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Unbekannt

Effect of Fe on the carrier instability in HgSe (1985)

Vaziri, M. ; Debska, U. ; Reifenberger, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(4): 407-409. Published 1985 Aug 15. doi: 10.1063/1.96127.

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Low‐temperature characteristics of electron and hole ionization coefficients in (100) oriented Ga1−xInxAsyP1−y (1985)

Osaka, Fukunobu ; Mikawa, Takashi ; Kaneda, Takao

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(12): 1138-1140. Published 1985 Jun 15. doi: 10.1063/1.95735.

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Photoluminescence study of InGaAs grown on InP by vapor phase epitaxy—Effects of O2injection and substrate orientation (1985)

Makita, Kikuo ; Gomyo, Akiko ; Taguchi, Kenkoh ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(11): 1069-1071. Published 1985 Jun 01. doi: 10.1063/1.95763.

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Titanium silicide formation on BF+2‐implanted silicon (1985)

Chow, T. P. ; Katz, W. ; Smith, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(1): 41-43. Published 1985 Jan 01. doi: 10.1063/1.95844.

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Determination of low levels of carbon in Czochralski silicon (1985)

Oates, A. S. ; Newman, R. C. ; Woolley, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(7): 705-707. Published 1985 Oct 01. doi: 10.1063/1.96065.

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Unbekannt

Evidences that P diffusion in Si is assisted mainly by vacancies (1985)

Mathiot, D. ; Pfister, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(9): 962-964. Published 1985 Nov 01. doi: 10.1063/1.95944.

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Low‐temperature liquid phase epitaxial growth of an (In,Ga,Al)Sb quaternary alloy (1985)

Ohshima, Hisayoshi ; Tanaka, Akira ; Sukegawa, Tokuzo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 41-42. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96396.

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Unbekannt

Depletion and enhancement mode In0.53Ga0.47As/InP junction field‐effect transistor with ap+‐InGaAs confinement layer (1985)

Cheng, Julian ; Forrest, S. R. ; Stall, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 885-887. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95875.

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Unbekannt

Dependence of radiation‐induced interface traps on gate electrode material in metal/SiO2/Si devices (1985)

Zekeriya, Viktor ; Ma, T‐P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 54-56. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96402.

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Seed selection through ion channeling to modify crystallographic orientations of polycrystalline Si films on SiO2: Implant angle dependence (1985)

Kung, K. T‐Y. ; Iverson, R. B. ; Reif, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(7): 683-685. Published 1985 Apr 01. doi: 10.1063/1.95529.

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Unbekannt

Second order gradiometer and dc SQUID integrated on a planar substrate (1985)

van Nieuwenhuyzen, G. J. ; de Waal, V. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(4): 439-441. Published 1985 Feb 15. doi: 10.1063/1.95605.

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Unbekannt

Reduction of fall times in Ga0.47In0.53As photoconductive receivers through back gating (1985)

Chen, C. Y. ; Cho, A. Y. ; Olsson, N. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(3): 296-298. Published 1985 Feb 01. doi: 10.1063/1.95664.

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Unbekannt

Potential enhanced Sb and As doping in Si molecular beam epitaxy (1985)

Kubiak, R. A. A. ; Leong, W. Y. ; Parker, E. H. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(6): 565-567. Published 1985 Mar 15. doi: 10.1063/1.95540.

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Unbekannt

Response to ‘‘Comment on ‘Identification of oxygen‐related midgap level in GaAs’ ’’ [Appl. Phys. Lett.46, 311 (1985)] (1985)

Lagowski, J. ; Lin, D.‐G. ; Aoyama, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(3): 311-312. Published 1985 Feb 01. doi: 10.1063/1.95670.

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Unbekannt

Microwave intensity and frequency modulation of heteroepitaxial‐ridge‐overgrown distributed feedback lasers (1985)

Bowers, J. E. ; Tsang, W. T. ; Koch, T. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(3): 233-235. Published 1985 Feb 01. doi: 10.1063/1.95693.

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Unbekannt

Dependence of threshold current on the number of wells in AlGaAs‐GaAs quantum well lasers (1985)

Blood, P. ; Fletcher, E. D. ; Woodbridge, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 193-195. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96213.

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Unbekannt

Direct method for the investigation of nonradiative recombination in semiconductors (1985)

Dersch, Helmut ; Amer, Nabil M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 292-294. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96196.

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Unbekannt

Interfacial properties of InP and phosphorus deposited at low temperature (1985)

Schachter, R. ; Olego, D. J. ; Baumann, J. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 272-274. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96188.

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Unbekannt

Effect of dopant on reaction between polycrystalline silicon and thin‐film rhodium (1985)

Psaras, P. A. ; Thompson, R. D. ; Tu, K. N.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 250-252. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96180.

