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Unbekannt

Tunneling in In0.53Ga0.47As‐InP double‐barrier structures (1987)

Vuong, T. H. H. ; Tsui, D. C. ; Tsang, W. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(4): 212-214. Published 1987 Jan 26. doi: 10.1063/1.97664.

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Effect of substrate tilting on molecular beam epitaxial grown AlGaAs/GaAs lasers having very low threshold current densities (1987)

Chen, H. Z. ; Ghaffari, A. ; Morkoç, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(25): 2094-2096. Published 1987 Dec 21. doi: 10.1063/1.98958.

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Plasma‐enhanced deposition of high‐quality epitaxial silicon at low temperatures (1987)

Comfort, James H. ; Reif, Rafael

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(24): 2016-2018. Published 1987 Dec 14. doi: 10.1063/1.98278.

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Electron mobility inp‐GaAs by time of flight (1987)

Ahrenkiel, R. K. ; Dunlavy, D. J. ; Greenberg, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(10): 776-778. Published 1987 Sep 07. doi: 10.1063/1.98864.

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Nonselective etching of GaAs/AlGaAs double heterostructure laser facets by Cl2reactive ion etching in a load‐locked system (1987)

Vawter, G. Allen ; Coldren, Larry A. ; Merz, James L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(10): 719-721. Published 1987 Sep 07. doi: 10.1063/1.98899.

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Preparation of superconducting thin films of Ba2YCu3O7by a novel spin‐on pyrolysis technique (1987)

Rice, C. E. ; van Dover, R. B. ; Fisanick, G. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(22): 1842-1844. Published 1987 Nov 30. doi: 10.1063/1.98488.

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Effects of coherency strain on the band gap of pseudomorphic InxGa1−xAs on (001) InP (1987)

People, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(22): 1604-1606. Published 1987 Jun 01. doi: 10.1063/1.97794.

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High efficiency, multiple layer ZnO acoustic transducers at millimeter‐wave frequencies (1987)

Hadimioglu, B. ; La Comb, L. J. ; Wright, D. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(23): 1642-1644. Published 1987 Jun 08. doi: 10.1063/1.97754.

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Erratum: Ultrafast absorption recovery due to stimulated emission in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells [Appl. Phys. Lett. 50, 821 (1987)] (1987)

Dubard, J. ; Oudar, J. L. ; Alexandre, F. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1987; 50(23): 1696-1696. Published 1987 Jun 08. doi: 10.1063/1.98270.

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Arsenic‐dopedp‐CdTe layers grown by organometallic vapor phase epitaxy (1987)

Ghandhi, S. K. ; Taskar, N. R. ; Bhat, I. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(14): 900-902. Published 1987 Apr 06. doi: 10.1063/1.98027.

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Diffraction effects in a diode array traveling‐wave amplifier (1987)

Andrews, John R. ; Paoli, T. L. ; Burnham, R. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(21): 1676-1678. Published 1987 Nov 23. doi: 10.1063/1.98540.

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Charge trapping in thin nitrided SiO2films (1987)

Severi, Maurizio ; Impronta, Maurizio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(21): 1702-1704. Published 1987 Nov 23. doi: 10.1063/1.98549.

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Interdiffusion behavior of HgTe‐CdTe junctions (1987)

Tang, Mei‐Fan S. ; Stevenson, David A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(18): 1272-1274. Published 1987 May 04. doi: 10.1063/1.97881.

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Compound formation at the interface between cobalt thin films and single‐crystal GaAs (1987)

Genut, M. ; Eizenberg, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(19): 1358-1360. Published 1987 May 11. doi: 10.1063/1.97855.

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Unbekannt

Ga0.47In0.53As/InP superlattice avalanche photodiode grown by metalorganic chemical vapor deposition (1987)

Beltram, F. ; Allam, J. ; Capasso, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(17): 1170-1172. Published 1987 Apr 27. doi: 10.1063/1.97952.

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Heteroepitaxial growth of CdTe on InSb by metalorganic chemical vapor deposition (1987)

Sugiura, O. ; Tanaka, Y. ; Shiina, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(19): 1515-1517. Published 1987 Nov 09. doi: 10.1063/1.98620.

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Unbekannt

Proposal for three‐dimensional internal field mapping by cw electro‐optic probing (1987)

Lo, Y. H. ; Wu, M. C. ; Zhu, Z. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(25): 1791-1793. Published 1987 Jun 22. doi: 10.1063/1.97698.

