Epitaxial growth of β‐SiC thin films on 6Hα‐SiC substrates via chemical vapor deposition (1986)

Kong, H. S. ; Glass, J. T. ; Davis, R. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(17): 1074-1076. Published 1986 Oct 27. doi: 10.1063/1.97479.

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Unbekannt

Electron beam induced current and cathodoluminescence study of the recombination activity of stacking faults and hillocks in hydride vapor phase epitaxy InP (1986)

Attolini, G. ; Frigeri, C. ; Pelosi, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(3): 167-169. Published 1986 Jul 21. doi: 10.1063/1.97213.

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Unbekannt

Photothermal modulation of the gap distance in scanning tunneling microscopy (1986)

Amer, Nabil M. ; Skumanich, Andrew ; Ripple, Dean

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(3): 137-139. Published 1986 Jul 21. doi: 10.1063/1.97203.

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High quality zinc sulfide epitaxial layers grown on (100) silicon by molecular beam epitaxy (1986)

Yokoyama, Meiso ; Kashiro, Ko‐ichi ; Ohta, Shin‐ichi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(7): 411-412. Published 1986 Aug 18. doi: 10.1063/1.97604.

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Unbekannt

Development and origin of conical structures on XeCl laser ablated polyimide (1986)

Dyer, P. E. ; Jenkins, S. D. ; Sidhu, J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(8): 453-455. Published 1986 Aug 25. doi: 10.1063/1.97113.

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Phase‐locked operation of a grating‐surface‐emitting diode laser array (1987)

Carlson, N. W. ; Evans, G. A. ; Hammer, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(19): 1301-1303. Published 1987 May 11. doi: 10.1063/1.98246.

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F2fuel performance in XeF lasers at ambient and elevated temperatures (1986)

Kimura, W. D. ; Moody, S. E. ; Seamans, J. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(5): 255-256. Published 1986 Aug 04. doi: 10.1063/1.97187.

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Unbekannt

Behavior of inversion layers in 3C silicon carbide (1986)

Avila, R. E. ; Kopanski, J. J. ; Fung, C. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(6): 334-336. Published 1986 Aug 11. doi: 10.1063/1.97159.

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Unbekannt

Oxide conductive coated cathodes for a sealed‐off CO2laser (1987)

Hsieh, Tai‐Chiung ; Lan, Yuan‐Liang

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(16): 1227-1229. Published 1987 Oct 19. doi: 10.1063/1.98738.

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Unbekannt

Excimer laserinsitutreatment of GaAs surfaces: Electrical properties of tungsten/GaAs diodes (1987)

Maki, P. A. ; Ehrlich, D. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(16): 1274-1276. Published 1987 Oct 19. doi: 10.1063/1.98703.

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Unbekannt

Effects of trichloroethane during oxide growth on radiation‐induced interface traps in Metal/SiO2/Si capacitors (1987)

da Silva, Eronides F. ; Nishioka, Yasushiro ; Ma, T.‐P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(16): 1262-1264. Published 1987 Oct 19. doi: 10.1063/1.98699.

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Widely separate wavelength switching of single quantum well laser diode by injection‐current control (1986)

Tokuda, Yasunori ; Tsukada, Noriaki ; Fujiwara, Kenzo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(24): 1629-1631. Published 1986 Dec 15. doi: 10.1063/1.97248.

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Unbekannt

Focused ion beam induced deposition of gold (1986)

Shedd, G. M. ; Lezec, H. ; Dubner, A. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(23): 1584-1586. Published 1986 Dec 08. doi: 10.1063/1.97287.

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New method to determine the carbon concentration in silicon (1986)

Weber, J. ; Singh, M.

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In: Applied Physics Letters. 1986; 49(23): 1617-1619. Published 1986 Dec 08. doi: 10.1063/1.97246.

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American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(21): 1465-1467. Published 1986 Nov 24. doi: 10.1063/1.97304.

