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Unbekannt

Modulation of quantized levels of GaAs/AlGaAs quantum wells by InAs monomolecular plane insertion (1990)

Sato, Michio ; Horikoshi, Yoshiji

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1555-1557. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103172.

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Publikationsdatum: 1990-04-16

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Photoluminescence characteristics of AlGaN‐GaN‐AlGaN quantum wells (1990)

Khan, M. A. ; Skogman, R. A. ; Van Hove, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(13): 1257-1259. Published 1990 Mar 26. doi: 10.1063/1.102530.

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Influence of the impurity concentration on charge carrier dynamics in GaAs films (1990)

Werner, A. ; Kunst, M. ; Moustakas, T. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1558-1560. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103152.

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Study of cooling of hot carriers and intervalley scattering in In0.53Ga0.47As by subpicosecond Raman scattering (1990)

Kim, D. S. ; Yu, P. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1570-1572. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103133.

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Influences of trace metal impurities on the thermal quenching of photoluminescence in hydrogenated amorphous silicon by homogeneous chemical vapor deposition (1990)

Qian, Z. M. ; Nijs, J. ; Michiel, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1591-1593. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103137.

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Pressure‐dependent transition in the mechanism of remote plasma SiNxdeposition (1990)

Meikle, Scott ; Hatanaka, Yoshinori

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 762-764. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.104259.

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Selectively doped double‐heterojunction lateral current injection ridge waveguide AlGaAs/GaAs laser (1990)

Yasuhira, N. ; Suemune, I. ; Kan, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1391-1393. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.102477.

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Epitaxial Tl2CaBa2Cu2O8thin films with low 9.6 GHz surface resistance at high power and above 77 K (1990)

Hammond, R. B. ; Negrete, G. V. ; Bourne, L. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 825-827. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.104262.

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Infrared optical characterization of InAs/Ga1−xInxSb superlattices (1990)

Miles, R. H. ; Chow, D. H. ; Schulman, J. N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 801-803. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103425.

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S‐bend loss in disorder‐delineated GaAs heterostructure laser waveguides with native and blue shifted active regions (1990)

Tang, T. ; Swanson, P. ; Herzinger, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 741-743. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103431.

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GaAs‐AlAs low‐voltage refractive modulator operating at 1.06 μm (1990)

Goossen, K. W. ; Cunningham, J. E. ; Jan, W. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 744-746. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103432.

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Interaction between growing amorphous silicon and glass substrate evidenced byinsituinfrared ellipsometry (1990)

Blayo, N. ; Drévillon, B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 786-788. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103420.

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Electroluminescence and high‐field domains in GaAs/AlGaAs superlattices (1990)

Helm, M. ; Golub, J. E. ; Colas, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1356-1358. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102513.

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Unbekannt

Effect of substrates and film thickness on the structural, optical, and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon films (1990)

Hishikawa, Yoshihiro ; Tsuge, Sadaji ; Nakamura, Noboru ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 771-773. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103416.

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Unbekannt

Measurement of the x‐ray power from transition radiators (1990)

Piestrup, M. A. ; Moran, M. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1421-1423. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103179.

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Unbekannt

Fabrication of thin‐film‐type Josephson junctions using a Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O /Bi‐Sr‐Cu‐O/Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O structure (1990)

Mizuno, K. ; Higashino, K. ; Setsune, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1469-1471. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103173.

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Unbekannt

Epitaxial growth of Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O superconducting thin films by metalorganic chemical vapor deposition (1990)

Sugimoto, T. ; Yoshida, M. ; Yamaguchi, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 928-930. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.104269.

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Unbekannt

Electronic transitions in a SimGenstrained monolayer superlattice measured by photoreflectance (1990)

Dafesh, P. A. ; Arbet, V. ; Wang, K. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1498-1500. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103158.

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Unbekannt

Synthesis of YBa2Cu4O8at one atmosphere oxygen pressure by the modified citrate gel process (1990)

Liu, R. S. ; Janes, R. ; Bennett, M. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 920-921. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.104267.