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Unbekannt

Magnetic and structural properties of melt‐spun erbium‐iron‐boron ribbons (1987)

Meisner, G. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(2): 116-117. Published 1987 Jan 12. doi: 10.1063/1.97870.

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Unbekannt

Thin films of amorphous MoO3as a negative resist (1987)

Gupta, P. K. ; Chopra, K. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(19): 1527-1529. Published 1987 Nov 09. doi: 10.1063/1.98624.

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Unbekannt

Optical properties of general twisted nematic liquid‐crystal displays (1987)

Ong, Hiap Liew

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(18): 1398-1400. Published 1987 Nov 02. doi: 10.1063/1.98688.

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Unbekannt

Ultrafast absorption recovery due to stimulated emission in GaAs/AlGaAs multiple quantum wells (1987)

Dubard, J. ; Oudar, J. L. ; Alexandre, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(13): 821-823. Published 1987 Mar 30. doi: 10.1063/1.98055.

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Publikationsdatum: 1987-03-30

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Unbekannt

Improved quality Si‐on‐Si3N4structures by ion beam synthesis and lamp annealing (1987)

Reeson, K. J. ; Hemment, P. L. F. ; Meekison, C. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(26): 1882-1884. Published 1987 Jun 29. doi: 10.1063/1.97674.

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Unbekannt

Ion beam amorphization of YBa2Cu3Ox (1987)

Clark, G. J. ; LeGoues, F. K. ; Marwick, A. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(18): 1462-1464. Published 1987 Nov 02. doi: 10.1063/1.98658.

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Unbekannt

Lifetime measurements in semiconductors by infrared absorption due to pulsed optical excitation (1987)

Ling, Z. G. ; Ajmera, P. K. ; Anselment, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(18): 1445-1447. Published 1987 Nov 02. doi: 10.1063/1.98652.

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Unbekannt

Effect of Fe on the carrier instability in HgSe (1985)

Vaziri, M. ; Debska, U. ; Reifenberger, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(4): 407-409. Published 1985 Aug 15. doi: 10.1063/1.96127.

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Unbekannt

Carbon incorporation in metalorganic chemical vapor deposition (Al,Ga)As films grown on (100), (311)A, and (311)Boriented GaAs substrates (1987)

Tamamura, K. ; Ogawa, J. ; Akimoto, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(17): 1149-1151. Published 1987 Apr 27. doi: 10.1063/1.97945.

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Unbekannt

On the relative importance of physical and chemical sputtering during ion‐enhanced etching of silicon by XeF2 (1987)

Houle, F. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(25): 1838-1840. Published 1987 Jun 22. doi: 10.1063/1.97713.

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Unbekannt

Optically tuned, all‐semiconductor optical interference filter (1987)

Gourley, P. L. ; Biefeld, R. M. ; Johnson, P. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(17): 1310-1312. Published 1987 Oct 26. doi: 10.1063/1.98712.

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Unbekannt

Optically induced regeneration of the stable configuration of the EL2 defect in GaAs (1987)

von Bardeleben, H. J. ; Bagraev, N. T. ; Bourgoin, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(18): 1451-1453. Published 1987 Nov 02. doi: 10.1063/1.98654.

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Unbekannt

Water interaction with the superconducting YBa2Cu3O7phase (1987)

Yan, M. F. ; Barns, R. L. ; O’Bryan, H. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(7): 532-534. Published 1987 Aug 17. doi: 10.1063/1.98389.

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Unbekannt

Picosecond pulse generation ( (1987)

Arakawa, Y. ; Sogawa, T. ; Nishioka, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(17): 1295-1297. Published 1987 Oct 26. doi: 10.1063/1.98707.

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Unbekannt

Electric field induced refractive index changes in GaAs‐AlxGa1−xAs quantum wells (1987)

Hiroshima, Tohya

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(15): 968-970. Published 1987 Apr 13. doi: 10.1063/1.98001.

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Unbekannt

Quantum‐confined Stark effect in InGaAs/InP quantum wells grown by organometallic vapor phase epitaxy (1987)

Bar‐Joseph, I. ; Klingshirn, C. ; Miller, D. A. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(15): 1010-1012. Published 1987 Apr 13. doi: 10.1063/1.97991.

