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Velocity-dependent wave forms of piezoelectric elements undergoing collisions with iron particles having velocities ranging from 5to63km∕s (2005)

Miyachi, T. ; Fujii, M. ; Hasebe, N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 86(23): 234102. Published 2005 Jun 06. doi: 10.1063/1.1929882.

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Complete sets of elastic, dielectric, and piezoelectric properties of flux-grown [011]-poled Pb(Mg1∕3Nb2∕3)O3-(28–32)% PbTiO3 single crystals (2008)

Shanthi, M. ; Lim, L. C. ; Rajan, K. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 92(14): 142906. Published 2008 Apr 07. doi: 10.1063/1.2907702.

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Enhanced photoconductivity of ZnO films Co-doped with nitrogen and tellurium (2005)

Porter, H. L. ; Cai, A. L. ; Muth, J. F. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2005; 86(21): 211918. Published 2005 May 23. doi: 10.1063/1.1923194.

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Thickness-dependent energy level alignment of rubrene adsorbed on Au(111) (2007)

Wang, Li ; Chen, Shi ; Liu, Lei ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2007; 90(13): 132121. Published 2007 Mar 26. doi: 10.1063/1.2719033.

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A plasma microlens for ultrashort high power lasers (2009)

Katzir, Yiftach ; Eisenmann, Shmuel ; Ferber, Yair ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2009; 95(3): 031101. Published 2009 Jul 20. doi: 10.1063/1.3184788.

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Critical slowing down of relaxation dynamics near the Curie temperature in the relaxor Pb(Sc0.5Nb0.5)O3 (2009)

Ahart, Muhtar ; Hushur, Anwar ; Bing, Yonghong ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2009; 94(14): 142906. Published 2009 Apr 06. doi: 10.1063/1.3115765.

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Lifetime of photogenerated carriers in silicon-on-insulator rib waveguides (2005)

Dimitropoulos, D. ; Jhaveri, R. ; Claps, R. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2005; 86(7): 071115. Published 2005 Jan 01. doi: 10.1063/1.1866635.

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Optically actuated thermocapillary movement of gas bubbles on an absorbing substrate (2007)

Ohta, Aaron T. ; Jamshidi, Arash ; Valley, Justin K. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2007; 91(7): 074103. Published 2007 Aug 13. doi: 10.1063/1.2771091.

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High mobility indium free amorphous oxide thin film transistors (2008)

Fortunato, Elvira M. C. ; Pereira, Luís M. N. ; Barquinha, Pedro M. C. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2008; 92(22): 222103. Published 2008 Jun 02. doi: 10.1063/1.2937473.

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Carrier compensation by deep levels in Zn1−xMgxO/sapphire (2009)

Hierro, A. ; Tabares, G. ; Ulloa, J. M. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2009; 94(23): 232101. Published 2009 Jun 08. doi: 10.1063/1.3149699.

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Implementation scheme for quantum controlled phase-flip gate through quantum dot in slow-light photonic crystal waveguide (2008)

Gao, Jie ; Sun, F. W. ; Wong, Chee Wei

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In: Applied Physics Letters. 2008; 93(15): 151108. Published 2008 Oct 13. doi: 10.1063/1.2999588.

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Unusual size dependence of the optical emission gap in small hydrogenated silicon nanoparticles (2007)

Wang, X. ; Zhang, R. Q. ; Lee, S. T. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2007; 90(12): 123116. Published 2007 Mar 19. doi: 10.1063/1.2715101.

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Electron concentration dependent magnetization and magnetic anisotropy in ZnO:Mn thin films (2008)

Yang, Z. ; Liu, J. L. ; Biasini, M. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2008; 92(4): 042111. Published 2008 Jan 28. doi: 10.1063/1.2838753.

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Broadband all-optical ultrasound transducers (2007)

Hou, Yang ; Kim, Jin-Sung ; Ashkenazi, Shai ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 2007; 91(7): 073507. Published 2007 Aug 13. doi: 10.1063/1.2771058.

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Electroactivate shape-memory polymer filled with nanocarbon particles and short carbon fibers (2007)

Leng, Jinsong ; Lv, Haibao ; Liu, Yanju ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2007; 91(14): 144105. Published 2007 Oct 01. doi: 10.1063/1.2790497.

