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Unbekannt

The boundary element method for stress concentrations and fracture problems (1986)

S. Ellis ; R. N. L. Smith ; J. C. Mason ; [weitere]

Institute of Physics

In: Professional Paper, Boundary Element Methods. Theory and Application, Bristol, Institute of Physics, vol. 9, no. 16, pp. 1-23, (ISBN 1-4020-1729-4)

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Publikationsdatum: 1986

Schlagwort(e): Stress ; Rock mechanics ; Stress intensity factor ; Boundary Element Method ; Fracture ; ENDNOTE?

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Boundary Element Methods. Theory and Application (1986)

Stress Analysis Group of the Institute of Physics,

Institute of Physics

In: Bristol, Institute of Physics, vol. 8, no. Publ. No. 12, pp. 95-104, (ISBN 0-865-42078-5)

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Publikationsdatum: 1986

Schlagwort(e): Rock mechanics ; Fracture ; Boundary Element Method ; Elasticity ; Dynamic

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Diffraction‐corrected subsurface imaging with a scanning laser acoustic microscope (1986)

Mueller, Rolf K. ; Robbins, William P. ; Zhou, Z. Q. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(23): 1577-1578. Published 1986 Jun 09. doi: 10.1063/1.96873.

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Publikationsdatum: 1986-06-09

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Narrow spectral linewidth semiconductor optical‐fiber ring laser (1986)

Tai, Shuichi ; Kojima, Keisuke ; Noda, Susumu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1328-1330. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97367.

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Publikationsdatum: 1986-11-17

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Stability of nitrogen‐rich titanium nitride and zirconium nitride films (1986)

Salmenoja, K. ; Korhonen, A. S. ; Erola, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(9): 505-506. Published 1986 Sep 01. doi: 10.1063/1.97131.

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Publikationsdatum: 1986-09-01

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Phase‐locked shallow mesa graded barrier quantum well laser arrays (1986)

Mawst, L. J. ; Givens, M. E. ; Emanuel, M. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(20): 1337-1339. Published 1986 May 19. doi: 10.1063/1.96953.

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Publikationsdatum: 1986-05-19

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Kinetics of arsenic activation and clustering in high dose implanted silicon (1986)

Kamgar, Avid ; Baiocchi, F. A. ; Sheng, T. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(16): 1090-1092. Published 1986 Apr 21. doi: 10.1063/1.96607.

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Publikationsdatum: 1986-04-21

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Nonperiodic power coupling in highly birefringent nonlinear optical fibers (1986)

Vatarescu, A.

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In: Applied Physics Letters. 1986; 49(21): 1409-1411. Published 1986 Nov 24. doi: 10.1063/1.97337.

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Publikationsdatum: 1986-11-24

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Single‐crystal, optical interference filters and integrated high reflector/photodiode using multilayers of GaP and GaAsxP1−x (1986)

Gourley, P. L. ; Biefeld, R. M. ; Zipperian, T. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(5): 242-244. Published 1986 Aug 04. doi: 10.1063/1.97619.

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Formation ofp‐type GaAs layers using Mg+implantation and capless rapid thermal annealing (1986)

Masum Choudhury, A. N. M. ; Armiento, C. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(26): 1787-1789. Published 1986 Dec 29. doi: 10.1063/1.97191.

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Publikationsdatum: 1986-12-29

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Epitaxial growth of β‐SiC thin films on 6Hα‐SiC substrates via chemical vapor deposition (1986)

Kong, H. S. ; Glass, J. T. ; Davis, R. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(17): 1074-1076. Published 1986 Oct 27. doi: 10.1063/1.97479.

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Electron beam induced current and cathodoluminescence study of the recombination activity of stacking faults and hillocks in hydride vapor phase epitaxy InP (1986)

Attolini, G. ; Frigeri, C. ; Pelosi, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(3): 167-169. Published 1986 Jul 21. doi: 10.1063/1.97213.