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Unbekannt

Space‐charge‐limited current in a miniaturized quadrupole channel (1987)

Thomae, R. W. ; Siebenlist, F. ; van Putten, A. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(15): 1013-1015. Published 1987 Apr 13. doi: 10.1063/1.97992.

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Implosion of sodium‐bearing capillary‐discharge plasmas for x‐ray laser experiments (1987)

Young, F. C. ; Stephanakis, S. J. ; Scherrer, V. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(16): 1053-1055. Published 1987 Apr 20. doi: 10.1063/1.97967.

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Effect of hydrogen on shallow dopants in crystalline silicon (1987)

Pantelides, Sokrates T.

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In: Applied Physics Letters. 1987; 50(15): 995-997. Published 1987 Apr 13. doi: 10.1063/1.97957.

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Optically pumped mode‐locked PbS1−xSexlasers (1987)

Vilhelmsson, K. ; Valk, B. ; Salour, M. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(13): 807-808. Published 1987 Mar 30. doi: 10.1063/1.98051.

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High‐temperature resistivity of the Ba2YCu3Oxsuperconductor (1987)

Grader, G. Sageev ; Gallagher, P. K. ; Gyorgy, E. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(14): 1115-1117. Published 1987 Oct 05. doi: 10.1063/1.98757.

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Photoluminescence characterization of single heterojunction quantum well structures (1987)

Aina, O. ; Mattingly, M. ; Juan, F. Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(1): 43-45. Published 1987 Jan 05. doi: 10.1063/1.98121.

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Thermionic emission model for the initial regime of silicon oxidation (1987)

Irene, E. A. ; Lewis, E. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(10): 767-769. Published 1987 Sep 07. doi: 10.1063/1.98861.

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Direct and accurate measurement of etch rate of polymer films under far‐UV irradiation (1987)

Lazare, Sylvain ; Soulignac, Jean Claude ; Fragnaud, Pascal

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(10): 624-625. Published 1987 Mar 09. doi: 10.1063/1.98101.

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Highly activated shallow Ga profiles in silicon obtained by implantation and rapid thermal annealing (1987)

Harrison, H. B. ; Iyer, S. S. ; Sai‐Halasz, G. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(13): 992-994. Published 1987 Sep 28. doi: 10.1063/1.98786.

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Nature of the self‐limiting effect in the low‐pressure chemical vapor deposition of tungsten (1987)

Lifshitz, N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(13): 967-969. Published 1987 Sep 28. doi: 10.1063/1.98778.

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Unbekannt

Critical layer thickness in In0.2Ga0.8As/GaAs single strained quantum well structures (1987)

Fritz, I. J. ; Gourley, P. L. ; Dawson, L. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(13): 1004-1006. Published 1987 Sep 28. doi: 10.1063/1.98984.

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Unbekannt

Polarization and frequency control of a semiconductor laser with a new external cavity structure (1987)

Wakana, S. ; Shirasaki, M. ; Furukawa, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(22): 1547-1549. Published 1987 Jun 01. doi: 10.1063/1.97775.

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Effect of thermodynamics on ion mixing (1987)

Workman, T. W. ; Cheng, Y. T. ; Johnson, W. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(21): 1485-1487. Published 1987 May 25. doi: 10.1063/1.98253.

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Unbekannt

Programmed magnetic field applied liquid encapsulated Czochralski crystal growth (1987)

Ozawa, Shoichi ; Kimura, Tadashi ; Kobayashi, Junji ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(6): 329-331. Published 1987 Feb 09. doi: 10.1063/1.98190.

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Unbekannt

Low‐temperature characteristics of electron and hole ionization coefficients in (100) oriented Ga1−xInxAsyP1−y (1985)

Osaka, Fukunobu ; Mikawa, Takashi ; Kaneda, Takao

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(12): 1138-1140. Published 1985 Jun 15. doi: 10.1063/1.95735.

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Unbekannt

Photoluminescence study of InGaAs grown on InP by vapor phase epitaxy—Effects of O2injection and substrate orientation (1985)

Makita, Kikuo ; Gomyo, Akiko ; Taguchi, Kenkoh ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(11): 1069-1071. Published 1985 Jun 01. doi: 10.1063/1.95763.

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Unbekannt

Phase‐locked operation of a grating‐surface‐emitting diode laser array (1987)

Carlson, N. W. ; Evans, G. A. ; Hammer, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(19): 1301-1303. Published 1987 May 11. doi: 10.1063/1.98246.