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Amorphous SiN:H dielectrics with low density of defects (1986)

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In: Applied Physics Letters. 1986; 49(19): 1272-1274. Published 1986 Nov 10. doi: 10.1063/1.97383.

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Moloney, J. V. ; Ariyasu, J. ; Seaton, C. T. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1986; 48(13): 826-828. Published 1986 Mar 31. doi: 10.1063/1.96680.

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Theoretical study of the optimum performance of a two‐phase flow CO2gasdynamic laser (1987)

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American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(13): 789-791. Published 1987 Mar 30. doi: 10.1063/1.98045.

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New silicon‐on‐insulator technology using a two‐step oxidation technique (1986)

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In: Applied Physics Letters. 1986; 49(17): 1104-1106. Published 1986 Oct 27. doi: 10.1063/1.97435.

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1‐ns pulse‐generating, compact, low‐pressure N2lasers (1987)

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American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(14): 889-890. Published 1987 Apr 06. doi: 10.1063/1.98023.

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Ridge waveguide injection laser with a GaInAs strained‐layer quantum well (λ=1 μm) (1987)

Fischer, S. E. ; Fekete, D. ; Feak, G. B. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1987; 50(12): 714-716. Published 1987 Mar 23. doi: 10.1063/1.98076.

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In: Applied Physics Letters. 1987; 50(12): 757-759. Published 1987 Mar 23. doi: 10.1063/1.98036.

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Anomalous distance dependence in scanning tunneling microscopy (1986)

Bryant, A. ; Smith, D. P. E. ; Binnig, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(15): 936-938. Published 1986 Oct 13. doi: 10.1063/1.97489.

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Electron beam pumped lasing in ZnSe grown by molecular beam epitaxy (1987)

Potts, J. E. ; Smith, T. L. ; Cheng, H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(1): 7-9. Published 1987 Jan 05. doi: 10.1063/1.98130.

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Publikationsdatum: 1987-01-05

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Glow‐discharge‐implanted, thermally annealed, oxide‐passivated silicon solar cells of 19% efficiency (1987)

Westbrook, R. D. ; Wood, R. F. ; Jellison, G. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(8): 469-471. Published 1987 Feb 23. doi: 10.1063/1.98176.

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Efficient technique for calculating the bound and virtual energy spectrum of semiconductor structures (1987)

Schwartz, Carey

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(8): 457-459. Published 1987 Feb 23. doi: 10.1063/1.98172.

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Unbekannt

Growth and dissolution of oxide films during laser‐assisted combustion of Ti and Zr (1987)

Ursu, I. ; Mihailescu, I. N. ; Nistor, L. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(10): 563-565. Published 1987 Mar 09. doi: 10.1063/1.98135.

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Publikationsdatum: 1987-03-09

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Unbekannt

Electrostatic lenses with very small spherical aberration (1986)

Szilagyi, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(13): 767-769. Published 1986 Sep 29. doi: 10.1063/1.97541.

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Publikationsdatum: 1986-09-29

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Unbekannt

Zn diffusion in InP: Effect of substrate dopant concentration (1986)

Serreze, H. B. ; Marek, H. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(4): 210-211. Published 1986 Jul 28. doi: 10.1063/1.97173.

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Publikationsdatum: 1986-07-28

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Unbekannt

Evidence of a charge induced contribution to the sputtering yield of insulating and semiconducting materials (1986)

Eccles, A. J. ; van den Berg, J. A. ; Brown, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(4): 188-190. Published 1986 Jul 28. doi: 10.1063/1.97165.

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Unbekannt

Molecular beam epitaxial growth of a novel strained‐layer superlattice system: CdTe‐ZnTe (1986)

Monfroy, G. ; Sivananthan, S. ; Chu, X. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(3): 152-154. Published 1986 Jul 21. doi: 10.1063/1.97208.

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Unbekannt

Effects of 450 °C thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily B‐ and Sb‐doped Czochralski Si (1987)

Hahn, S. ; Arst, M. ; Rek, Z. U. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(7): 401-403. Published 1987 Feb 16. doi: 10.1063/1.98212.