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Mechanisms of dynamic range limitations in GaAs∕AlGaAs quantum-cascade lasers: Influence of injector doping (2005)

Jovanović, V. D. ; Indjin, D. ; Vukmirović, N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 86(21): 211117. Published 2005 May 23. doi: 10.1063/1.1937993.

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Stripe‐geometry AlGaAs‐GaAs quantum‐well heterostructure lasers defined by impurity‐induced layer disordering (1984)

Meehan, K. ; Brown, J. M. ; Holonyak, N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 44(7): 700-702. Published 1984 Apr 01. doi: 10.1063/1.94883.

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Impurity induced disordering of strained GaP‐GaAs1−xPx(x∼0.6) superlattices (1983)

Camras, M. D. ; Holonyak, N. ; Hess, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(2): 185-187. Published 1983 Jan 15. doi: 10.1063/1.93875.

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Unbekannt

Mode‐locked semiconductor lasers with gateable output and electrically controllable optical absorber (1983)

Tsang, W. T. ; Olsson, N. A. ; Logan, R. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(4): 339-341. Published 1983 Aug 15. doi: 10.1063/1.94348.

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Single‐longitudinal‐mode metalorganic chemical‐vapor‐deposition self‐aligned GaAlAs‐GaAs double‐heterostructure lasers (1980)

Coleman, J. J. ; Dapkus, P. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(3): 262-263. Published 1980 Aug 01. doi: 10.1063/1.91900.

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Fundamental mode oscillation of a buried ridge waveguide laser array (1984)

Mukai, S. ; Lindsey, C. ; Katz, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(8): 834-835. Published 1984 Oct 15. doi: 10.1063/1.95417.

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Unbekannt

Near‐field and far‐field patterns of phase‐locked semiconductor laser arrays (1983)

Scifres, D. R. ; Streifer, W. ; Burnham, R. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(6): 495-497. Published 1983 Mar 15. doi: 10.1063/1.93980.

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80× single‐stage compression of frequency doubled Nd:yttrium aluminum garnet laser pulses (1984)

Johnson, A. M. ; Stolen, R. H. ; Simpson, W. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 44(8): 729-731. Published 1984 Apr 15. doi: 10.1063/1.94897.

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Publikationsdatum: 1984-04-15

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Thickness dependence of nanofilm elastic modulus (2009)

Fedorchenko, Alexander I. ; Wang, An-Bang ; Cheng, Henry H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 94(15): 152111. Published 2009 Apr 13. doi: 10.1063/1.3120763.

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Ultrafast carrier dynamics in Au∕GaAs interfaces studied by terahertz emission spectroscopy (2006)

Shi, Yulei ; Yang, Yuping ; Xu, Xinlong ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 88(16): 161109. Published 2006 Apr 17. doi: 10.1063/1.2196068.

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STIMULATED RAMAN GAIN COEFFICIENTS FOR Li6NbO3, Ba2NaNb5O15, AND OTHER MATERIALS (1968)

Johnston, W. D. ; Kaminow, I. P. ; Bergman, J. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1968; 13(5): 190-193. Published 1968 Sep 01. doi: 10.1063/1.1652565.

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One-step waveguide and optical circuit writing in photopolymerizable materials processed by two-photon absorption (2005)

Klein, Stéphane ; Barsella, Alberto ; Leblond, Hervé ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 86(21): 211118. Published 2005 May 23. doi: 10.1063/1.1915525.

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Publikationsdatum: 2005-05-23

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Electrical properties and near band edge emission of Bi-doped ZnO nanowires (2007)

Xu, Congkang ; Chun, Junghwan ; Kim, Dong Eon ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2007; 90(8): 083113. Published 2007 Feb 19. doi: 10.1063/1.2431715.

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Publikationsdatum: 2007-02-19

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High‐power phase‐locked arrays of index‐guided diode lasers (1983)

Botez, D. ; Connolly, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(12): 1096-1098. Published 1983 Dec 15. doi: 10.1063/1.94239.

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Publikationsdatum: 1983-12-15

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Lateral beam collimation of a phased array semiconductor laser (1982)

Scifres, D. ; Burnham, R. D. ; Streifer, W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(7): 614-616. Published 1982 Oct 01. doi: 10.1063/1.93625.