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Unbekannt

Electrical properties of the interface between YBa2Cu3Oxfilms and various substrates (1990)

Ying, Q. Y. ; Kwok, H. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1478-1480. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103208.

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Unbekannt

Anisotropic Josephson junctions of Y‐Ba‐Cu‐O/Au/Nb film sandwiches (1990)

Akoh, H. ; Camerlingo, C. ; Takada, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1487-1489. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103156.

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Unbekannt

Photoconductivity of chemically deposited CdS:Y films (1990)

Bhushan, S. ; Sharma, S. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 884-886. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.104093.

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Unbekannt

H−production from a barium converter with different discharge configurations (1990)

van Os, C. F. A. ; Leung, K. N. ; Kunkel, W. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 861-863. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.103389.

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Unbekannt

Direct observation of glide dislocations in a KCl crystal by the light scattering method (1990)

Kataoka, T. ; Ohji, H. ; Kishida, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1317-1319. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102504.

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Unbekannt

Integrated‐optic polarization controller with unlimited transformation range (1990)

Heismann, F. ; Divino, M. D. ; Buhl, L. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 855-857. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.103387.

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Unbekannt

Intense charged‐particle emission in a diffuse vacuum discharge (1990)

Gundel, H. ; Riege, H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1532-1534. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103166.

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Unbekannt

Effect of Lorentz force on thermally activated processes of flux lines in a Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O film (1990)

Takamura, S. ; Hoshiya, T. ; Aruga, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1582-1584. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103135.

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Strong flux pinning centers in Y‐Ba‐Cu‐O films prepared by chemical vapor deposition (1990)

Watanabe, K. ; Matsushita, T. ; Kobayashi, N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1490-1492. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103211.

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Unbekannt

High‐efficiency DF‐CO2pulsed chemical laser (1990)

Dreiling, T. D. ; McGann, R. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1397-1399. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.102479.

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Unbekannt

Influence of substrate temperature on the orientation of YBa2Cu3O7films (1990)

Shi, W. ; Shi, J. ; Sun, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 822-824. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.104261.

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Unbekannt

Frequency stabilization of a 612 nm He‐Ne laser in a transverse magnetic field (1990)

Eom, Cheon Il ; Eom, Tae Bong ; Chung, Myung Sai

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 739-740. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.104101.

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Effects of rapid thermal annealing and SiO2encapsulation on GaInAs/AlInAs heterostructures (1990)

O’Brien, S. ; Shealy, J. R. ; Bour, D. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1365-1367. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.103204.

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Directional etching of Si with perfect selectivity to SiO2using an ultraclean electron cyclotron resonance plasma (1990)

Matsuura, Takashi ; Uetake, Hiroaki ; Ohmi, Tadahiro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1339-1341. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.103203.

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Unbekannt

High electrical resistivity diamond films deposited from an oxyacetylene flame (1990)

Tzeng, Y. ; Tin, C. C. ; Phillips, R. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 789-791. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103421.

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Blue Stark shift in modulation strained InGaAs/InP quantum wells (1990)

Gershoni, D. ; Hamm, R. A. ; Panish, M. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1347-1349. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102510.

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Low‐temperature reordering in partially amorphized Si crystals (1990)

Priolo, Francesco ; Battaglia, Anna ; Nicotra, Ruggero ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 768-770. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103415.

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Periodic surface structures in the excimer laser ablative etching of polymers (1990)

Dyer, P. E. ; Farley, R. J.

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In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 765-767. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103414.

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Persistent magnetic fields trapped in highTcsuperconductor (1990)

Weinstein, R. ; Chen, In‐Gann ; Liu, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1475-1477. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103207.

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Quantum well superluminescent diode with very wide emission spectrum (1990)

Chen, T. R. ; Eng, L. ; Zhuang, Y. H. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1345-1346. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102509.

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Karunasiri, R. P. G. ; Park, J. S. ; Wang, K. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1342-1344. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102508.