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Photothermal modulation of the gap distance in scanning tunneling microscopy (1986)

Amer, Nabil M. ; Skumanich, Andrew ; Ripple, Dean

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(3): 137-139. Published 1986 Jul 21. doi: 10.1063/1.97203.

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High quality zinc sulfide epitaxial layers grown on (100) silicon by molecular beam epitaxy (1986)

Yokoyama, Meiso ; Kashiro, Ko‐ichi ; Ohta, Shin‐ichi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(7): 411-412. Published 1986 Aug 18. doi: 10.1063/1.97604.

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Development and origin of conical structures on XeCl laser ablated polyimide (1986)

Dyer, P. E. ; Jenkins, S. D. ; Sidhu, J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(8): 453-455. Published 1986 Aug 25. doi: 10.1063/1.97113.

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F2fuel performance in XeF lasers at ambient and elevated temperatures (1986)

Kimura, W. D. ; Moody, S. E. ; Seamans, J. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(5): 255-256. Published 1986 Aug 04. doi: 10.1063/1.97187.

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Behavior of inversion layers in 3C silicon carbide (1986)

Avila, R. E. ; Kopanski, J. J. ; Fung, C. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(6): 334-336. Published 1986 Aug 11. doi: 10.1063/1.97159.

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Unbekannt

Widely separate wavelength switching of single quantum well laser diode by injection‐current control (1986)

Tokuda, Yasunori ; Tsukada, Noriaki ; Fujiwara, Kenzo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(24): 1629-1631. Published 1986 Dec 15. doi: 10.1063/1.97248.

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Publikationsdatum: 1986-12-15

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Focused ion beam induced deposition of gold (1986)

Shedd, G. M. ; Lezec, H. ; Dubner, A. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(23): 1584-1586. Published 1986 Dec 08. doi: 10.1063/1.97287.

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Publikationsdatum: 1986-12-08

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Unbekannt

New method to determine the carbon concentration in silicon (1986)

Weber, J. ; Singh, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(23): 1617-1619. Published 1986 Dec 08. doi: 10.1063/1.97246.

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Publikationsdatum: 1986-12-08

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Unbekannt

Temperature‐dependent optical spectra of single quantum wells fabricated using interrupted molecular beam epitaxial growth (1986)

Koteles, Emil S. ; Elman, B. S. ; Jagannath, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(21): 1465-1467. Published 1986 Nov 24. doi: 10.1063/1.97304.

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Publikationsdatum: 1986-11-24

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Unbekannt

Amorphous SiN:H dielectrics with low density of defects (1986)

Hasegawa, S. ; Matuura, M. ; Kurata, Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(19): 1272-1274. Published 1986 Nov 10. doi: 10.1063/1.97383.

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Publikationsdatum: 1986-11-10

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Unbekannt

Stability of nonlinear stationary waves guided by a thin film bounded by nonlinear media (1986)

Moloney, J. V. ; Ariyasu, J. ; Seaton, C. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(13): 826-828. Published 1986 Mar 31. doi: 10.1063/1.96680.

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Publikationsdatum: 1986-03-31

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Unbekannt

New silicon‐on‐insulator technology using a two‐step oxidation technique (1986)

Lin, T. L. ; Wang, K. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(17): 1104-1106. Published 1986 Oct 27. doi: 10.1063/1.97435.

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Publikationsdatum: 1986-10-27

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Unbekannt

Anomalous distance dependence in scanning tunneling microscopy (1986)

Bryant, A. ; Smith, D. P. E. ; Binnig, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(15): 936-938. Published 1986 Oct 13. doi: 10.1063/1.97489.

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Publikationsdatum: 1986-10-13

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Unbekannt

Electrostatic lenses with very small spherical aberration (1986)

Szilagyi, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(13): 767-769. Published 1986 Sep 29. doi: 10.1063/1.97541.

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Publikationsdatum: 1986-09-29

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Unbekannt

Zn diffusion in InP: Effect of substrate dopant concentration (1986)

Serreze, H. B. ; Marek, H. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(4): 210-211. Published 1986 Jul 28. doi: 10.1063/1.97173.