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Publikationsdatum: 1987-02-16

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Unbekannt

Upper critical fields and high superconducting transition temperatures of La1.85Sr0.15CuO4 and La1.85Ba0.15CuO4 (1987)

Capone, D. W. ; Hinks, D. G. ; Jorgensen, J. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(9): 543-544. Published 1987 Mar 02. doi: 10.1063/1.98154.

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Unbekannt

X‐ray characterization of surface and bulk structures of sputtered iron oxide thin film (1987)

Huang, T. C. ; York, B. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(7): 389-391. Published 1987 Feb 16. doi: 10.1063/1.98208.

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Unbekannt

Measurement of radiative, Auger, and nonradiative currents in 1.3‐μm InGaAsP buried heterostructure lasers (1987)

Olshansky, Robert ; LaCourse, Joanne ; Chow, Terrance ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(6): 310-312. Published 1987 Feb 09. doi: 10.1063/1.98234.

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Unbekannt

Ultrasensitive coherent Raman technique with picosecond lasers (1987)

Schauer, M. W. ; Pellin, M. J. ; Biwer, B. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(7): 371-373. Published 1987 Feb 16. doi: 10.1063/1.98202.

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Unbekannt

Low‐threshold high‐efficiency AlGaAs‐GaAs double‐heterostructure injection lasers grown on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition (1987)

Dupuis, R. D. ; van der Ziel, J. P. ; Logan, R. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(7): 407-409. Published 1987 Feb 16. doi: 10.1063/1.98185.

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92

Unbekannt

Base transport dynamics in a heterojunction bipolar transistor (1986)

Hayes, J. R. ; Levi, A. F. J. ; Gossard, A. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(21): 1481-1483. Published 1986 Nov 24. doi: 10.1063/1.97309.

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Unbekannt

Observation of resonant tunneling through GaAs quantum well states confined by AlAsX‐point barriers (1987)

Bonnefoi, A. R. ; McGill, T. C. ; Burnham, R. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(6): 344-346. Published 1987 Feb 09. doi: 10.1063/1.98195.

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Unbekannt

Photopumped laser operation of AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well heterostructures with Se and Mg sheet doping (1986)

Kaliski, R. W. ; Holonyak, N. ; Hsieh, K. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1390-1392. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97333.

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Unbekannt

Epitaxial Hg1−xCdxTe growth by low‐temperature metalorganic chemical vapor deposition (1986)

Lu, P.‐Y. ; Wang, C.‐H. ; Williams, L. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1372-1374. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97328.

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Unbekannt

Transport and persistent photoconductivity in InGaAs/InP single quantum wells (1986)

Anderson, D. A. ; Bass, S. J. ; Kane, M. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1360-1362. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97324.

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Unbekannt

Measurements of the critical resolved shear stress for indium‐doped and undoped GaAs single crystals (1986)

Tabache, M. G. ; Bourret, E. D. ; Elliot, A. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(5): 289-291. Published 1986 Aug 04. doi: 10.1063/1.97144.

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Unbekannt

Diffusion model for the laser oxidation of metallic samples in air (1986)

Ursu, I. ; Nanu, L. ; Mihăilescu, I. N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(2): 109-111. Published 1986 Jul 14. doi: 10.1063/1.97401.

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Unbekannt

Observation of valence‐band discontinuity of hydrogenated amorphous silicon/hydrogenated amorphous silicon carbide heterojunction by photocurrent‐voltage measurements (1987)

Okayasu, Yoshinobu ; Fukui, Keitaro ; Matsumura, Mitsuo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(5): 248-249. Published 1987 Feb 02. doi: 10.1063/1.98242.

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Publikationsdatum: 1987-02-02

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Use of tertiarybutylarsine in the metalorganic chemical vapor deposition growth of GaAs (1987)

Lum, R. M. ; Klingert, J. K. ; Lamont, M. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(5): 284-286. Published 1987 Feb 02. doi: 10.1063/1.98226.

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