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Unbekannt

Dependence of crystallographic tilt and defect distribution on mask material in epitaxial lateral overgrown GaN layers (2000)

Tomiya, S. ; Funato, K. ; Asatsuma, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(5): 636-638. Published 2000 Jul 31. doi: 10.1063/1.127069.

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Estimation of interwell terahertz gain by photon-assisted tunneling measurement in triple-barrier resonant tunneling diodes (2000)

Asada, M. ; Oguma, Y. ; Sashinaka, N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(5): 618-620. Published 2000 Jul 31. doi: 10.1063/1.127063.

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Crystallization of bulk amorphous Zr–Ti(Nb)–Cu–Ni–Al (2000)

Löffler, Jörg F. ; Bossuyt, Sven ; Glade, Stephen C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 525-527. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127032.

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Measurement of negative-ion density in high-density C4F8 plasma using a laser photodetachment technique combined with a millimeter-wave open resonator (2000)

Kono, A. ; Kato, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 495-497. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127022.

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Superconducting quantum wells for the detection of submillimeter wave electromagnetic radiation (2000)

Rahman, Faiz ; Thornton, Trevor

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 432-434. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.127000.

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Erratum: “Mechanically induced Si layer transfer in hydrogen implanted Si wafers” [Appl. Phys. Lett. 76, 2370 (2000)] (2000)

Henttinen, K. ; Suni, I. ; Lau, S. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 310-310. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126960.

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Structure variation of intersubband electron–acoustic phonon scattering rate in coupled quantum wells (2000)

Požela, K. ; Naran, S. B. ; Leburton, J.-P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 265-267. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126945.

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Interplay between segregation, roughness, and local strains in the growth of Ga0.75In0.25P alloy (2000)

Wallart, X. ; Priester, C. ; Deresmes, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 253-255. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126941.

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Nanoscale characterization of stresses in semiconductor devices by quantitative electron diffraction (2000)

Demarest, J. ; Hull, R. ; Schonenberg, K. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 412-414. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126993.

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Improved thermal stability of GaN{0001} surfaces by adsorbed C60 molecules (2000)

Nienhaus, Hermann ; Schepers, Carsten ; Grabowski, Stefan P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 403-405. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126990.

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Study of the crystalline quality of exfoliated surfaces in hydrogen-implanted silicon (2000)

Breese, M. B. H. ; Alves, L. C. ; Hoechbauer, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 268-270. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126946.

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Molecular-dynamics study of the mechanism and kinetics of void growth in ductile metallic thin films (2000)

Gungor, M. Rauf ; Maroudas, Dimitrios ; Zhou, Shujia

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 343-345. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126971.

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Room temperature InAsSb photovoltaic midinfrared detector (2000)

Rakovska, A. ; Berger, V. ; Marcadet, X. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 397-399. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126988.

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Unbekannt

Statistical analysis of near-field photoluminescence spectra of single ultrathin layers of CdSe/ZnSe (2000)

von Freymann, G. ; Kurtz, E. ; Klingshirn, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 394-396. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126987.

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Magnetocaloric effect in Gd2PdSi3 (2000)

Sampathkumaran, E. V. ; Das, I. ; Rawat, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(3): 418-420. Published 2000 Jul 17. doi: 10.1063/1.126995.

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Unbekannt

Second-harmonic spectroscopy of bulk boron-doped Si(001) (2000)

Lim, D. ; Downer, M. C. ; Ekerdt, J. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 181-183. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126917.

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Unbekannt

Si1−xGex/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors with a silicon-on-oxide reflector operating near 1.3 μm (2000)

Li, Cheng ; Yang, Qinqing ; Wang, Hongjie ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 157-159. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126909.

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Unbekannt

Erratum: “Efficiency peaks in the transient electroluminescence of multilayer organic light-emitting devices” [Appl. Phys. Lett. 76, 2170 (2000)] (2000)

Savvate’ev, V. ; Friedl, J. ; Zou, L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1560-1560. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1308052.

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Unbekannt

In situ observation of nucleation and subsequent growth of clusters in silane radio frequency discharges (2000)

Koga, Kazunori ; Matsuoka, Yasuhiro ; Tanaka, Kenichi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(2): 196-198. Published 2000 Jul 10. doi: 10.1063/1.126922.

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Unbekannt

Temperature dependence of the transition from two-dimensional to three-dimensional growth of Ge on (001)Si studied by reflection high-energy electron diffraction (2000)

Cimalla, V. ; Zekentes, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1452-1454. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1290720.