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Publikationsdatum: 1986-07-28

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Unbekannt

Evidence of a charge induced contribution to the sputtering yield of insulating and semiconducting materials (1986)

Eccles, A. J. ; van den Berg, J. A. ; Brown, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(4): 188-190. Published 1986 Jul 28. doi: 10.1063/1.97165.

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Molecular beam epitaxial growth of a novel strained‐layer superlattice system: CdTe‐ZnTe (1986)

Monfroy, G. ; Sivananthan, S. ; Chu, X. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(3): 152-154. Published 1986 Jul 21. doi: 10.1063/1.97208.

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Unbekannt

Base transport dynamics in a heterojunction bipolar transistor (1986)

Hayes, J. R. ; Levi, A. F. J. ; Gossard, A. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(21): 1481-1483. Published 1986 Nov 24. doi: 10.1063/1.97309.

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Photopumped laser operation of AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well heterostructures with Se and Mg sheet doping (1986)

Kaliski, R. W. ; Holonyak, N. ; Hsieh, K. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1390-1392. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97333.

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Unbekannt

Epitaxial Hg1−xCdxTe growth by low‐temperature metalorganic chemical vapor deposition (1986)

Lu, P.‐Y. ; Wang, C.‐H. ; Williams, L. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1372-1374. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97328.

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Unbekannt

Transport and persistent photoconductivity in InGaAs/InP single quantum wells (1986)

Anderson, D. A. ; Bass, S. J. ; Kane, M. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1360-1362. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97324.

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Unbekannt

Measurements of the critical resolved shear stress for indium‐doped and undoped GaAs single crystals (1986)

Tabache, M. G. ; Bourret, E. D. ; Elliot, A. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(5): 289-291. Published 1986 Aug 04. doi: 10.1063/1.97144.

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Publikationsdatum: 1986-08-04

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Unbekannt

Diffusion model for the laser oxidation of metallic samples in air (1986)

Ursu, I. ; Nanu, L. ; Mihăilescu, I. N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(2): 109-111. Published 1986 Jul 14. doi: 10.1063/1.97401.

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Detection of phonons with a scanning tunneling microscope (1986)

Smith, Douglas P. E. ; Binnig, Gerd ; Quate, Calvin F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(24): 1641-1643. Published 1986 Dec 15. doi: 10.1063/1.97252.

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Electron density measurements of electron beam pumped XeCl laser mixtures (1986)

Kimura, W. D. ; Guyer, Dean R. ; Moody, S. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(23): 1569-1571. Published 1986 Dec 08. doi: 10.1063/1.97282.

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Observation of boron acceptor neutralization in silicon produced by CF4reactive ion etching or Ar ion beam etching (1986)

Mu, X. C. ; Fonash, S. J. ; Singh, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(2): 67-69. Published 1986 Jul 14. doi: 10.1063/1.97354.

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Inversion layers on germanium with low‐temperature‐deposited aluminum‐phosphorus oxide dielectric films (1986)

Chang, R. P. H. ; Fiory, A. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(22): 1534-1536. Published 1986 Dec 01. doi: 10.1063/1.97273.

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Thermal donor formation in electron‐irradiated Czochralski silicon (1986)

Svensson, Johan ; Svensson, Bengt G. ; Lindström, J. Lennart

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(21): 1435-1437. Published 1986 Nov 24. doi: 10.1063/1.97346.

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Fabrication of small laterally patterned multiple quantum wells (1986)

Scherer, A. ; Craighead, H. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(19): 1284-1286. Published 1986 Nov 10. doi: 10.1063/1.97387.

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Unbekannt

Contact structure formed in the Ni/Al/Si system due to rapid thermal melting (1986)

Katz, A. ; Komem, Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(22): 1508-1510. Published 1986 Dec 01. doi: 10.1063/1.97316.