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Surface‐enhanced Raman spectroscopy of chemical vapor deposited diamond films (1990)

Knight, Diane S. ; Weimer, Ronald ; Pilione, Lawrence ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1320-1322. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102505.

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Time‐resolved luminescence of GaAs/AlGaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy on misoriented substrates (1990)

Colocci, M. ; Gurioli, M. ; Vinattieri, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 783-785. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103419.

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Can barriers with inverted tunneling rates lead to subband population inversion? (1990)

Helm, M. ; Allen, S. J.

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In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1368-1370. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.102516.

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Dynamic optoelectronic read/write memory (1990)

Nottenburg, R. N. ; Levi, A. F. J. ; Tanbun‐Ek, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1501-1503. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103159.

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Behavior of high dose O+‐implanted Si/Ge/Si structures (1990)

Zhang, J. P. ; Tang, Y. S. ; Robinson, A. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 890-892. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.103395.

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Focused ion beam channeling effects and ultimate sizes of GaAlAs/GaAs nanostructures (1990)

Laruelle, F. ; Bagchi, A. ; Tsuchiya, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1561-1563. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103153.

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Sputtered BiPbSrCaCuO films on polycrystalline CuO substrates (1990)

Das, S. K. ; Suryanarayanan, R. ; Gorochov, O.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1496-1497. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.103212.

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Unbekannt

Anomalous silicon and tin doping behavior in indium phosphide grown by chemical beam epitaxy (1990)

Skevington, P. J. ; Andrews, D. A. ; Davies, G. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1546-1548. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103170.

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Unbekannt

Measurement of cw HF laser resonant degenerate four‐wave mixing in an absorbing HF gas (1990)

Coffer, J. G. ; Chodzko, R. A. ; Bernard, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1524-1525. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103163.

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Unbekannt

Semiconductor lasers with uniform longitudinal intensity distribution (1990)

Schrans, Thomas ; Yariv, Amnon

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1526-1528. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103164.

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Unbekannt

Femtosecond excited‐state dynamics of polydiacetylene (1990)

Huxley, J. M. ; Mataloni, P. ; Schoenlein, R. W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1600-1602. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103140.

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Unbekannt

Planar stress relaxation in solid phase epitaxial CaF2films grown on (111)Si byinsiturapid isothermal processing (1990)

Singh, R. ; Kumar, A. ; Thakur, R. P. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1567-1569. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103215.

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Unbekannt

Preparation of the Tl‐Ba‐Ca‐Cu‐O thick film by processing the screen‐printed Ba‐Ca‐Cu‐O film in Tl2O3vapor (1990)

Zeng, Lingwen ; Zhao, Zijiang ; Zhang, Li ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1990; 56(16): 1573-1575. Published 1990 Apr 16. doi: 10.1063/1.103216.

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Unbekannt

As‐grown superconducting thin films of Bi(Pb)‐Sr‐Ca‐Cu‐O by magnetron sputtering (1990)

Hakuraku, Y. ; Higo, S. ; Ogushi, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 925-927. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.103383.

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Unbekannt

Single and double quantum well lasers with a monolithically integrated passive section (1990)

Werner, J. ; Lee, T. P. ; Kapon, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 810-812. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103428.

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Unbekannt

Etching of SiO2in an electron cyclotron resonance argon plasma (1990)

Salimian, S. ; Cooper, C. B. ; Ellingboe, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(14): 1311-1313. Published 1990 Apr 02. doi: 10.1063/1.103198.

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Unbekannt

Cross‐section transmission electron microscopy study of carbon‐implanted layers in silicon (1990)

Wong, H. ; Lou, J. ; Cheung, N. W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(8): 798-800. Published 1990 Aug 20. doi: 10.1063/1.103424.

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Unbekannt

Laser desorption mass spectra of YBa2Cu3O7−x (1990)

Chen, C. H. ; Murphy, T. M. ; Phillips, R. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 937-939. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.104272.

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Unbekannt

Low‐temperature silicon cleaning via hydrogen passivation and conditions for epitaxy (1990)

Iyer, S. S. ; Arienzo, M. ; de Frésart, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(9): 893-895. Published 1990 Aug 27. doi: 10.1063/1.103396.