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Unbekannt

Chemical vapor deposition of boron‐doped hydrogenated amorphous silicon (1985)

Ellis, F. B. ; Delahoy, A. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 135-137. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96432.

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Unbekannt

Large‐signal dynamics of an ultrafast semiconductor laser at digital modulation rates approaching 10 Gbit/s (1985)

Lau, K. Y. ; Yariv, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 84-86. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96259.

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Unbekannt

Determination of heterojunction band offsets by capacitance‐voltage profiling through nonabrupt isotype heterojunctions (1985)

Kroemer, Herbert

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(5): 504-505. Published 1985 Mar 01. doi: 10.1063/1.95572.

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Unbekannt

Implications of the configuration‐dependent reactive incorporation growth process for the group V pressure and substrate temperature dependence of III‐V molecular beam epitaxial growth and the dynamics of the reflection high‐energy electron diffraction intensity (1985)

Madhukar, A. ; Ghaisas, S. V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 247-249. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96234.

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Unbekannt

Hole trapping and interface state generation during bias‐temperature stress of SiO2layers (1985)

Haywood, S. K. ; De Keersmaecker, R. F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(4): 381-383. Published 1985 Aug 15. doi: 10.1063/1.96173.

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Unbekannt

Degradation‐free modulation‐doped field‐effect transistors grown by organometallic chemical vapor deposition (1985)

Bhat, R. ; Chan, W. K. ; Kastalsky, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1344-1346. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96275.

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Unbekannt

Response of piezoelectric lead metaniobate to high compressive stresses (1985)

Amin, A. ; Lukasiewicz, S. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1356-1357. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96279.

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Unbekannt

Comment on ‘‘Thermoelectric figure of merit of boron phosphide’’ [Appl. Phys. Lett.46, 842 (1985)] (1985)

Wood, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1232-1232. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96338.

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Unbekannt

Influence of implantation induced damage in sapphire upon improvement of crystalline quality of silicon on sapphire (1985)

Yamamoto, Y. ; Kobayashi, H. ; Takahashi, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1315-1317. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96264.

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Unbekannt

Measurement of population inversions and gain in carbon fiber plasmas (1985)

Milchberg, H. ; Skinner, C. H. ; Suckewer, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1151-1153. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96437.

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Unbekannt

Second derivative internal photoemission spectroscopy for the study of interdiffusion and compound formation phenomena (1985)

Krawczyk, S. K. ; Mrabeut, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 837-839. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95902.

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1.54‐μm phase‐adjusted InGaAsP/InP distributed feedback lasers with mass‐transported windows (1985)

Broberg, Björn ; Koentjoro, Sekartedjo ; Furuya, Kazuhito ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 4-6. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96400.

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Unbekannt

A semiconductor laser with a converging output beam (1985)

Mukai, S. ; Yajima, H. ; Watanabe, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 805-806. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95889.

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Unbekannt

Growth of single crystal NiSi2layers on Si (110) (1985)

Tung, R. T. ; Nakahara, S. ; Boone, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 895-897. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95879.

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Unbekannt

Self‐developing photoresist using a vacuum ultraviolet F2excimer laser exposure (1985)

Henderson, D. ; White, J. C. ; Craighead, H. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 900-902. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95881.

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Muonium as a probe for defects in electron irradiated silicon (1985)

Albert, E. ; Barth, S. ; Möslang, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(8): 759-761. Published 1985 Apr 15. doi: 10.1063/1.95499.

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High‐power second harmonic emission and frequency locking in a 28‐GHz gyrotron (1985)

Danly, B. G. ; Mulligan, W. J. ; Temkin, R. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(8): 728-730. Published 1985 Apr 15. doi: 10.1063/1.95489.

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Stimulated emission and laser oscillations in ZnSe‐Zn1−xMnxSe multiple quantum wells at ∼453 nm (1985)

Bylsma, R. B. ; Becker, W. M. ; Bonsett, T. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(10): 1039-1041. Published 1985 Nov 15. doi: 10.1063/1.96371.

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Interface and precipitation effects in solid phase epitaxy of Sb implanted amorphous Si (1985)

Campisano, S. U. ; Gibson, J. M. ; Poate, J. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(6): 580-581. Published 1985 Mar 15. doi: 10.1063/1.95546.

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Optical sampling using an all‐fiber optical Kerr shutter (1985)

Kitayama, Ken‐ichi ; Kimura, Yasuo ; Okamoto, Katsunari ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(7): 623-625. Published 1985 Apr 01. doi: 10.1063/1.95506.

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Resonant tunneling in GaAs/AlAs heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition (1985)

Bonnefoi, A. R. ; Collins, R. T. ; McGill, T. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(3): 285-287. Published 1985 Feb 01. doi: 10.1063/1.95660.

