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Identification of epitaxial Y2O3inclusions in sputtered YBa2Cu3O7films: Impact on film growth (1992)

Catana, A. ; Broom, R. F. ; Bednorz, J. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1016-1018. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106507.

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Sum‐frequency generation in segmented KTP waveguides (1992)

Laurell, F. ; Brown, J. B. ; Bierlein, J. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(9): 1064-1066. Published 1992 Mar 02. doi: 10.1063/1.106445.

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Fabrication of TlCaBaCuO step‐edge Josephson junctions with hysteretic behavior (1992)

Martens, J. S. ; Hietala, V. M. ; Zipperian, T. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1013-1015. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106506.

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Organometallic vapor phase epitaxial growth and characterization of GaInP/AlInP quantum wells on 10°‐off GaAs substrates using ethyldimethylindium (1992)

Wang, T. Y. ; Welch, D. F. ; Scifres, D. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1007-1009. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106504.

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Generation of the pretilt angles in nematic liquid crystal (5CB) aligned on the rubbed polypyrrole films (1992)

Seo, Dae‐Shik ; Kobayashi, Shunsuke ; Mochizuki, Akihiro

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1025-1026. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106487.

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Using light as a stencil (1992)

Prentiss, M. ; Timp, G. ; Bigelow, N. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1027-1029. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106488.

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Low dark current step‐bound‐to‐miniband transition InGaAs/GaAs/AlGaAs multiquantum‐well infrared detector (1992)

Yu, Larry S. ; Wang, Y. H. ; Li, Sheng S. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 992-994. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106484.

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Integrated wavelength demultiplexer‐receiver on InP (1992)

Bornholdt, C. ; Trommer, D. ; Unterbörsch, G. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 971-973. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.107460.

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Electrical behavior of Yb ion inp‐ andn‐type InP (1992)

Seghier, D. ; Benyattou, T. ; Bremond, G. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 983-985. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106481.

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Electrical characteristics of paraelectric lead lanthanum zirconium titanate thin films for dynamic random access memory applications (1992)

Jones, R. E. ; Maniar, P. D. ; Olowolafe, J. O. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1022-1024. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106486.

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Thermal and photochemical decomposition pathways of AsH3on GaAs(100): Implication for atomic layer epitaxy (1992)

Zhu, X.‐Y. ; Wolf, M. ; Huett, T. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 977-979. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106479.

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Oriented lead germanate thin films by excimer laser ablation (1992)

Peng, C. J. ; Roy, D. ; Krupanidhi, S. B.

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 827-829. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.107431.

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Vapor phase synthesis of crystalline nanometer‐scale GaAs clusters (1992)

Saunders, Winston A. ; Sercel, Peter C. ; Atwater, Harry A. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 950-952. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106471.

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Growth of strained InAs/InP quantum wells by molecular beam epitaxy (1992)

Hopkinson, M. ; David, J. P. R. ; Claxton, P. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 841-843. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.106531.

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Suppressed photocurrent multiple‐quantum‐well optical modulators by proton implantation (1992)

Woodward, T. K. ; Tell, B. ; Knox, W. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 742-744. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106555.

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Unbekannt

Enhanced two‐wave mixing in a photorefractive waveguide having a periodically reversedc‐axis by electrical poling technique (1992)

Ito, Fumihiko ; Kitayama, Ken‐ichi ; Nakao, Osamu

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 793-795. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.106520.

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Improvement of peak‐to‐valley ratio by the incorporation of the InAs layer into the GaSb/AlSb/GaSb/AlSb/InAs double barrier resonant interband tunneling structure (1992)

Houng, M. P. ; Wang, Y. H. ; Shen, C. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 713-715. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106546.

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Unbekannt

Surface‐emitting lasers with optical cavity along the [111] direction (1992)

Ou, S. S. ; Yang, J. J. ; Jansen, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 689-691. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106538.