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Unbekannt

Magnetotunneling in sputtered La0.7Ca0.3MnO3/Al2O3 multilayers (2000)

Luo, Y. ; Käufler, A. ; Samwer, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1508-1510. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1290718.

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Unbekannt

Exploring the effects of tensile and compressive strain on two-dimensional electron gas properties within InGaN quantum wells (2000)

LeBoeuf, S. F. ; Aumer, M. E. ; Bedair, S. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 97-99. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126889.

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Unbekannt

Observation and first-principles calculation of buried wurtzite phases in zinc-blende CdTe thin films (2000)

Yan, Y. ; Al-Jassim, M. M. ; Jones, K. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1461-1463. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1308062.

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Unbekannt

Band-tail photoluminescence in nanocrystalline Si (2000)

Kalkan, A. Kaan ; Fonash, S. J. ; Cheng, Shang-Cong

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 55-57. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126875.

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Unbekannt

Surface photovoltage spectroscopy, photoreflectance, and reflectivity characterization of an InGaAs/GaAs/GaAlAs vertical-cavity surface-emitting laser including temperature dependence (2000)

Huang, Y. S. ; Malikova, L. ; Pollak, Fred H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 37-39. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126869.

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Unbekannt

Cd–Ne direct current glow discharge: An efficient source of ultraviolet radiation (2000)

Petrov, G. M. ; Petrova, Ts. ; Ogoyski, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 40-42. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126870.

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Unbekannt

Alignment control method for liquid crystalline molecules and its application for an all-optical device (2000)

Seomun, San-Seong ; Fukuda, Takashi ; Matsuda, Hiro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 28-30. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126866.

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Unbekannt

Reaction of Co and capping layers and its effect on CoSi2 formation in Si/SiOx/Co system (2000)

Kim, Gi Bum ; Kwak, Joon Seop ; Baik, Hong Koo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1443-1445. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1290689.

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Unbekannt

Comment on “Interstitial-type defects away from the projected ion range in high energy ion implanted and annealed silicon” [Appl. Phys. Lett. 75, 1279 (1999)] (2000)

Venezia, V. C. ; Brown, R. A. ; Kalyanaraman, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 151-152. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126906.

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Unbekannt

How a quantum-dot laser turns on (2000)

Grundmann, Marius

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(10): 1428-1430. Published 2000 Sep 04. doi: 10.1063/1.1290716.

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Unbekannt

Influences of interfacial intrinsic low-dielectric layers on the dielectric properties of sputtered (Ba,Sr)TiO3 thin films (2000)

Lee, Byoung Taek ; Hwang, Cheol Seong

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(1): 124-126. Published 2000 Jul 03. doi: 10.1063/1.126897.

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Unbekannt

Piconewton regime dynamic force microscopy in liquid (2000)

Tamayo, Javier ; Humphris, Andrew D. L. ; Miles, Mervyn J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 582-584. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127051.

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Unbekannt

Analysis of the activation energy of the subthreshold current in laser- and solid-phase-crystallized polycrystalline silicon thin-film transistors (2000)

Pichon, L. ; Mercha, A. ; Carin, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 576-578. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127049.

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Oxide thinning percolation statistical model for soft breakdown in ultrathin gate oxides (2000)

Chen, Ming-Jer ; Kang, Ting-Kuo ; Liu, Chuan-Hsi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 555-557. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127042.

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Spectroscopic measurements on the Andreev reflection probability as a function of temperature (2000)

Appenzeller, J. ; Jakob, M. ; Stahl, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 549-551. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127040.

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Saturation of THz-frequency intraband absorption in InAs/GaAs quantum dot molecules (2000)

Boucaud, P. ; Gill, K. S. ; Williams, J. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2000; 77(4): 510-512. Published 2000 Jul 24. doi: 10.1063/1.127027.

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Demonstration of finite-aperture tapered unstable resonator lasers (2003)

Bedford, Robert ; Schillgalies, Marc ; Fallahi, Mahmoud

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(5): 822-824. Published 2003 Aug 04. doi: 10.1063/1.1598292.

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Magnetization-dependent rectification effect in a Ge-based magnetic heterojunction (2003)

Tsui, F. ; Ma, L. ; He, L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(5): 954-956. Published 2003 Aug 04. doi: 10.1063/1.1597967.