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Thin‐film dc SQUID consisting of quasiparticle‐injected superconducting weak links (1985)

Kojima, K. ; Nara, S. ; Hamanaka, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 325-327. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96207.

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Simultaneous diffusion of zinc and indium into GaAs: A new approach for the formation of low resistance ohmic contacts to compound semiconductors (1985)

Shealy, J. R. ; Chinn, S. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(4): 410-412. Published 1985 Aug 15. doi: 10.1063/1.96128.

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Unbekannt

Nondestructive depth profiling by spectroscopic ellipsometry (1985)

Vedam, K. ; McMarr, P. J. ; Narayan, J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(4): 339-341. Published 1985 Aug 15. doi: 10.1063/1.96156.

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Unbekannt

CO2laser‐induced chemical vapor deposition of titanium silicide films (1985)

West, Gary A. ; Gupta, Arunava ; Beeson, Karl W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(5): 476-478. Published 1985 Sep 01. doi: 10.1063/1.96097.

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Unbekannt

Calibration curve for infrared spectrophotometry of nitrogen in silicon (1985)

Itoh, Yoshiko ; Nozaki, Tadashi ; Masui, Tsumoru ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(5): 488-489. Published 1985 Sep 01. doi: 10.1063/1.96101.

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Unbekannt

Silicide formation by thermal annealing of Ni and Pd on hydrogenated amorphous silicon films (1985)

Hung, L. S. ; Kennedy, E. F. ; Palmstro/m, C. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 236-238. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96230.

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Unbekannt

New shallow acceptor levels in neutron‐irradiated Si:Ga (1985)

Fischer, David W. ; Mitchel, W. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 281-283. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96192.

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Unbekannt

Infrared photoluminescence spectra from HgTe‐CdTe superlattices (1985)

Hetzler, S. R. ; Baukus, J. P. ; Hunter, A. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 260-262. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96184.

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Unbekannt

Acoustic phonon generation in the picosecond dynamics of dense electron‐hole plasmas in InGaAsP films (1985)

Wiesenfeld, Jay M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 143-145. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96242.

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Unbekannt

Pressure dependence of arsenic diffusivity in silicon (1985)

Nygren, Eric ; Aziz, Michael J. ; Turnbull, David ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 105-107. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96283.

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Unbekannt

Investigation of the properties of organometallic vapor phase epitaxially grown AlGaAs/GaAs heterostructures using Raman scattering (1985)

Shealy, J. R. ; Schaus, C. F. ; Wicks, G. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 125-127. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96236.

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Unbekannt

Observation of fractional neutralization of slow multicharged ions by impact on a metal surface (1985)

Hughes, R. H. ; Pederson, D. O. ; Ye, X. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1282-1284. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96305.

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Unbekannt

Optically activated semiconductors as repetitive opening switches (1985)

Chauchard, E. A. ; Rhee, M. J. ; Lee, Chi H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1293-1295. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96309.

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Unbekannt

Studies of orientation of carbon by core electron energy loss spectroscopy (1985)

Cheung, T. T. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 825-827. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95897.

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Unbekannt

Radiometric crack detection in fast moving surfaces (1985)

Kaufman, Irving ; Choudhury, Ashish K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(2): 152-154. Published 1985 Jan 15. doi: 10.1063/1.95718.

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Unbekannt

Rapid thermal annealing of Si implanted GaAs for power field‐effect transistors (1985)

Kanber, H. ; Henderson, W. B. ; Rush, R. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 120-122. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96289.

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Unbekannt

Ytterbium‐doped InP light‐emitting diode at 1.0 μm (1985)

Haydl, W. H. ; Müller, H. D. ; Ennen, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 870-872. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95869.

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Unbekannt

Photocurrent response of GaInAs/InP multiple quantum well detectors grown by gas source molecular beam epitaxy (1985)

Temkin, H. ; Panish, M. B. ; Logan, R. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(9): 978-980. Published 1985 Nov 01. doi: 10.1063/1.95950.

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Unbekannt

Remote monitoring of ammonia using a CO2laser and infrared fibers (1985)

Simhony, S. ; Katzir, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1241-1243. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96419.

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Unbekannt

Bias‐dependent photoluminescence of InP in aqueous iodine solutions (1985)

Etcheberry, A. ; Gautron, J. ; Sculfort, J. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(8): 744-746. Published 1985 Apr 15. doi: 10.1063/1.95494.

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Room‐temperature cw operation of InGaPAs/GaAlAs visible light double heterojunction lasers (1985)

Kaneiwa, Shinji ; Takiguchi, Haruhisa ; Hayakawa, Toshiro ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(5): 455-457. Published 1985 Mar 01. doi: 10.1063/1.95610.

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Unbekannt

Electron‐electron interaction and high field transport in Si (1985)

Lugli, P. ; Ferry, D. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(6): 594-596. Published 1985 Mar 15. doi: 10.1063/1.95551.