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Publikationsdatum: 1982-10-01

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NON‐OHMIC CURRENT TRANSPORT PHENOMENA IN HIGH‐RESISTIVITY GaAs (1967)

Seitchik, J. A. ; Stein, B. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1967; 10(1): 22-24. Published 1967 Jan 01. doi: 10.1063/1.1754790.

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Publikationsdatum: 1967-01-01

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Stabilization of the cubic phase of HfO2 by Y addition in films grown by metal organic chemical vapor deposition (2006)

Rauwel, E. ; Dubourdieu, C. ; Holländer, B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(1): 012902. Published 2006 Jul 03. doi: 10.1063/1.2216102.

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Creep-resistant composites of alumina and single-wall carbon nanotubes (2008)

Zapata-Solvas, Eugenio ; Poyato, Rosalía ; Gómez-García, Diego ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 92(11): 111912. Published 2008 Mar 17. doi: 10.1063/1.2899945.

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Localized laser etching of compound semiconductors in aqueous solution (1982)

Osgood, R. M. ; Sanchez‐Rubio, A. ; Ehrlich, D. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(5): 391-393. Published 1982 Mar 01. doi: 10.1063/1.93113.

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In: Applied Physics Letters. 1980; 37(1): 5-7. Published 1980 Jul 01. doi: 10.1063/1.91700.

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In: Applied Physics Letters. 1982; 41(2): 118-120. Published 1982 Jul 15. doi: 10.1063/1.93447.

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American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(1): 12-14. Published 1982 Jul 01. doi: 10.1063/1.93319.

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In: Applied Physics Letters. 2008; 92(20): 201107. Published 2008 May 19. doi: 10.1063/1.2929376.

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In: Applied Physics Letters. 2005; 87(4): 043113. Published 2005 Jul 25. doi: 10.1063/1.1999842.

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In: Applied Physics Letters. 1980; 37(9): 797-798. Published 1980 Nov 01. doi: 10.1063/1.92078.

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In: Applied Physics Letters. 1984; 45(7): 714-716. Published 1984 Oct 01. doi: 10.1063/1.95391.

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In: Applied Physics Letters. 2005; 87(17): 173119. Published 2005 Oct 24. doi: 10.1063/1.2119415.

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In: Applied Physics Letters. 2005; 87(9): 092506. Published 2005 Aug 29. doi: 10.1063/1.2035887.

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In: Applied Physics Letters. 2007; 91(17): 173510. Published 2007 Oct 22. doi: 10.1063/1.2802729.

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In: Applied Physics Letters. 2009; 95(24): 241101. Published 2009 Dec 14. doi: 10.1063/1.3273367.

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In: Applied Physics Letters. 2008; 93(17): 173103. Published 2008 Oct 27. doi: 10.1063/1.3005557.

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Integrated‐optical frequency translator with stripe waveguide (1984)

Heismann, F. ; Ulrich, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(5): 490-492. Published 1984 Sep 01. doi: 10.1063/1.95311.

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Optical parametric amplification in Ti‐diffused LiNbO3waveguides (1980)

Sohler, W. ; Suche, H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(3): 255-257. Published 1980 Aug 01. doi: 10.1063/1.91897.

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Distributed‐feedback dye laser integrated with a channel waveguide formed on silicon (1980)

Sriram, S. ; Jackson, Howard E. ; Boyd, J. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 36(9): 721-723. Published 1980 May 01. doi: 10.1063/1.91644.

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Unbekannt

Phase‐matched sum‐frequency light generation in optical fibers (1981)

Sasaki, Y. ; Ohmori, Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1981; 39(6): 466-468. Published 1981 Sep 15. doi: 10.1063/1.92775.

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Unbekannt

Temperature dependence of a silicon power device switching parameters (2006)

Habchi, R. ; Salame, C. ; Khoury, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 88(15): 153503. Published 2006 Apr 10. doi: 10.1063/1.2194007.

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Unbekannt

Stable response to visible light of InGaN photoelectrodes (2008)

Luo, Wenjun ; Liu, Bin ; Li, Zhaosheng ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 92(26): 262110. Published 2008 Jun 30. doi: 10.1063/1.2955828.