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High current gain (〉2000) of GaN/InGaN double heterojunction bipolar transistors using base regrowth of p-InGaN (2003)

Makimoto, Toshiki ; Kumakura, Kazuhide ; Kobayashi, Naoki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(5): 1035-1037. Published 2003 Aug 04. doi: 10.1063/1.1597989.

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Surface plasmon resonance on microaperture vertical-cavity surface-emitting laser with metal grating (2003)

Shinada, Satoshi ; Hashizume, Jiro ; Koyama, Fumio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(5): 836-838. Published 2003 Aug 04. doi: 10.1063/1.1597979.

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Unbekannt

Direct observation of confined states in metallic single-walled carbon nanotubes (2003)

Maltezopoulos, Theophilos ; Kubetzka, André ; Morgenstern, Markus ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(5): 1011-1013. Published 2003 Aug 04. doi: 10.1063/1.1598282.

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Unbekannt

Shorted-end probes for accurate permittivity measurements with time-domain reflectometry (2003)

Cereti, Annamaria ; Pettinelli, Elena ; Galli, Alessandro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(5): 1050-1052. Published 2003 Aug 04. doi: 10.1063/1.1596724.

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Unbekannt

Quantum-well microtube constructed from a freestanding thin quantum-well layer (2003)

Hosoda, M. ; Kishimoto, Y. ; Sato, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(5): 1017-1019. Published 2003 Aug 04. doi: 10.1063/1.1599621.

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Unbekannt

Response to “Comment on ‘Graded ferroelectric thin films: Possible origin of the shift along the polarization axis’ ” [Appl. Phys. Lett. 83, 809 (2003)] (2003)

Poullain, G. ; Bouregba, R. ; Vilquin, B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 811-811. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1592006.

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Unbekannt

Characterization of channel strain evolution upon the silicidation of recessed source/drain Si1−xGex structures (2011)

Kim, S.-W. ; Yoo, J.-H. ; Koo, S.-M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 133107. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3633346.

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Unbekannt

Ellipsometric demonstration of the existence of a strong correlation between size distribution and optical responses of silicon nanoclusters in a nitride matrix (2011)

Keita, A.-S. ; En Naciri, A. ; Delachat, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 131903. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644131.

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Unbekannt

All-optical fabrication of three-dimensional photonic crystals in photopolymers by multiplex-exposure holographic recording (2011)

Orlic, Susanna ; Müller, Christian ; Schlösser, Alexander

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 131105. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644395.

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Unbekannt

n-AlGaAs/p-GaAs/n-GaN heterojunction bipolar transistor wafer-fused at 550–750 °C (2003)

Estrada, Sarah ; Huntington, Andrew ; Stonas, Andreas ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(3): 560-562. Published 2003 Jul 21. doi: 10.1063/1.1592887.

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Unbekannt

Bipolar cascade lasers at emitting wavelengths near 2 μm (2003)

Yang, Rui Q. ; Qiu, Yueming

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 599-601. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1595713.

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Unbekannt

Transport characteristics of InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetectors (2003)

Lin, Shih-Yen ; Tsai, Yao-Jen ; Lee, Si-Chen

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 752-754. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1594285.

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Unbekannt

Spin-polarized injection into YBaCu3O7 grain boundary junctions (2003)

Ireland, J. ; Chakalov, R. ; Colclough, M. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 725-727. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1596383.

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Unbekannt

Negative differential resistance effects of trench-type InGaAs quantum-wire field-effect transistors with 50-nm gate-length (2003)

Jang, Kee-Youn ; Sugaya, Takeyoshi ; Hahn, Cheol-Koo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 701-703. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1595150.

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Unbekannt

Sensitivity of amorphous silicon-germanium solar cells to oxygen impurity atoms (2003)

Ganguly, G. ; Carlson, D. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 683-685. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1596376.

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Unbekannt

Nb/yttria-stabilized-zirconia/Nb nonhysteretic Josephson junctions (2003)

Lam, S. K. H. ; Gnanarajan, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 716-718. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1595718.

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Unbekannt

Polar-fluoropolymer blends with tailored nanostructures for high energy density low loss capacitor applications (2011)

Wu, Shan ; Lin, Minren ; Lu, S. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 132901. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3645009.

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Unbekannt

Ferromagnetism in ZnO co-doped with Mn and N studied by soft x-ray magnetic circular dichroism (2011)

Kataoka, T. ; Yamazaki, Y. ; Singh, V. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 132508. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3643044.