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Unbekannt

Room‐temperature negative differential resistance in strained‐layer GaAs‐AlGaAs‐InGaAs quantum well heterostructures (1986)

Lee, G. S. ; Hsieh, K. Y. ; Kolbas, R. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(22): 1528-1530. Published 1986 Dec 01. doi: 10.1063/1.97271.

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Unbekannt

Effect of substrate temperature on the nucleation of glow discharge hydrogenated amorphous silicon (1986)

Collins, R. W. ; Cavese, J. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(18): 1207-1209. Published 1986 Nov 03. doi: 10.1063/1.97416.

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Unbekannt

New singlet oxygen generator for chemical oxygen‐iodine lasers (1986)

Yoshida, S. ; Saito, H. ; Fujioka, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(18): 1143-1144. Published 1986 Nov 03. doi: 10.1063/1.97447.

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Unbekannt

Study of nonstoichiometry in undoped semi‐insulating GaAs using precise lattice parameter measurements (1986)

Nakajima, Masato ; Sato, Takashi ; Inada, Tomoki ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(19): 1251-1253. Published 1986 Nov 10. doi: 10.1063/1.97377.

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Unbekannt

Experimental measurement of a high‐field dipole in GaAs field‐effect transistors (1986)

Abeles, J. H. ; Leheny, R. F. ; Chang, G. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1387-1389. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97332.

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Unbekannt

Electroelastic effect in layer acoustic mode propagation along ZnO films on Si substrates (1986)

Palmieri, L. ; Socino, G. ; Verona, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(23): 1581-1583. Published 1986 Dec 08. doi: 10.1063/1.97286.

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Unbekannt

Gaussian beam excitation of TE0nonlinear guided waves (1986)

Wright, E. M. ; Stegeman, G. I. ; Seaton, C. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(8): 435-436. Published 1986 Aug 25. doi: 10.1063/1.97134.

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Unbekannt

Low pressure organometallic vapor phase epitaxial growth of device quality GaAs directly on (100) Si (1986)

Shastry, S. K. ; Zemon, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(8): 467-469. Published 1986 Aug 25. doi: 10.1063/1.97118.

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Unbekannt

Native oxide encapsulation for annealing boron‐implanted Hg1−xCdxTe (1986)

Kao, T.‐M. ; Sigmon, T. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(8): 464-466. Published 1986 Aug 25. doi: 10.1063/1.97117.

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Unbekannt

Study of ballistic transport in Si‐CoSi2‐Si metal base transistors (1986)

Rosencher, E. ; Badoz, P. A. ; Pfister, J. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(5): 271-273. Published 1986 Aug 04. doi: 10.1063/1.97138.

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Unbekannt

Heterojunction bipolar transistor using pseudomorphic GaInAs for the base (1986)

Enquist, P. M. ; Ramberg, L. R. ; Najjar, F. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(3): 179-180. Published 1986 Jul 21. doi: 10.1063/1.97217.

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Unbekannt

Reverse‐bias current‐electric field characteristics of amorphous silicon films with blocking layers: Thickness dependence (1986)

Kakinuma, H. ; Nishikawa, S. ; Watanabe, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(3): 149-151. Published 1986 Jul 21. doi: 10.1063/1.97207.

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Unbekannt

Chemical and electronic structure of InSb‐CdTe interfaces (1986)

Mackey, K. J. ; Allen, P. M. G. ; Herrenden‐Harker, W. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(6): 354-356. Published 1986 Aug 11. doi: 10.1063/1.97585.

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Unbekannt

Induced resonance electron cyclotron quasi‐optical maser in an open resonator (1986)

Sprangle, P. ; Tang, C. M. ; Serafim, P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(18): 1154-1156. Published 1986 Nov 03. doi: 10.1063/1.97451.

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Unbekannt

Optical probing of the mechanical impulse response of a transducer (1986)

Royer, D. ; Dieulesaint, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(17): 1056-1058. Published 1986 Oct 27. doi: 10.1063/1.97473.