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Unbekannt

Impact of gate materials on positive charge formation in HfO2∕SiO2 stacks (2006)

Zhao, C. Z. ; Zhang, J. F. ; Zahid, M. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(2): 023507. Published 2006 Jul 10. doi: 10.1063/1.2220484.

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Temperature mapping and thermal lensing in large-mode, high-power laser diodes (2006)

Chan, P. K. L. ; Pipe, K. P. ; Plant, J. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(20): 201110. Published 2006 Nov 13. doi: 10.1063/1.2388884.

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Carrier lifetime measurement for determination of recombination rates and doping levels of III‐V semiconductor light sources (1982)

Su, C. B. ; Olshansky, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(9): 833-835. Published 1982 Nov 01. doi: 10.1063/1.93690.

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Unbekannt

Photoluminescence from impurity codoped and compensated Si nanocrystals (2005)

Fujii, Minoru ; Yamaguchi, Yasuhiro ; Takase, Yuji ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 87(21): 211919. Published 2005 Nov 21. doi: 10.1063/1.2135214.

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Unbekannt

Ferroelectric film switching via oblique domain growth observed by cross-sectional nanoscale imaging (2006)

Gysel, Roman ; Tagantsev, Alexander K. ; Stolichnov, Igor ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(8): 082906. Published 2006 Aug 21. doi: 10.1063/1.2338432.

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Unbekannt

Tunable electro‐optic waveguide TE〈–〉TM converter/wavelength filter (1982)

Alferness, R. C. ; Buhl, L. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(10): 861-862. Published 1982 May 15. doi: 10.1063/1.92943.

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SiGe growth on patterned Si(001) substrates: Surface evolution and evidence of modified island coarsening (2007)

Zhang, J. J. ; Stoffel, M. ; Rastelli, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2007; 91(17): 173115. Published 2007 Oct 22. doi: 10.1063/1.2802555.

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Three-dimensional localization with nanometer accuracy using a detector-limited double-helix point spread function system (2009)

Pavani, Sri Rama Prasanna ; Greengard, Adam ; Piestun, Rafael

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 95(2): 021103. Published 2009 Jul 13. doi: 10.1063/1.3158923.

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Radiometric levitation of micron sized spheres (1982)

Lewittes, M. ; Arnold, S. ; Oster, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(6): 455-457. Published 1982 Mar 15. doi: 10.1063/1.93146.

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Generation of multicycle terahertz pulses via optical rectification in periodically inverted GaAs structures (2006)

Lee, Yun-Shik ; Hurlbut, W. C. ; Vodopyanov, K. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(18): 181104. Published 2006 Oct 30. doi: 10.1063/1.2367661.

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Algorithm for high-resolution single-shot THz measurement using in-line spectral interferometry with chirped pulses (2005)

Yellampalle, B. ; Kim, K. Y. ; Rodriguez, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 87(21): 211109. Published 2005 Nov 21. doi: 10.1063/1.2135869.

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Continuous-wave terahertz system with a 60 dB dynamic range (2005)

Gregory, I. S. ; Tribe, W. R. ; Baker, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 86(20): 204104. Published 2005 May 16. doi: 10.1063/1.1935032.

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Combined optical trapping and microphotoluminescence of single InP nanowires (2009)

Reece, Peter J. ; Paiman, Suriati ; Abdul-Nabi, Osama ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 95(10): 101109. Published 2009 Sep 07. doi: 10.1063/1.3225148.

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Charge trapping in polymer transistors probed by terahertz spectroscopy and scanning probe potentiometry (2006)

Lloyd-Hughes, J. ; Richards, T. ; Sirringhaus, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(11): 112101. Published 2006 Sep 11. doi: 10.1063/1.2340057.

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A scattering model for surface-textured thin films (2009)

Jäger, Klaus ; Zeman, Miro

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 95(17): 171108. Published 2009 Oct 26. doi: 10.1063/1.3254239.

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Growth and structure of PbVO3 thin films (2007)

Martin, Lane W. ; Zhan, Qian ; Suzuki, Yuri ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2007; 90(6): 062903. Published 2007 Feb 05. doi: 10.1063/1.2435944.