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Unbekannt

Titanium silicide formation on BF+2‐implanted silicon (1985)

Chow, T. P. ; Katz, W. ; Smith, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(1): 41-43. Published 1985 Jan 01. doi: 10.1063/1.95844.

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52

Unbekannt

Oxide conductive coated cathodes for a sealed‐off CO2laser (1987)

Hsieh, Tai‐Chiung ; Lan, Yuan‐Liang

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(16): 1227-1229. Published 1987 Oct 19. doi: 10.1063/1.98738.

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Unbekannt

Excimer laserinsitutreatment of GaAs surfaces: Electrical properties of tungsten/GaAs diodes (1987)

Maki, P. A. ; Ehrlich, D. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(16): 1274-1276. Published 1987 Oct 19. doi: 10.1063/1.98703.

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Unbekannt

Effects of trichloroethane during oxide growth on radiation‐induced interface traps in Metal/SiO2/Si capacitors (1987)

da Silva, Eronides F. ; Nishioka, Yasushiro ; Ma, T.‐P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(16): 1262-1264. Published 1987 Oct 19. doi: 10.1063/1.98699.

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Unbekannt

Theoretical study of the optimum performance of a two‐phase flow CO2gasdynamic laser (1987)

Thulasiram, R. K. ; Reddy, K. P. J. ; Reddy, N. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(13): 789-791. Published 1987 Mar 30. doi: 10.1063/1.98045.

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Unbekannt

1‐ns pulse‐generating, compact, low‐pressure N2lasers (1987)

Ishikawa, Kazuhito ; Muto, Shinzo ; Matsuzawa, Hidenori

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(14): 889-890. Published 1987 Apr 06. doi: 10.1063/1.98023.

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Unbekannt

Ridge waveguide injection laser with a GaInAs strained‐layer quantum well (λ=1 μm) (1987)

Fischer, S. E. ; Fekete, D. ; Feak, G. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(12): 714-716. Published 1987 Mar 23. doi: 10.1063/1.98076.

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Coupled‐stripe AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well lasers defined by vacancy‐enhanced impurity‐induced layer disordering from (Si2)y(GaAs)1−ybarriers (1987)

Guido, L. J. ; Plano, W. E. ; Jackson, G. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(12): 757-759. Published 1987 Mar 23. doi: 10.1063/1.98036.

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Unbekannt

Determination of low levels of carbon in Czochralski silicon (1985)

Oates, A. S. ; Newman, R. C. ; Woolley, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(7): 705-707. Published 1985 Oct 01. doi: 10.1063/1.96065.

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Evidences that P diffusion in Si is assisted mainly by vacancies (1985)

Mathiot, D. ; Pfister, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(9): 962-964. Published 1985 Nov 01. doi: 10.1063/1.95944.

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Electron beam pumped lasing in ZnSe grown by molecular beam epitaxy (1987)

Potts, J. E. ; Smith, T. L. ; Cheng, H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(1): 7-9. Published 1987 Jan 05. doi: 10.1063/1.98130.

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Low‐temperature liquid phase epitaxial growth of an (In,Ga,Al)Sb quaternary alloy (1985)

Ohshima, Hisayoshi ; Tanaka, Akira ; Sukegawa, Tokuzo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 41-42. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96396.

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Unbekannt

Depletion and enhancement mode In0.53Ga0.47As/InP junction field‐effect transistor with ap+‐InGaAs confinement layer (1985)

Cheng, Julian ; Forrest, S. R. ; Stall, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 885-887. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95875.

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Unbekannt

Dependence of radiation‐induced interface traps on gate electrode material in metal/SiO2/Si devices (1985)

Zekeriya, Viktor ; Ma, T‐P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 54-56. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96402.

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Unbekannt

Glow‐discharge‐implanted, thermally annealed, oxide‐passivated silicon solar cells of 19% efficiency (1987)

Westbrook, R. D. ; Wood, R. F. ; Jellison, G. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(8): 469-471. Published 1987 Feb 23. doi: 10.1063/1.98176.

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Unbekannt

Efficient technique for calculating the bound and virtual energy spectrum of semiconductor structures (1987)

Schwartz, Carey

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(8): 457-459. Published 1987 Feb 23. doi: 10.1063/1.98172.