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Unbekannt

Interface charge polarity of a polar on nonpolar semiconductor GaAs/Si with Ga and As prelayers (1986)

Won, T. ; Munns, G. ; Houdré, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(19): 1257-1259. Published 1986 Nov 10. doi: 10.1063/1.97379.

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59

Unbekannt

Hybrid phase conjugator/modulators using self‐pumped 0°‐cut and 45°‐cut BaTiO3crystals (1986)

Pepper, David M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(16): 1001-1003. Published 1986 Oct 20. doi: 10.1063/1.97504.

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Unbekannt

Dangling bond electron spin‐lattice relaxation in rf‐sputtered hydrogenated amorphous silicon and silicon carbide (1986)

Dey, S. ; Torgeson, D. R. ; Barnes, R. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(17): 1092-1094. Published 1986 Oct 27. doi: 10.1063/1.97431.

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Unbekannt

Ultrafast all‐optical gate with subpicosecondONandOFFresponse time (1986)

Hulin, D. ; Mysyrowicz, A. ; Antonetti, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(13): 749-751. Published 1986 Sep 29. doi: 10.1063/1.97535.

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Unbekannt

Study of deep level centers at excited states in GaP by means of transient optical absorption spectroscopy (1986)

Shibata, Hiromasa ; Eshita, Takeshi ; Tanimura, Katsumi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(14): 877-879. Published 1986 Oct 06. doi: 10.1063/1.97522.

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Publikationsdatum: 1986-10-06

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Unbekannt

InGaAsP closely spaced dual wavelength laser (1986)

Dutta, N. K. ; Cella, T. ; Zilko, J. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(25): 1725-1726. Published 1986 Jun 23. doi: 10.1063/1.96815.

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Unbekannt

Erratum: ‘‘Ballistic’’ injection devices in semiconductors [Appl. Phys. Lett. 48, 1609 (1986)] (1986)

Levi, A. F. J. ; Hayes, J. R. ; Bhat, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(19): 1312-1312. Published 1986 Nov 10. doi: 10.1063/1.97641.

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Unbekannt

Erratum: Delta‐doped ohmic contacts to n‐GaAs [Appl. Phys. Lett. 49, 292 (1986)] (1986)

Schubert, E. F. ; Cunningham, J. E. ; Tsang, W. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(15): 984-984. Published 1986 Oct 13. doi: 10.1063/1.97640.

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Unbekannt

Patterning of fine structures in silicon dioxide layers by ion beam exposure and wet chemical etching (1986)

Cleaver, J. R. A. ; Heard, P. J. ; Evason, A. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(11): 654-656. Published 1986 Sep 15. doi: 10.1063/1.97070.

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Low current threshold AlGaAs visible laser diodes with an (AlGaAs)m(GaAs)nsuperlattice quantum well (1986)

Hayakawa, T. ; Suyama, T. ; Takahashi, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(11): 636-638. Published 1986 Sep 15. doi: 10.1063/1.97064.

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Zone refining and enhancement of solid phase epitaxial growth rates in Au‐implanted amorphous Si (1986)

Jacobson, D. C. ; Poate, J. M. ; Olson, G. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(2): 118-120. Published 1986 Jan 13. doi: 10.1063/1.96970.

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Infrared spectrophotometry of carbon‐induced localized vibrational mode in indium‐doped liquid‐encapsulated Czochralski GaAs (1986)

Kitagawara, Y. ; Itoh, T. ; Noto, N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(12): 788-790. Published 1986 Mar 24. doi: 10.1063/1.96670.

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Phase insensitive detection of laser‐generated ultrasound (1986)

Hutchins, D. A. ; Page, J. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(5): 323-325. Published 1986 Feb 03. doi: 10.1063/1.96540.

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Effect of ion beam mixing on wear and friction of Fe‐Ti multilayered structure on AISI 304 stainless steel (1986)

Hirvonen, J‐P. ; Nastasi, M. ; Mayer, J. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1345-1347. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97373.