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Unbekannt

Fully connected bulk Pb1−xSnxMo6S7.6samples made by hot isostatic pressing (1992)

Le Lay, L. ; Willis, T. C. ; Larbalestier, D. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(6): 775-777. Published 1992 Feb 10. doi: 10.1063/1.106516.

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Unbekannt

Center electrode effects in a long‐conduction‐time plasma‐opening switch (1992)

Véron, L. ; Etlicher, B. ; Rouillé, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 560-561. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106607.

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Faraday rotation from Zn1−xFexSe epilayers (1992)

Fu, L. P. ; Schmiedel, T. ; Petrou, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 583-585. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106617.

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Unbekannt

Director‐polarization reorientation via solitary waves in ferroelectric liquid crystals (1992)

Abdulhalim, I. ; Moddel, G. ; Clark, N. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 551-553. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106604.

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Unbekannt

Externally pumped high repetition rate femtosecond infrared optical parametric oscillator (1992)

Mak, Gary ; Fu, Qiang ; van Driel, Henry M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 542-544. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106601.

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Unbekannt

Phase‐locked CO2laser array using diagonal coupling of waveguide channels (1992)

Abramski, K. M. ; Colley, A. D. ; Baker, H. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(5): 530-532. Published 1992 Feb 03. doi: 10.1063/1.106597.

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Unbekannt

Multiquantum well structure with an average electron mobility of 4.0×106 cm2/V s (1992)

Pfeiffer, L. N. ; West, K. W. ; Eisenstein, J. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(10): 1211-1212. Published 1992 Sep 07. doi: 10.1063/1.107597.

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Photoelectric properties in microscopicp‐njunctions of organic semiconductors (1992)

Saito, Kazuhiro ; Sugi, Michio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(1): 116-118. Published 1992 Jul 06. doi: 10.1063/1.107658.

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Unbekannt

Low‐temperature metalorganic chemical vapor deposition of perovskite Pb(ZrxTi1−x)O3thin films (1992)

Peng, Chien H. ; Desu, Seshu B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(1): 16-18. Published 1992 Jul 06. doi: 10.1063/1.107646.

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Optical bleaching of metastable defects in amorphous silicon (1992)

Ganguly, Gautam

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 874-876. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.107435.

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Unbekannt

Enhanced spectral power density and reduced linewidth at 1.3 μm in an InGaAsP quantum well resonant‐cavity light‐emitting diode (1992)

Hunt, N. E. J. ; Schubert, E. F. ; Logan, R. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(19): 2287-2289. Published 1992 Nov 09. doi: 10.1063/1.108489.

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Lateral band‐gap patterning and carrier confinement in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on nonplanar dot patterns (1992)

Krahl, M. ; Kapon, E. ; Schiavone, L. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(7): 813-815. Published 1992 Aug 17. doi: 10.1063/1.107753.

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Publikationsdatum: 1992-08-17

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Phonon mode study of near‐lattice‐matched InxGa1−xAs using micro‐Raman spectroscopy (1992)

Estrera, J. P. ; Stevens, P. D. ; Glosser, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(16): 1927-1929. Published 1992 Oct 19. doi: 10.1063/1.108366.

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Publikationsdatum: 1992-10-19

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Unbekannt

Picosecond transient photoluminescence spectra of ZnSe‐ZnS strained‐layer superlattices grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy (1992)

Cui, Jie ; Wang, Hai‐Long ; Gan, Fu‐Xi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(13): 1540-1542. Published 1992 Sep 28. doi: 10.1063/1.107489.

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Publikationsdatum: 1992-09-28

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Unbekannt

Polarized Raman spectroscopy in ion irradiated graphite (1992)

Compagnini, G. ; Baratta, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(15): 1796-1798. Published 1992 Oct 12. doi: 10.1063/1.108403.

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Publikationsdatum: 1992-10-12

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Unbekannt

Temperature dependence of damping in high‐speed quantum‐well lasers (1992)

Ishikawa, Masayuki ; Fukushima, Toru ; Nagarajan, Radhakrishnan ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(4): 396-398. Published 1992 Jul 27. doi: 10.1063/1.107894.