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Unbekannt

Injection and drift of a positively charged hydrogen species inp‐type GaAs (1990)

Tavendale, A. J. ; Pearton, S. J. ; Williams, A. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(15): 1457-1459. Published 1990 Apr 09. doi: 10.1063/1.102497.

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Unbekannt

Formation of titanium nitride layers by the nitridation of titanium in high‐pressure ammonium ambient (1990)

Hara, Tohru ; Tani, Kouichi ; Inoue, Ken ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(16): 1660-1662. Published 1990 Oct 15. doi: 10.1063/1.104078.

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Unbekannt

High‐current lattice‐strained In0.59Ga0.41As/In0.52Al0.48As modulation‐doped field‐effect transistors grown by molecular beam epitaxy (1990)

Kuang, J. B. ; Chen, Y. K. ; Sivco, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(17): 1784-1786. Published 1990 Oct 22. doi: 10.1063/1.104041.

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Unbekannt

Ultrahigh Au/p‐GaAs Schottky barriers due to plasma hydrogenation (1990)

Ashok, S. ; Wang, Y. G. ; Nakagawa, O. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(15): 1560-1562. Published 1990 Oct 08. doi: 10.1063/1.103353.

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Unbekannt

Ultraclean, integrated processing of thermal oxide structures (1990)

Offenberg, M. ; Liehr, M. ; Rubloff, G. W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(12): 1254-1256. Published 1990 Sep 17. doi: 10.1063/1.103501.

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Unbekannt

Nematic liquid crystal modulator with response time less than 100 μs at room temperature (1990)

Wu, Shin‐Tson

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(10): 986-988. Published 1990 Sep 03. doi: 10.1063/1.103533.

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Unbekannt

Optical beam deflection signal from a single microparticle (1990)

Wu, Jiaqi ; Kitamori, Takehiko ; Sawada, Tsuguo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(1): 22-24. Published 1990 Jul 02. doi: 10.1063/1.103569.

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Unbekannt

cw laser irradiation of GaAs: Arsenic formation and photoluminescence degradation (1990)

Campbell, I. H. ; Fauchet, P. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(1): 10-12. Published 1990 Jul 02. doi: 10.1063/1.103564.

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Erratum: Particulates reduction in laser‐ablated YBa2Cu3O7−δ thin films by laser‐induced plume heating [Appl. Phys. Lett. 56, 2144 (1990)] (1990)

Koren, G. ; Baseman, R. J. ; Gupta, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(11): 1169-1169. Published 1990 Sep 10. doi: 10.1063/1.104289.

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Unbekannt

Erratum: Josephson weak links in thin films of YBa2Cu3O7−x induced by electrical pulses [Appl. Phys. Lett. 56, 2240 (1990)] (1990)

Robbes, D. ; Miklich, A. H. ; Kingston, J. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(11): 1169-1169. Published 1990 Sep 10. doi: 10.1063/1.104088.

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Unbekannt

Bistable conditions for low‐temperature silicon epitaxy (1990)

Meyerson, Bernard S. ; Himpsel, Franz J. ; Uram, Kevin J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(10): 1034-1036. Published 1990 Sep 03. doi: 10.1063/1.103557.

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Unbekannt

Hydrogen annealing of PtSi‐Si Schottky barrier contacts (1990)

Tsaur, B‐Y. ; Mattia, J. P. ; Chen, C. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(11): 1111-1113. Published 1990 Sep 10. doi: 10.1063/1.103507.

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Unbekannt

Influence of surface topography on depth profiles obtained with secondary‐ion mass spectrometry (1990)

Walker, A. J. ; Borchert, M. T. ; Vriezema, C. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(22): 2371-2373. Published 1990 Nov 26. doi: 10.1063/1.103874.

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Unbekannt

Ion beam induced conductivity in chemically vapor deposited diamond films (1990)

Prawer, S. ; Hoffman, A. ; Kalish, R.