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Gain measurements near 351 nm in3He/Xe/NF3mixtures excited by fragments from the3He(n, p) 3H reaction (1986)

Hays, G. N. ; McArthur, D. A. ; Neal, D. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(7): 363-365. Published 1986 Aug 18. doi: 10.1063/1.97587.

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Optical emission at 1.32 μm from sulfur‐doped crystalline silicon (1986)

Brown, T. G. ; Hall, D. G.

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In: Applied Physics Letters. 1986; 49(5): 245-247. Published 1986 Aug 04. doi: 10.1063/1.97183.

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Limitations to the open circuit voltage of amorphous silicon solar cells (1986)

Hack, M. ; Shur, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(21): 1432-1434. Published 1986 Nov 24. doi: 10.1063/1.97345.

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Unbekannt

New measurement technique: cw electro‐optic probing of electric fields (1986)

Zhu, Z. H. ; Weber, J‐P. ; Wang, S. Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(8): 432-434. Published 1986 Aug 25. doi: 10.1063/1.97636.

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n‐InAs/GaAs heterostructure superconducting weak links with Nb electrodes (1986)

Kleinsasser, A. W. ; Jackson, T. N. ; Pettit, G. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(25): 1741-1743. Published 1986 Dec 22. doi: 10.1063/1.97233.

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X‐ray study of misfit strain relaxation in lattice‐mismatched heterojunctions (1986)

Kamigaki, K. ; Sakashita, H. ; Kato, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(17): 1071-1073. Published 1986 Oct 27. doi: 10.1063/1.97478.

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Unbekannt

Laser beam modulator and pulse former with an adjustable transmission‐voltage characteristic provided by persistent spectral hole burning (1986)

Schätz, P. ; Bogner, U. ; Maier, Max

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(18): 1132-1134. Published 1986 Nov 03. doi: 10.1063/1.97443.

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Rotating ring fluxon oscillators: Gyroscopic effects (1986)

Marchesoni, Fabio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(17): 1115-1117. Published 1986 Oct 27. doi: 10.1063/1.97439.

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Miniature high current metal ion source (1986)

Brown, I. G. ; Galvin, J. E. ; MacGill, R. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(16): 1019-1021. Published 1986 Oct 20. doi: 10.1063/1.97458.

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Publikationsdatum: 1986-10-20

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Unbekannt

Inverted thermal conversion—GaAs, a new alternative material for integrated circuits (1986)

Lagowski, J. ; Gatos, H. C. ; Kang, C. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(14): 892-894. Published 1986 Oct 06. doi: 10.1063/1.97527.

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Publikationsdatum: 1986-10-06

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Unbekannt

Enhancement mode InP metal‐insulator‐semiconductor field‐effect transistors grown by chemical beam epitaxy (1986)

Antreasyan, A. ; Tsang, W. T. ; Garbinski, P. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(14): 874-876. Published 1986 Oct 06. doi: 10.1063/1.97521.

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Publikationsdatum: 1986-10-06

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Unbekannt

Compact room‐temperature metal vapor laser (1986)

Anders, A. K. ; Harvey, E. C. ; Tobin, R. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(15): 923-924. Published 1986 Oct 13. doi: 10.1063/1.97485.

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Publikationsdatum: 1986-10-13

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Unbekannt

Threshold current of single quantum well lasers: The role of the confining layers (1986)

Nagle, J. ; Hersee, S. ; Krakowski, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(20): 1325-1327. Published 1986 Nov 17. doi: 10.1063/1.97366.

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Unbekannt

Dose‐dependent mixing of AlAs‐GaAs superlattices by Si ion implantation (1986)

Venkatesan, T. ; Schwarz, S. A. ; Hwang, D. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(12): 701-703. Published 1986 Sep 22. doi: 10.1063/1.97635.

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Publikationsdatum: 1986-09-22

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Unbekannt

Time‐of‐flight studies of minority‐carrier diffusion in AlxGa1−xAs homojunctions (1986)

Ahrenkiel, R. K. ; Dunlavy, D. J. ; Hamaker, H. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(12): 725-727. Published 1986 Sep 22. doi: 10.1063/1.97580.