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Observation of stripe‐direction dependence of threshold current density for AlGaInP laser diodes with CuPt‐type natural superlattice in Ga0.5In0.5P active layer (1992)

Fujii, H. ; Ueno, Y. ; Gomyo, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(7): 737-739. Published 1992 Aug 17. doi: 10.1063/1.107782.

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On the theory of steady‐state electromigration in thin films (1992)

Bauer, C. L. ; Mullins, W. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(25): 2987-2989. Published 1992 Dec 21. doi: 10.1063/1.108011.

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Variation of the Schottky barrier height of the differently oriented CoGa on GaAs by molecular beam epitaxy (1992)

Kuo, T. C. ; Wang, K. L. ; Arghavani, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(24): 2869-2871. Published 1992 Dec 14. doi: 10.1063/1.108060.

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YBa2Cu3O7−ymicrobridges on Y2O3/yttria‐stabilized zirconia/SiO2/Si(100) (1992)

Hontsu, S. ; Mukai, N. ; Ishii, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(22): 2709-2711. Published 1992 Nov 30. doi: 10.1063/1.108483.

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Interband absorption in α‐Sn/Ge short‐period superlattices (1992)

Olajos, Janos ; Wegscheider, Werner ; Abstreiter, Gerhard

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(26): 3130-3132. Published 1992 Dec 28. doi: 10.1063/1.107983.

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Organic solar cell based on multistep charge separation system (1992)

Hiramoto, Masahiro ; Fukusumi, Hiroyuki ; Yokoyama, Masaaki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(21): 2580-2582. Published 1992 Nov 23. doi: 10.1063/1.108133.

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Tunable blue light source by intracavity frequency doubling of a Cr‐doped LiSrAlF6laser (1992)

Balembois, François ; Georges, Patrick ; Salin, François ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(20): 2381-2382. Published 1992 Nov 16. doi: 10.1063/1.108196.

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Heavily Si‐doped GaAs grown by low‐pressure metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylarsine and silane (1992)

Chichibu, S. ; Iwai, A. ; Matsumoto, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(4): 489-491. Published 1992 Jan 27. doi: 10.1063/1.106645.

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Unbekannt

Gallium arsenide: A new material to accomplish passively mode‐locked Nd:YAG laser (1992)

Zhang, Zhuhong ; Qian, Liejia ; Fan, Dianyuan ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(4): 419-421. Published 1992 Jan 27. doi: 10.1063/1.106621.

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Unbekannt

Finite‐element analysis of particle‐particle forces in electrorheological fluids (1992)

Davis, L. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(3): 319-321. Published 1992 Jan 20. doi: 10.1063/1.107441.

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Unbekannt

Surface and interface structures of S‐passivated GaAs(111) studied by soft x‐ray standing waves (1992)

Sugiyama, Munehiro ; Maeyama, Satoshi ; Oshima, Masaharu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(26): 3247-3249. Published 1992 Jun 29. doi: 10.1063/1.106708.

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Unbekannt

Control of grain alignment to fabricate long Y‐Ba‐Cu‐O superconductors with high current density (1992)

Selvamanickam, V. ; Partsinevelos, C. ; McGuire, A. V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(26): 3313-3315. Published 1992 Jun 29. doi: 10.1063/1.106677.

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Unbekannt

Effect of crystallographic alignment of isolation trenches: A resolved‐shear‐stress perspective (1992)

Hu, S. M. ; Chidambarrao, D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(7): 783-785. Published 1992 Aug 17. doi: 10.1063/1.107797.

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48

Unbekannt

Rapid modulation of interband optical properties of quantum wells by intersubband absorption (1992)

Gorfinkel, Vera B. ; Luryi, Serge

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(25): 3141-3143. Published 1992 Jun 22. doi: 10.1063/1.106749.