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In: Applied Physics Letters. 1990; 57(21): 2187-2189. Published 1990 Nov 19. doi: 10.1063/1.103931.

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Unbekannt

Microstructure of epitaxial YBa2Cu3O7−xthin films grown on LaAlO3 (001) (1990)

Hsieh, Yong‐Fen ; Siegal, Michael P. ; Hull, Robert ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(21): 2268-2270. Published 1990 Nov 19. doi: 10.1063/1.104165.

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Unbekannt

High‐energy (56 MeV) oxygen implantation in Si, GaAs, and InP (1990)

Pearton, S. J. ; Jalali, B. ; Poate, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(21): 2253-2255. Published 1990 Nov 19. doi: 10.1063/1.103906.

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Unbekannt

Observation of Lomer–Cottrell locks in SiGe strained layers (1990)

Ferret, P. ; Robinson, B. J. ; Thompson, D. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(21): 2220-2221. Published 1990 Nov 19. doi: 10.1063/1.103896.

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Unbekannt

High‐energy argon‐ion implantation for waveguide formation in (AlGa)As/GaAs multilayers (1990)

Myers, D. R. ; Lee, Kyu ; Hausken, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(20): 2051-2053. Published 1990 Nov 12. doi: 10.1063/1.104115.

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78

Unbekannt

Novel electron interferometers using field‐induced decoupling in double quantum well structures (1990)

Okuda, Masahiro ; Fujii, Kazuhito ; Shimizu, Akira

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(21): 2231-2233. Published 1990 Nov 19. doi: 10.1063/1.103900.

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Unbekannt

Conduction‐band minima of InP: Ordering and absolute energies (1990)

Zollner, Stefan ; Schmid, Uwe ; Christensen, Niels E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(22): 2339-2341. Published 1990 Nov 26. doi: 10.1063/1.103886.

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80

Unbekannt

Characterization of rapid thermally nitrided SiO2/Si interface by the conductance technique (1990)

Liu, Z. H. ; Lai, P. T. ; Cheng, Y. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(21): 2217-2219. Published 1990 Nov 19. doi: 10.1063/1.104161.

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Unbekannt

Fission‐fragment‐excited lasing at 585.3 nm in He/Ne/Ar gas mixtures (1990)

Hebner, G. A. ; Hays, G. N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(21): 2175-2177. Published 1990 Nov 19. doi: 10.1063/1.103926.

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Unbekannt

Reactive partially ionized beam deposition of BaTiO3thin films (1990)

Li, P. ; Lu, T.‐M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(22): 2336-2338. Published 1990 Nov 26. doi: 10.1063/1.104169.

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83

Unbekannt

Improvement of the KrF(B→X) excimer lamp with 248 and 193 nm dual wavelength emission using an Ar buffer (1990)

Nakamura, Ichiro ; Kannari, Fumihiko ; Obara, Minoru

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(20): 2057-2059. Published 1990 Nov 12. doi: 10.1063/1.103939.

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84

Unbekannt

Vapor phase hydrocarbon removal for Si processing (1990)

Kasi, Srinandan R. ; Liehr, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(20): 2095-2097. Published 1990 Nov 12. doi: 10.1063/1.103952.

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85

Unbekannt

Etching characteristics of Si1−xGexalloy in ammoniac wet cleaning (1990)

Koyama, Kazuhisa ; Hiroi, Masayuki ; Tatsumi, Toru ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(21): 2202-2204. Published 1990 Nov 19. doi: 10.1063/1.103912.

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86

Unbekannt

Exciton saturation in electrically biased quantum wells (1990)

Fox, A. M. ; Miller, D. A. B. ; Livescu, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(22): 2315-2317. Published 1990 Nov 26. doi: 10.1063/1.104113.

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Unbekannt

Enhancement of lateral solid phase epitaxy over SiO2using a densified and thinned amorphous Si layer (1990)

Kusukawa, K. ; Moniwa, M. ; Ohkura, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(6): 560-562. Published 1990 Feb 05. doi: 10.1063/1.103301.