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Unbekannt

Magnetic properties of cobalt nitride thin films (1986)

Matsuoka, Morito ; Ono, Ken’ichi ; Inukai, Takashi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(15): 977-979. Published 1986 Oct 13. doi: 10.1063/1.97501.

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Unbekannt

Study of banded structure in polymer spherulites by polarized micro‐Raman spectroscopy (1986)

Tanaka, Hajime ; Ikeda, Teruki ; Nishi, Toshio

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(6): 393-395. Published 1986 Feb 10. doi: 10.1063/1.96562.

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Publikationsdatum: 1986-02-10

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Unbekannt

Hydrogen absorption and desorption in Nd2Fe14B (1986)

Cadogan, J. M. ; Coey, J. M. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(6): 442-444. Published 1986 Feb 10. doi: 10.1063/1.96525.

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Hall‐effect measurements inp‐type InGaAs/GaAs strained‐layer superlattices (1986)

Fritz, I. J. ; Dawson, L. R. ; Drummond, T. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(2): 139-141. Published 1986 Jan 13. doi: 10.1063/1.96976.

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77 K cw operation of distributed Bragg reflector Pb1−xSnxSe/ Pb1−x−yEuySnxSe diode lasers (1986)

Shani, Y. ; Katzir, A. ; Bachem, K.‐H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(18): 1178-1180. Published 1986 May 05. doi: 10.1063/1.96461.

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Publikationsdatum: 1986-05-05

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Unbekannt

Proton isolated In0.2Ga0.8As/GaAs strained‐layer superlattice avalanche photodiode (1986)

Bulman, G. E. ; Myers, D. R. ; Zipperian, T. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(15): 1015-1017. Published 1986 Apr 14. doi: 10.1063/1.96621.

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Effect of dose rate on ion beam mixing in Nb‐Si (1986)

Banwell, Thomas ; Nicolet, M‐A. ; Averback, R. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(22): 1519-1521. Published 1986 Jun 02. doi: 10.1063/1.96854.

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Insitucontacts to GaAs based on InAs (1986)

Wright, S. L. ; Marks, R. F. ; Tiwari, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(22): 1545-1547. Published 1986 Dec 01. doi: 10.1063/1.97277.

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Improved recombination lifetime of photoexcited carriers in GaAs single quantum well heterostructures confined by GaAs/AlAs short‐period superlattices (1986)

Fujiwara, K. ; Nakamura, A. ; Tokuda, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(18): 1193-1195. Published 1986 Nov 03. doi: 10.1063/1.97411.

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Growth and properties of dilute magnetic semiconductor superlattices containing Hg1−xMnxTe (1986)

Harris, K. A. ; Hwang, S. ; Lansari, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(12): 713-715. Published 1986 Sep 22. doi: 10.1063/1.97576.

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Observation of giant induced voltages in high mobility GaAs‐AlxGa1−xAs heterostructures in the quantized Hall regime (1986)

Syphers, D. A. ; Martin, K. P. ; Higgins, R. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 48(4): 293-295. Published 1986 Jan 27. doi: 10.1063/1.96584.

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Erratum: Layer intermixing in HgTe‐CdTe superlattices [Appl. Phys. Lett. 48, 1588 (1986)] (1986)

Arch, David K. ; Staudenmann, J. L. ; Faurie, J. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1986; 49(12): 745-745. Published 1986 Sep 22. doi: 10.1063/1.97639.

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Effect of nonlinear gain reduction on semiconductor laser wavelength chirping (1986)

Koch, T. L. ; Linke, R. A.

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In: Applied Physics Letters. 1986; 48(10): 613-615. Published 1986 Mar 10. doi: 10.1063/1.96770.

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Nonlinear nonreciprocity in a coherent mismatched directional coupler (1986)

Trillo, S. ; Wabnitz, S.

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In: Applied Physics Letters. 1986; 49(13): 752-754. Published 1986 Sep 29. doi: 10.1063/1.97536.

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