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Unbekannt

Nonlinearity in the excitation yield of ZnS:Mn electroluminescent devices (1992)

Geoffroy, A. ; Bringuier, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(26): 3172-3174. Published 1992 Dec 28. doi: 10.1063/1.107949.

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Unbekannt

Long‐pulse electron‐beam generation from the back‐lighted thyratron (1992)

Liou, Rong Lin ; Hsu, Tseng‐Yang ; Gundersen, Martin A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(22): 2647-2649. Published 1992 Nov 30. doi: 10.1063/1.108096.

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Unbekannt

Identification of segregation from borophosphosilicate glass films during annealing (1992)

Imai, S. ; Yabuuchi, Y. ; Terai, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(22): 2761-2763. Published 1992 Jun 01. doi: 10.1063/1.106869.

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52

Unbekannt

Reactive ion etching of ZnSe by gas mixture of ethane and hydrogen (1992)

Ohtsuka, K. ; Imaizumi, M. ; Sugimoto, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(24): 3025-3026. Published 1992 Jun 15. doi: 10.1063/1.106797.

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Publikationsdatum: 1992-06-15

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53

Unbekannt

Blue continuously pumped upconversion lasing in Tm:YLiF4 (1992)

Hebert, T. ; Wannemacher, R. ; Macfarlane, R. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(21): 2592-2594. Published 1992 May 25. doi: 10.1063/1.106919.

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Publikationsdatum: 1992-05-25

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54

Unbekannt

Stable amorphous silicon double stacked solar cell using low band gap amorphous silicon bottomilayer (1992)

Jang, Jin ; Kim, Tae Gon ; Kim, Sung Chul ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(23): 2880-2882. Published 1992 Jun 08. doi: 10.1063/1.106806.

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Publikationsdatum: 1992-06-08

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Unbekannt

Incorporation of silicon and aluminum in low temperature molecular beam epitaxial GaAs (1992)

Manasreh, M. O. ; Evans, K. R. ; Stutz, C. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(19): 2377-2379. Published 1992 May 11. doi: 10.1063/1.107031.

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Publikationsdatum: 1992-05-11

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56

Unbekannt

Evidence of carrier confinement in nonlinear GaAs/AlGaAs multiple quantum‐well microresonators fabricated using alloy mixing techniques (1992)

Massa, J. S. ; Buller, G. S. ; Walker, A. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(18): 2205-2207. Published 1992 Nov 02. doi: 10.1063/1.108295.

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Publikationsdatum: 1992-11-02

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Unbekannt

Photoreflectance characterization of an InP/InGaAs heterojunction bipolar transistor structure (1992)

Yan, D. ; Pollak, Fred H. ; Boccio, V. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(17): 2066-2068. Published 1992 Oct 26. doi: 10.1063/1.108308.

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Publikationsdatum: 1992-10-26

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Unbekannt

Polymer coated silver halide infrared fibers as sensing devices for chlorinated hydrocarbons in water (1992)

Krska, R. ; Rosenberg, E. ; Taga, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(15): 1778-1780. Published 1992 Oct 12. doi: 10.1063/1.108424.

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Publikationsdatum: 1992-10-12

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59

Unbekannt

Anomalies in the pressure response of the Raman modes in (211)‐oriented InxGa1−xAs/GaAs strained‐layer superlattices (1992)

Lemos, V. ; Ritter, T. ; Weinstein, B. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(12): 1417-1419. Published 1992 Sep 21. doi: 10.1063/1.107556.

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Publikationsdatum: 1992-09-21

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60

Unbekannt

InGaAs/AlGaAs strained quantum well laser with semi‐insulating low temperature GaAs and lateraln‐p‐ncurrent confinement structures grown by molecular beam epitaxy (1992)

Takamori, T. ; Sin, Y. K. ; Watanabe, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(19): 2266-2268. Published 1992 Nov 09. doi: 10.1063/1.108260.