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Unbekannt

Inter/intra granular exchange and thermal activation in nanoscale granular magnetic materials (2011)

Morrison, C. ; Saharan, L. ; Hrkac, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 132507. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644469.

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Unbekannt

650-nm AlGaInP multiple-quantum-well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition using tertiarybutylphosphine (2003)

Dong, Jian-Rong ; Teng, Jing-Hua ; Chua, Soo-Jin ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 596-598. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1593782.

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Unbekannt

Method based on polarized infrared spectroscopy for the determination of the spatial orientation of transition dipole moments of a ferroelectric liquid crystal (2003)

Zhao, Jinggang ; Ozaki, Yukihiro

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 389-391. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1586991.

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Unbekannt

High quality atomic-layer-deposited ultrathin Si-nitride gate dielectrics with low density of interface and bulk traps (2003)

Nakajima, Anri ; Khosru, Quazi D. M. ; Yoshimoto, Takashi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 335-337. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1590424.

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Unbekannt

Magnetization configuration and switching behavior of submicron NiFe elements: Pac-man shape (2003)

Park, M. H. ; Hong, Y. K. ; Gee, S. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 329-331. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592002.

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Unbekannt

Oxygen profile engineering in silicon by germanium addition and high-temperature annealing (2003)

An, Zhenghua ; Chu, Paul K. ; Zhang, Miao ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 305-307. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592884.

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Unbekannt

Single-electron transistor based on modulation-doped SiGe heterostructures (2003)

Notargiacomo, A. ; Di Gaspare, L. ; Scappucci, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 302-304. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592883.

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Unbekannt

Correlation between the ordered structure and the valence-band splitting in highly strained CdxZn1−xTe epilayers (2003)

Kim, T. W. ; Kwack, K. D. ; Park, J. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 269-271. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592622.

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Unbekannt

Effects of film polarities on InN growth by molecular-beam epitaxy (2003)

Xu, K. ; Yoshikawa, A.

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In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 251-253. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592309.

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Unbekannt

Simultaneous cw red, yellow, and green light generation, “traffic signal lights,” by frequency doubling and sum-frequency mixing in an aperiodically poled LiTaO3 (2003)

He, Jing-Liang ; Liao, Jun ; Liu, Hui ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 228-230. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592635.

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Unbekannt

Imaging the strain fields resulting from laser micromachining of semiconductors (2003)

Borowiec, A. ; Bruce, D. M. ; Cassidy, Daniel T. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 225-227. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1591241.

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Richter, Klaus W. ; Hiebl, Kurt

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(3): 497-499. Published 2003 Jul 21. doi: 10.1063/1.1594289.

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In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 216-218. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592619.

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American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(1): 69-71. Published 2003 Jul 07. doi: 10.1063/1.1588371.

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American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(3): 452-454. Published 2003 Jul 21. doi: 10.1063/1.1590731.

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American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(1): 45-47. Published 2003 Jul 07. doi: 10.1063/1.1589180.

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In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 131902. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3641458.

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Zhang, Rui ; Jiang, Bei ; Cao, Wenwu

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In: Applied Physics Letters. 2003; 83(1): 204-204. Published 2003 Jul 07. doi: 10.1063/1.1592624.

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Gao, Y. ; Wong, S. P. ; Cheung, W. Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(4): 638-640. Published 2003 Jul 28. doi: 10.1063/1.1594832.

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Electronic structure of the nitride-like structures formed on platinum and titanium nanoclusters (2011)

Grishin, M. ; Gatin, A. ; Kharitonov, V. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 133104. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644499.

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Light emission phenomena in dechlorination process of polychlorinated biphenyls by irradiating microwave (2011)

Kumada, A. ; Morimoto, T. ; Hidaka, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 131503. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644133.

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1.3 μm light amplification in dye-doped hybrid sol-gel channel waveguides (2003)

Casalboni, M. ; De Matteis, F. ; Merlo, V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(3): 416-418. Published 2003 Jul 21. doi: 10.1063/1.1593227.

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Assembly of mm-scale macrobridges with carbon nanotube bundles (2003)

Cao, Anyuan ; Ajayan, P. M. ; Ramanath, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 356-358. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1591245.

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Ion characteristics of laser-produced plasma using a pair of collinear femtosecond laser pulses (2003)

Zhang, Z. ; Van Rompay, P. A. ; Pronko, P. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(3): 431-433. Published 2003 Jul 21. doi: 10.1063/1.1592616.