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Growth and dissolution of oxide films during laser‐assisted combustion of Ti and Zr (1987)

Ursu, I. ; Mihailescu, I. N. ; Nistor, L. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(10): 563-565. Published 1987 Mar 09. doi: 10.1063/1.98135.

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Unbekannt

Effects of 450 °C thermal annealing upon oxygen precipitation in heavily B‐ and Sb‐doped Czochralski Si (1987)

Hahn, S. ; Arst, M. ; Rek, Z. U. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(7): 401-403. Published 1987 Feb 16. doi: 10.1063/1.98212.

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Upper critical fields and high superconducting transition temperatures of La1.85Sr0.15CuO4 and La1.85Ba0.15CuO4 (1987)

Capone, D. W. ; Hinks, D. G. ; Jorgensen, J. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(9): 543-544. Published 1987 Mar 02. doi: 10.1063/1.98154.

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X‐ray characterization of surface and bulk structures of sputtered iron oxide thin film (1987)

Huang, T. C. ; York, B. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(7): 389-391. Published 1987 Feb 16. doi: 10.1063/1.98208.

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Measurement of radiative, Auger, and nonradiative currents in 1.3‐μm InGaAsP buried heterostructure lasers (1987)

Olshansky, Robert ; LaCourse, Joanne ; Chow, Terrance ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(6): 310-312. Published 1987 Feb 09. doi: 10.1063/1.98234.

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Ultrasensitive coherent Raman technique with picosecond lasers (1987)

Schauer, M. W. ; Pellin, M. J. ; Biwer, B. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(7): 371-373. Published 1987 Feb 16. doi: 10.1063/1.98202.

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Low‐threshold high‐efficiency AlGaAs‐GaAs double‐heterostructure injection lasers grown on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition (1987)

Dupuis, R. D. ; van der Ziel, J. P. ; Logan, R. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(7): 407-409. Published 1987 Feb 16. doi: 10.1063/1.98185.

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Observation of resonant tunneling through GaAs quantum well states confined by AlAsX‐point barriers (1987)

Bonnefoi, A. R. ; McGill, T. C. ; Burnham, R. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(6): 344-346. Published 1987 Feb 09. doi: 10.1063/1.98195.

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Unbekannt

Observation of valence‐band discontinuity of hydrogenated amorphous silicon/hydrogenated amorphous silicon carbide heterojunction by photocurrent‐voltage measurements (1987)

Okayasu, Yoshinobu ; Fukui, Keitaro ; Matsumura, Mitsuo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(5): 248-249. Published 1987 Feb 02. doi: 10.1063/1.98242.

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Unbekannt

Use of tertiarybutylarsine in the metalorganic chemical vapor deposition growth of GaAs (1987)

Lum, R. M. ; Klingert, J. K. ; Lamont, M. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 50(5): 284-286. Published 1987 Feb 02. doi: 10.1063/1.98226.

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Unbekannt

Tunnel spectroscopy using titanium metal barriers onp−‐Si/p+‐Si molecular beam epitaxial films (1987)

Cabanski, W. ; Schulz, M. ; Kasper, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(11): 811-813. Published 1987 Sep 14. doi: 10.1063/1.98874.

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Unbekannt

Observation of periodical short pulse trains in free‐electron laser oscillations (1987)

Kawamura, Y. ; Toyoda, K. ; Kawai, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(11): 795-797. Published 1987 Sep 14. doi: 10.1063/1.98869.

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Unbekannt

Faraday effect magnetometry utilizing high Verdet constant glass (1987)

Tatam, R. P. ; Berwick, M. ; Jones, J. D. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(11): 864-866. Published 1987 Sep 14. doi: 10.1063/1.98838.

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Unbekannt

Growth and characterization of molecular beam epitaxial GaAs layers on porous silicon (1987)

Lin, T. L. ; Sadwick, L. ; Wang, K. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1987; 51(11): 814-816. Published 1987 Sep 14. doi: 10.1063/1.98821.

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81

Unbekannt

Seed selection through ion channeling to modify crystallographic orientations of polycrystalline Si films on SiO2: Implant angle dependence (1985)

Kung, K. T‐Y. ; Iverson, R. B. ; Reif, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(7): 683-685. Published 1985 Apr 01. doi: 10.1063/1.95529.

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82

Unbekannt

Second order gradiometer and dc SQUID integrated on a planar substrate (1985)

van Nieuwenhuyzen, G. J. ; de Waal, V. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(4): 439-441. Published 1985 Feb 15. doi: 10.1063/1.95605.