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Publikationsdatum: 1992-11-09

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61

Unbekannt

30 nm CoSi2surface layers for contact metallization in complementary metal‐oxide‐semiconductor processes (1992)

Audet, Sarah A. ; White, Alice E. ; Short, Ken T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(19): 2311-2313. Published 1992 Nov 09. doi: 10.1063/1.108227.

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62

Unbekannt

Four‐dimensional simulation of ultrashort optical shock radiation generated by guided‐wave frequency doubling of a pulsed laser diode (1992)

Hayata, K. ; Koshiba, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(7): 796-798. Published 1992 Feb 17. doi: 10.1063/1.106521.

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Publikationsdatum: 1992-02-17

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Unbekannt

Enhancement in critical current density of Y1Ba2Cu3O7−δthin films on hastelloy with TiN buffer layers (1992)

Kumar, Ashok ; Narayan, J. ; Chen, X.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(8): 976-978. Published 1992 Aug 24. doi: 10.1063/1.107720.

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Publikationsdatum: 1992-08-24

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Unbekannt

Molecular beam epitaxial growth of Si on Ga‐activated Si(111) surface (1992)

Nakahara, Hitoshi ; Ichikawa, Masakazu

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(13): 1531-1533. Published 1992 Sep 28. doi: 10.1063/1.107538.

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Unbekannt

1.5 μm diode laser‐based nonlinear frequency conversions by using potassium titanyl phosphate (1992)

Wang, Weizhi ; Nakagawa, Ken’ichi ; Toda, Yasunori ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(16): 1886-1888. Published 1992 Oct 19. doi: 10.1063/1.108378.

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Publikationsdatum: 1992-10-19

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Unbekannt

Pump‐probe interferometric measurement of nonlinear phase modulation in a GaAs/AlGaAs multiple‐quantum‐well waveguide (1992)

Laughton, F. R. ; Marsh, J. H. ; Button, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(13): 1493-1495. Published 1992 Sep 28. doi: 10.1063/1.107526.

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Unbekannt

Strained‐layer InGaAs quantum well lasers emitting at 1.5 μm grown by chemical beam epitaxy (1992)

Sugiura, Hideo ; Noguchi, Yoshio ; Iga, Ryuzo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(3): 318-320. Published 1992 Jul 20. doi: 10.1063/1.108477.

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Insituelectron beam patterning for GaAs using electron‐cyclotron‐resonance plasma‐formed oxide mask and Cl2gas etching (1992)

Kohmoto, S. ; Takado, N. ; Sugimoto, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(4): 444-446. Published 1992 Jul 27. doi: 10.1063/1.107909.

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Crystalline orientations of Tl2Ba2Ca2Cu3Oxgrains on MgO, SrTiO3, and LaAlO3substrates (1992)

Liou, S. H. ; Wu, C. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(22): 2803-2805. Published 1992 Jun 01. doi: 10.1063/1.106833.

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Preparation of Fe nanocrystalline in SiO2by ion implantation (1992)

Zhang, G. L. ; Liu, W. H. ; Xu, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 61(21): 2527-2529. Published 1992 Nov 23. doi: 10.1063/1.108170.

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Unbekannt

Atomic resolved material displacement on graphite surfaces by scanning tunnelling microscopy (1992)

Moriarty, Philip ; Hughes, Greg

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(19): 2338-2340. Published 1992 May 11. doi: 10.1063/1.107019.

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Unbekannt

Simultaneous detection of optical constants ε1and ε2by Brewster angle reflectivity measurements (1992)

Dietz, N. ; Lewerenz, H. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(19): 2403-2405. Published 1992 May 11. doi: 10.1063/1.106986.

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Unbekannt

Diffusive electrical conduction in high‐speedp‐i‐nphotodetectors (1992)

Schneider, H. ; Larkins, E. C. ; Ralston, J. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(21): 2648-2650. Published 1992 May 25. doi: 10.1063/1.106883.

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Unbekannt

Characteristics of longitudinal optical phonon assisted quantum carrier capture process‐temperature and bias dependence (1995)

Wu, Ta‐Chung ; Kan, Sidney C. ; Vassilovski, Dan ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(9): 1220-1222. Published 1995 Aug 28. doi: 10.1063/1.115013.