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Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum nanoparticles prepared by vapor condensation (2003)

Chiu, J.-J. ; Wang, W.-S. ; Kei, C.-C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 347-349. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1591249.

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Unbekannt

Refraction as imaging signal for computerized (neutron) tomography (2003)

Treimer, W. ; Strobl, M. ; Hilger, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 398-400. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1591066.

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Structural and ferroelectric studies of Bi3.44La0.56Ti3O12 films (2003)

Tomar, M. S. ; Melgarejo, R. E. ; Hidalgo, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 341-343. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592308.

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Unbekannt

Dc-transport properties of ferromagnetic (Ga,Mn)As semiconductors (2003)

Jungwirth, T. ; Sinova, Jairo ; Wang, K. Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 320-322. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1590433.

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Unbekannt

Materials dependence of the spin-momentum transfer efficiency and critical current in ferromagnetic metal/Cu multilayers (2003)

Pufall, M. R. ; Rippard, W. H. ; Silva, T. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 323-325. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1590432.

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Unbekannt

Band alignment on a nanoscopically patterned inorganic–organic interface (2003)

Koller, G. ; Netzer, F. P. ; Ramsey, M. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(3): 563-565. Published 2003 Jul 21. doi: 10.1063/1.1592886.

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Unbekannt

Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics (2011)

Lv, Yuanjie ; Lin, Zhaojun ; Meng, Lingguo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 123504. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3643139.

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Unbekannt

Wide-band-tunable photomixers using resonant laser-assisted field emission (2003)

Hagmann, Mark J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(1): 1-2. Published 2003 Jul 07. doi: 10.1063/1.1589163.

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Unbekannt

Experimental and computational estimate of bipolar flow parameters in an explosive field emission cathode (2003)

Shiffler, D. ; Cartwright, K. L. ; Lawrence, Kim ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(3): 428-430. Published 2003 Jul 21. doi: 10.1063/1.1589164.

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Unbekannt

Microwave breakdown of low pressure N2 gas in microgaps (2011)

Klein, T. J. ; Ploch, Christopher J. ; Recknagel, Cameron J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121503. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3641900.

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Unbekannt

Cut-off frequencies of Lamb waves in various functionally graded thin films (2011)

Cao, Xiaoshan ; Shi, Junping ; Jin, Feng

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121907. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3640478.

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Unbekannt

Near-infrared luminescent and antireflective in SiO2/YVO4:Yb3+ bilayer films for c-Si solar cells (2011)

Peng, Yingjie ; Liu, Jie ; Zhang, Kun ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121110. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3630003.

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Silicon-based field-effect-transistor cantilever for surface potential mapping (2003)

Suh, Moon Suhk ; Choi, J. H. ; Kuk, Young ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 386-388. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1591231.

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AlGaAs superlattice microcoolers (2003)

Zhang, Jizhi ; Anderson, Neal G. ; Lau, Kei May

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 374-376. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1591242.

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Red electrophosphorescence devices based on rhenium complexes (2003)

Li, Feng ; Zhang, Ming ; Feng, Jing ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 365-367. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592633.

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Magneto-optical characteristics of magnetic nanowire arrays in anodic aluminum oxide templates (2003)

Peng, Yong ; Shen, T.-H. ; Ashworth, Brian ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 362-364. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1590427.

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Relaxation times in exchange-biased nanostructures (2003)

Mejı́a-López, José ; Altbir, D. ; Schuller, Iván K.

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In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 332-334. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592637.

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Effect of Zr concentration on the microstructure of Al and the magnetoresistance properties of the magnetic tunnel junction with a Zr-alloyed Al–oxide barrier (2003)

Lee, Seong-Rae ; Choi, Chul-Min ; Kim, Young Keun

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In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 317-319. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1592312.

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Intense vortex pinning enhanced by semicrystalline defect traps in self-aligned nanostructured MgB2 (2003)

Li, S. ; White, T. ; Laursen, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 83(2): 314-316. Published 2003 Jul 14. doi: 10.1063/1.1591070.

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Real-time in situ x-ray diffraction as a method to control epitaxial growth (2003)

Bader, A. S. ; Faschinger, W. ; Schumacher, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2003; 82(26): 4684-4686. Published 2003 Jun 30. doi: 10.1063/1.1582360.

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Publikationsdatum: 2003-06-30

Print ISSN: 0003-6951

Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

Publiziert von American Institute of Physics

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