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Unbekannt

Reduction of fall times in Ga0.47In0.53As photoconductive receivers through back gating (1985)

Chen, C. Y. ; Cho, A. Y. ; Olsson, N. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(3): 296-298. Published 1985 Feb 01. doi: 10.1063/1.95664.

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Unbekannt

Potential enhanced Sb and As doping in Si molecular beam epitaxy (1985)

Kubiak, R. A. A. ; Leong, W. Y. ; Parker, E. H. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(6): 565-567. Published 1985 Mar 15. doi: 10.1063/1.95540.

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85

Unbekannt

Response to ‘‘Comment on ‘Identification of oxygen‐related midgap level in GaAs’ ’’ [Appl. Phys. Lett.46, 311 (1985)] (1985)

Lagowski, J. ; Lin, D.‐G. ; Aoyama, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(3): 311-312. Published 1985 Feb 01. doi: 10.1063/1.95670.

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86

Unbekannt

Microwave intensity and frequency modulation of heteroepitaxial‐ridge‐overgrown distributed feedback lasers (1985)

Bowers, J. E. ; Tsang, W. T. ; Koch, T. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(3): 233-235. Published 1985 Feb 01. doi: 10.1063/1.95693.

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Unbekannt

Dependence of threshold current on the number of wells in AlGaAs‐GaAs quantum well lasers (1985)

Blood, P. ; Fletcher, E. D. ; Woodbridge, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 193-195. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96213.

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88

Unbekannt

Direct method for the investigation of nonradiative recombination in semiconductors (1985)

Dersch, Helmut ; Amer, Nabil M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 292-294. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96196.

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89

Unbekannt

Interfacial properties of InP and phosphorus deposited at low temperature (1985)

Schachter, R. ; Olego, D. J. ; Baumann, J. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 272-274. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96188.

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90

Unbekannt

Effect of dopant on reaction between polycrystalline silicon and thin‐film rhodium (1985)

Psaras, P. A. ; Thompson, R. D. ; Tu, K. N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 250-252. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96180.

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91

Unbekannt

Chemical vapor deposition of boron‐doped hydrogenated amorphous silicon (1985)

Ellis, F. B. ; Delahoy, A. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 135-137. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96432.

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92

Unbekannt

Large‐signal dynamics of an ultrafast semiconductor laser at digital modulation rates approaching 10 Gbit/s (1985)

Lau, K. Y. ; Yariv, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 84-86. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96259.

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93

Unbekannt

Determination of heterojunction band offsets by capacitance‐voltage profiling through nonabrupt isotype heterojunctions (1985)

Kroemer, Herbert

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(5): 504-505. Published 1985 Mar 01. doi: 10.1063/1.95572.

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Unbekannt

Implications of the configuration‐dependent reactive incorporation growth process for the group V pressure and substrate temperature dependence of III‐V molecular beam epitaxial growth and the dynamics of the reflection high‐energy electron diffraction intensity (1985)

Madhukar, A. ; Ghaisas, S. V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 247-249. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96234.

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Unbekannt

Hole trapping and interface state generation during bias‐temperature stress of SiO2layers (1985)

Haywood, S. K. ; De Keersmaecker, R. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(4): 381-383. Published 1985 Aug 15. doi: 10.1063/1.96173.

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Unbekannt

Degradation‐free modulation‐doped field‐effect transistors grown by organometallic chemical vapor deposition (1985)

Bhat, R. ; Chan, W. K. ; Kastalsky, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1344-1346. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96275.

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Unbekannt

Response of piezoelectric lead metaniobate to high compressive stresses (1985)

Amin, A. ; Lukasiewicz, S. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1356-1357. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96279.

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Unbekannt

Comment on ‘‘Thermoelectric figure of merit of boron phosphide’’ [Appl. Phys. Lett.46, 842 (1985)] (1985)

Wood, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1232-1232. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96338.

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Unbekannt

Influence of implantation induced damage in sapphire upon improvement of crystalline quality of silicon on sapphire (1985)

Yamamoto, Y. ; Kobayashi, H. ; Takahashi, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1315-1317. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96264.

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Unbekannt

Measurement of population inversions and gain in carbon fiber plasmas (1985)

Milchberg, H. ; Skinner, C. H. ; Suckewer, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1151-1153. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96437.

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