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Unbekannt

Stress induced Li‐Li pairs reorientation in Al‐Li alloys (1995)

Pérez‐Landazábal, J. I. ; San Juan, J. ; Nó, M. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(9): 1200-1202. Published 1995 Aug 28. doi: 10.1063/1.115006.

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Unbekannt

Photoluminescence study of the crossover from two‐dimensional to three‐dimensional growth for Ge on Si(100) (1995)

Schittenhelm, P. ; Gail, M. ; Brunner, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(9): 1292-1294. Published 1995 Aug 28. doi: 10.1063/1.114401.

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Unbekannt

Superconductivity in epitaxial films of the oxycarbonate Sr2CuO2(CO3) converted from ‘‘infinite layer’’ SrCuO2 by thermal processing (1995)

Feenstra, R. ; Budai, J. D. ; Christen, D. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(9): 1310-1312. Published 1995 Aug 28. doi: 10.1063/1.114523.

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Unbekannt

Threshold current temperature dependence of GaInP/(AlyGa1−y)InP 670 nm quantum well lasers (1995)

Smowton, P. M. ; Blood, P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(9): 1265-1267. Published 1995 Aug 28. doi: 10.1063/1.114392.

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Unbekannt

Manipulation of C60 molecules on a Si surface (1995)

Beton, P. H. ; Dunn, A. W. ; Moriarty, P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(8): 1075-1077. Published 1995 Aug 21. doi: 10.1063/1.114469.

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Unbekannt

Flux pinning enhancement in melt processed YBa2Cu3O7−δ through rare‐earth ion (Nd, La) substitutions (1995)

Varanasi, Chakrapani ; McGinn, Paul J. ; Blackstead, Howard A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(7): 1004-1006. Published 1995 Aug 14. doi: 10.1063/1.114711.

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Unbekannt

Response to ‘‘Comment on ‘Nanoscale InP islands embedded in InGaP’ ’’ [Appl. Phys. Lett. 67, 1166 (1995)] (1995)

Kurtenbach, A. ; Eberl, K. ; Shitara, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(8): 1168-1169. Published 1995 Aug 21. doi: 10.1063/1.114997.

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Unbekannt

Liquid target pulsed laser deposition (1995)

Rong, Fu‐Xiao

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(7): 1022-1024. Published 1995 Aug 14. doi: 10.1063/1.114717.

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Unbekannt

Efficient luminescence from AlP/GaP neighboring confinement structure with AlGaP barrier layers (1995)

Issiki, F. ; Fukatsu, S. ; Shiraki, Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(8): 1048-1050. Published 1995 Aug 21. doi: 10.1063/1.114460.

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Unbekannt

Relative efficiency of transient and stationary changes in excitonic optical properties of InGaAs/InP quantum wells (1995)

Campi, Domenico ; Coriasso, Claudio ; Nisoli, Mauro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(7): 953-955. Published 1995 Aug 14. doi: 10.1063/1.114706.

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Unbekannt

Diamond film synthesis in low‐pressure premixed methane‐oxygen flames (1995)

Kim, J. S. ; Cappelli, M. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(8): 1081-1083. Published 1995 Aug 21. doi: 10.1063/1.114456.

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Unbekannt

Observation of quantum effects and Coulomb blockade in silicon quantum‐dot transistors at temperatures over 100 K (1995)

Leobandung, Effendi ; Guo, Lingjie ; Wang, Yun ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(7): 938-940. Published 1995 Aug 14. doi: 10.1063/1.114701.

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Unbekannt

Determination of the dielectric tensor in anisotropic materials (1995)

Alonso, M. I. ; Garriga, M. ; Alsina, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(5): 596-598. Published 1995 Jul 31. doi: 10.1063/1.115400.