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External-cavity tunable mid-infrared laser using off-band surface-emitting Bragg grating coupler (2005)

Zhang, H. L. ; Peng, C. ; Seetharaman, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 86(11): 111112. Published 2005 Mar 14. doi: 10.1063/1.1885188.

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Directional excitation of surface plasmons with subwavelength slits (2008)

Xu, Ting ; Zhao, Yanhui ; Gan, Dachun ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 92(10): 101501. Published 2008 Mar 10. doi: 10.1063/1.2894183.

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Universal scaling of semiconductor nanowires bandgap (2009)

Li, S. ; Yang, G. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 95(7): 073106. Published 2009 Aug 17. doi: 10.1063/1.3211128.

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Surface relief gratings on poly(3-hexylthiophene) and fullerene blends for efficient organic solar cells (2007)

Na, Seok-In ; Kim, Seok-Soon ; Kwon, Soon-Shin ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2007; 91(17): 173509. Published 2007 Oct 22. doi: 10.1063/1.2802561.

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AlGaN membrane grating reflector (2009)

Kim, Jaehoon ; Kim, Dong-Uk ; Lee, Joonhee ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 95(2): 021102. Published 2009 Jul 13. doi: 10.1063/1.3168552.

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High performance of diamond p+-i-n+ junction diode fabricated using heavily doped p+ and n+ layers (2009)

Oyama, Kazuihiro ; Ri, Sung-Gi ; Kato, Hiromitsu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 94(15): 152109. Published 2009 Apr 13. doi: 10.1063/1.3120560.

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Oxygen segregation to dislocations in GaN (2005)

Hawkridge, M. E. ; Cherns, D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 87(22): 221903. Published 2005 Nov 28. doi: 10.1063/1.2136224.

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Publikationsdatum: 2005-11-28

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Excitation wavelength dependence of terahertz emission from InN and InAs (2006)

Chern, Grace D. ; Readinger, Eric D. ; Shen, Hongen ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(14): 141115. Published 2006 Oct 02. doi: 10.1063/1.2358938.

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Fabry–Pérot resonators for surface plasmon polaritons probed by cathodoluminescence (2009)

Kuttge, M. ; Vesseur, E. J. R. ; Polman, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 94(18): 183104. Published 2009 May 04. doi: 10.1063/1.3126484.

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Publikationsdatum: 2009-05-04

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Comparative studies on the stability of polymer versus SiO2 gate dielectrics for pentacene thin-film transistors (2006)

Hwang, D. K. ; Lee, Kimoon ; Kim, Jae Hoon ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(9): 093507. Published 2006 Aug 28. doi: 10.1063/1.2345243.

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Publikationsdatum: 2006-08-28

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Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes (2005)

Sheu, J. K. ; Lee, M. L. ; Lai, W. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 86(5): 052103. Published 2005 Jan 31. doi: 10.1063/1.1861113.

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Publikationsdatum: 2005-01-31

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Ultraviolet bandpass Al0.17Ga0.83N∕GaN heterojunction phototransitors with high optical gain and high rejection ratio (2008)

Lee, M. L. ; Sheu, J. K. ; Shu, Yung-Ru

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 92(5): 053506. Published 2008 Feb 04. doi: 10.1063/1.2838307.

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Publikationsdatum: 2008-02-04

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Experimental verification of standing-wave plasmonic resonances in split-ring resonators (2008)

Chen, Chia-Yun ; Wu, Shich-Chuan ; Yen, Ta-Jen

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 93(3): 034110. Published 2008 Jul 21. doi: 10.1063/1.2957978.

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Publikationsdatum: 2008-07-21

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Unbekannt

Holographic lithography with thick photoresist (1983)

Anderson, Erik H. ; Horwitz, C. M. ; Smith, Henry I.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(9): 874-875. Published 1983 Nov 01. doi: 10.1063/1.94533.

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Publikationsdatum: 1983-11-01

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Acoustic wave propagation on indium phosphide surfaces (1982)

Henaff, Jeannine ; Feldmann, Michel ; Carel, Michel ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(1): 22-24. Published 1982 Jul 01. doi: 10.1063/1.93307.