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88

Unbekannt

Investigation of the temperature dependence of the threshold current density of GaInP/AlGaInP double‐heterostructure lasers (1990)

Hagen, S. H. ; Valster, A. ; Boermans, M. J. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(22): 2291-2293. Published 1990 Nov 26. doi: 10.1063/1.103891.

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89

Unbekannt

Fast bolometric response by highTcdetectors measured with subnanosecond synchrotron radiation (1990)

Carr, G. L. ; Quijada, M. ; Tanner, D. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(25): 2725-2727. Published 1990 Dec 17. doi: 10.1063/1.103772.

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90

Unbekannt

Optical reflectivity and amorphization of GaAs during decompression from megabar pressures (1990)

Vohra, Yogesh K. ; Xia, Hui ; Ruoff, Arthur L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(25): 2666-2668. Published 1990 Dec 17. doi: 10.1063/1.103795.

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91

Unbekannt

Wafer fusion: A novel technique for optoelectronic device fabrication and monolithic integration (1990)

Liau, Z. L. ; Mull, D. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(8): 737-739. Published 1990 Feb 19. doi: 10.1063/1.102697.

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92

Unbekannt

Dielectric‐assisted liftoff technique for the formation and monolithic integration of electronic and optical devices (1990)

Metze, G. M. ; Cornfeld, A. B. ; Laux, P. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(24): 2576-2578. Published 1990 Dec 10. doi: 10.1063/1.103820.

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93

Unbekannt

Mechanism for efficient blue second‐harmonic generation in periodically segmented waveguides (1990)

Khurgin, J. ; Colak, S. ; Stolzenberger, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(24): 2540-2542. Published 1990 Dec 10. doi: 10.1063/1.103849.

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Unbekannt

High transconductance and large peak‐to‐valley ratio of negative differential conductance in three‐terminal InGaAs/InAlAs real‐space transfer devices (1990)

Mensz, Piotr M. ; Garbinski, Paul A. ; Cho, Alfred Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(24): 2558-2560. Published 1990 Dec 10. doi: 10.1063/1.103816.

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Unbekannt

Insitudeposition of superconducting Bi‐Pb‐Sr‐Ca‐Cu‐O thin films on MgO(100) substrates by rf magnetron sputtering and laser ablation (1990)

Moodera, J. S. ; Rao, A. M. ; Kussmaul, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 57(23): 2498-2500. Published 1990 Dec 03. doi: 10.1063/1.103839.

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Publikationsdatum: 1990-12-03

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96

Unbekannt

High‐power operation of heterobarrier blocking structure InGaAlP visible light laser diodes (1990)

Itaya, K. ; Watanabe, Y. ; Ishikawa, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(18): 1718-1719. Published 1990 Apr 30. doi: 10.1063/1.103125.

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Unbekannt

Kinetics of silicon epitaxy using SiH4in a rapid thermal chemical vapor deposition reactor (1990)

Liehr, M. ; Greenlief, C. M. ; Kasi, S. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(7): 629-631. Published 1990 Feb 12. doi: 10.1063/1.102719.

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98

Unbekannt

Velocity electric field relationship for minority electrons in highly dopedp‐GaAs (1990)

Furuta, T. ; Tomizawa, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(9): 824-826. Published 1990 Feb 26. doi: 10.1063/1.102674.

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Publikationsdatum: 1990-02-26

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99

Unbekannt

Selective dry etching of InGaAs and InP over AlInAs in CH4/H2/SF6 (1990)

Pearton, S. J. ; Hobson, W. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(22): 2186-2188. Published 1990 May 28. doi: 10.1063/1.102963.

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Unbekannt

Integrated optic front end for polarization diversity reception (1990)

Shani, Yosi ; Henry, Charles H. ; Kistler, Rodney C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1990; 56(21): 2092-2093. Published 1990 May 21. doi: 10.1063/1.102982.

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Publikationsdatum: 1990-05-21

Print ISSN: 0003-6951

Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

Publiziert von American Institute of Physics

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