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Unbekannt

The sticking coefficient of barium on a MgO substrate measured by laser induced fluorescence (1995)

Gabbanini, C. ; Gozzini, S. ; Lucchesini, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(5): 715-717. Published 1995 Jul 31. doi: 10.1063/1.115284.

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Unbekannt

Preparation of nitrogen containing carbon films using chemical vapor deposition enhanced by electron cyclotron resonance plasma (1995)

Inoue, Tohru ; Ohshio, Shigeo ; Saitoh, Hidetoshi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(3): 353-355. Published 1995 Jul 17. doi: 10.1063/1.115442.

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Unbekannt

Precipitation of superconducting, single phase EuBa2Cu4O8 from molten hydroxide at 475 °C (1995)

Sandford, David ; Marquez, Linda N. ; Stacy, Angelica M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(3): 422-423. Published 1995 Jul 17. doi: 10.1063/1.114619.

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Unbekannt

Defect‐free band‐edge photoluminescence and band gap measurement of pseudomorphic Si1−x−yGexCy alloy layers on Si (100) (1995)

St. Amour, A. ; Liu, C. W. ; Sturm, J. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(26): 3915-3917. Published 1995 Dec 25. doi: 10.1063/1.115316.

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92

Unbekannt

Direct measurements of the true vibrational amplitudes in shear force microscopy (1995)

Wei, Chih‐Chun ; Wei, Pei‐Kuen ; Fann, Wunshain

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(26): 3835-3837. Published 1995 Dec 25. doi: 10.1063/1.115289.

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Unbekannt

Anomalous temperature effect in electric field orientation of poly(cyclohexylmethylsilane) (1995)

Nakayama, Yoshikazu ; Hirooka, Keiichi ; West, Robert

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(5): 638-640. Published 1995 Jul 31. doi: 10.1063/1.115187.

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Unbekannt

Improved AlGaInP‐based red (670–690 nm) surface‐emitting lasers with novel C‐doped short‐cavity epitaxial design (1995)

Schneider, R. P. ; Hagerott Crawford, M. ; Choquette, K. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(3): 329-331. Published 1995 Jul 17. doi: 10.1063/1.115434.

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Publikationsdatum: 1995-07-17

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Unbekannt

Visible luminescence from semiconductor quantum dots in large ensembles (1995)

Leon, R. ; Fafard, S. ; Leonard, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(4): 521-523. Published 1995 Jul 24. doi: 10.1063/1.115175.

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Unbekannt

Theoretical study of chlorine adsorption on GaAs(111)A surfaces (1995)

Guo‐Ping, Jiang ; Ruda, Harry E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 67(22): 3334-3336. Published 1995 Nov 27. doi: 10.1063/1.115238.

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Unbekannt

Salient nonlinear optical properties of novel organic crystals comprising π‐conjugated ketones (1995)

Kawamata, Jun ; Inoue, Kuon ; Inabe, Tamotsu

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 66(23): 3102-3104. Published 1995 Jun 05. doi: 10.1063/1.113616.

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Publikationsdatum: 1995-06-05

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98

Unbekannt

Nanometer‐scale recording on chalcogenide films with an atomic force microscope (1995)

Kado, H. ; Tohda, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 66(22): 2961-2962. Published 1995 May 29. doi: 10.1063/1.114243.

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Publikationsdatum: 1995-05-29

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Unbekannt

Polarization rotation modulator in a strained [110]‐oriented multiple quantum well (1995)

McCallum, D. S. ; Huang, X. R. ; Smirl, Arthur L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 66(21): 2885-2887. Published 1995 May 22. doi: 10.1063/1.113462.

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Publikationsdatum: 1995-05-22

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Unbekannt

Anisotropic high‐field diffusion of holes in silicon (1995)

Hinckley, J. M. ; Singh, J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1995; 66(20): 2727-2729. Published 1995 May 15. doi: 10.1063/1.113502.

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Publikationsdatum: 1995-05-15

Print ISSN: 0003-6951

Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

Publiziert von American Institute of Physics

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