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Publikationsdatum: 1982-07-01

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Integrated multilayer GaAs lasers separated by tunnel junctions (1982)

van der Ziel, J. P. ; Tsang, W. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(6): 499-501. Published 1982 Sep 15. doi: 10.1063/1.93585.

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Publikationsdatum: 1982-09-15

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17‐GHz bandwidth electro‐optic modulator (1983)

Gee, C. M. ; Thurmond, G. D. ; Yen, H. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(11): 998-1000. Published 1983 Dec 01. doi: 10.1063/1.94211.

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Publikationsdatum: 1983-12-01

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Subpicosecond electro‐optic shock waves (1983)

Auston, D. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(8): 713-715. Published 1983 Oct 15. doi: 10.1063/1.94486.

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Publikationsdatum: 1983-10-15

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Unbekannt

Efficiency limits of photovoltaic fluorescent collectors (2005)

Rau, Uwe ; Einsele, Florian ; Glaeser, Gerda C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 87(17): 171101. Published 2005 Oct 24. doi: 10.1063/1.2112196.

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Publikationsdatum: 2005-10-24

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Spin-preserving ultrafast carrier capture and relaxation in InGaAs quantum dots (2005)

Trumm, S. ; Wesseli, M. ; Krenner, H. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 87(15): 153113. Published 2005 Oct 10. doi: 10.1063/1.2103399.

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An effective light trapping configuration for thin-film solar cells (2007)

Rim, Seung-Bum ; Zhao, Shanbin ; Scully, Shawn R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2007; 91(24): 243501. Published 2007 Dec 10. doi: 10.1063/1.2789677.

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Control of electro-osmostic flow by light (2006)

Oroszi, László ; Dér, András ; Kirei, Huba ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 89(26): 263508. Published 2006 Dec 25. doi: 10.1063/1.2424648.

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Local versus global absorption in thin-film solar cells with randomly textured surfaces (2008)

Rockstuhl, C. ; Fahr, S. ; Lederer, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 93(6): 061105. Published 2008 Aug 11. doi: 10.1063/1.2965117.

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Plasma wave resonant detection of femtosecond pulsed terahertz radiation by a nanometer field-effect transistor (2005)

Teppe, F. ; Veksler, D. ; Kachorovski, V. Yu. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2005; 87(2): 022102. Published 2005 Jul 11. doi: 10.1063/1.1952578.

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Optically enhanced amorphous silicon solar cells (1983)

Deckman, H. W. ; Wronski, C. R. ; Witzke, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(11): 968-970. Published 1983 Jun 01. doi: 10.1063/1.93817.

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Imaging transport for the determination of minority carrier diffusion length (2006)

Luber, D. R. ; Bradley, F. M. ; Haegel, N. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2006; 88(16): 163509. Published 2006 Apr 17. doi: 10.1063/1.2196236.

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Publikationsdatum: 2006-04-17

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Photoinduced electron transfer in C60 encapsulated single-walled carbon nanotube (2008)

Li, Y. F. ; Kaneko, T. ; Hatakeyama, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 92(18): 183115. Published 2008 May 05. doi: 10.1063/1.2924300.

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Publikationsdatum: 2008-05-05

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V5+ ionic displacement induced ferroelectric behavior in V-doped ZnO films (2007)

Yang, Y. C. ; Song, C. ; Zeng, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2007; 90(24): 242903. Published 2007 Jun 11. doi: 10.1063/1.2748081.

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Multifolded polymer solar cells on flexible substrates (2008)

Zhou, Yinhua ; Zhang, Fengling ; Tvingstedt, Kristofer ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2008; 93(3): 033302. Published 2008 Jul 21. doi: 10.1063/1.2957995.

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On the formation of voids in internal tin Nb3Sn superconductors (2007)

Scheuerlein, C. ; Di Michiel, M. ; Haibel, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2007; 90(13): 132510. Published 2007 Mar 26. doi: 10.1063/1.2716346.

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Defect formation and annealing behaviors of fluorine-implanted GaN layers revealed by positron annihilation spectroscopy (2009)

Wang, M. J. ; Yuan, L. ; Cheng, C. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2009; 94(6): 061910. Published 2009 Feb 09. doi: 10.1063/1.3081019.

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