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Unbekannt

Flash annealing of copper and krypton ion implants in cadmium telluride (1985)

James, K. M. ; Merz, J. L. ; Jones, C. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(4): 424-426. Published 1985 Feb 15. doi: 10.1063/1.95600.

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A novel GaInAsP/InP distributed feedback laser (1985)

Liau, Z. L. ; Flanders, D. C. ; Walpole, J. N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(3): 221-223. Published 1985 Feb 01. doi: 10.1063/1.95689.

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High speed, ion bombarded InGaAs photoconductors (1985)

Downey, P. M. ; Martin, R. J. ; Nahory, R. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(4): 396-398. Published 1985 Feb 15. doi: 10.1063/1.95590.

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Unbekannt

Low loss optical waveguides fabricated by thermal nitridation of oxidized silicon (1985)

Zelmon, David E. ; Boyd, Joseph T. ; Jackson, Howard E.

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In: Applied Physics Letters. 1985; 47(4): 353-355. Published 1985 Aug 15. doi: 10.1063/1.96161.

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Response to ‘‘Comment on ‘Photoacoustic determination of thermal diffusivity of solids: Application to CdS’ ’’ [Appl. Phys. Lett.47, 434 (1985)] (1985)

Cesar, C. L. ; Vargas, H. ; Mendes Filho, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(4): 434-435. Published 1985 Aug 15. doi: 10.1063/1.96137.

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Generation of intense tunable picosecond pulses in the far‐infrared (1985)

Berg, M. ; Harris, C. B. ; Kenny, T. W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 206-208. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96218.

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Wavelength‐selective voltage‐tunable photodetector made from multiple quantum wells (1985)

Wood, T. H. ; Burrus, C. A. ; Gnauck, A. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 190-192. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96212.

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Dry, laser‐assisted rapid HBr etching of GaAs (1985)

Brewer, P. D. ; McClure, D. ; Osgood, R. M.

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In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 310-312. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96202.

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Uniformity in the electrical characteristics of GaAs/AlAs tunnel structures grown by metalorganic chemical vapor deposition (1985)

Bonnefoi, A. R. ; McGill, T. C. ; Burnham, R. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(3): 307-309. Published 1985 Aug 01. doi: 10.1063/1.96201.

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New model of the rapid initial oxidation of silicon (1985)

Schafer, S. A. ; Lyon, S. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 154-156. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96246.

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Energy spread of ions from Ga liquid metal ion sources at low emission currents (1985)

Mayer, H. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1247-1248. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96292.

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Optical nonlinearity resulting from mobile carriers in semiconductor superlattices: Influence of higher minibands (1985)

de Sterke, C. M. ; Hall, D. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1260-1262. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96296.

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Optical transitions and acceptor binding energies in GaAs/AlxGa1−xAs single quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy (1985)

Pearah, P. J. ; Klem, J. ; Peng, C. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(2): 166-168. Published 1985 Jul 15. doi: 10.1063/1.96250.

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Enhanced modulation bandwidth of GaAlAs double heterostructure lasers in high magnetic fields: Dynamic response with quantum wire effects (1985)

Arakawa, Y. ; Vahala, K. ; Yariv, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1142-1144. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96356.

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Infrared absorption band for substitutional nitrogen in silicon (1985)

Stein, H. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(12): 1339-1341. Published 1985 Dec 15. doi: 10.1063/1.96273.

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Measurement of high boron concentrations in silicon by infrared spectroscopy (1985)

Sopori, B. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 39-41. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96395.

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Unbekannt

Intramode correlation spectroscopy: A new method to study line broadening mechanisms in semiconductor lasers (1985)

Elsässer, W. ; Göbel, E. O.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 814-816. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95893.

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Unbekannt

Enhancement of optical nonlinearity inp‐type semiconductor quantum wells due to confinement and stress (1985)

Chang, Yia‐Chung

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(8): 710-712. Published 1985 Apr 15. doi: 10.1063/1.95483.

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Unbekannt

New method of measuring relaxation times in semiconductors (1985)

Mukherjee, P. ; Sheik‐Bahaei, M. ; Kwok, H. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(8): 770-772. Published 1985 Apr 15. doi: 10.1063/1.95905.

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Unbekannt

Atomic deuterium passivation of boron acceptor levels in silicon crystals (1985)

Mikkelsen, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(9): 882-884. Published 1985 May 01. doi: 10.1063/1.95874.

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Unbekannt

Kinetics of thermal nitridation processes in the study of dopant diffusion mechanisms in silicon (1985)

Fahey, P. ; Barbuscia, G. ; Moslehi, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(8): 784-786. Published 1985 Apr 15. doi: 10.1063/1.95909.

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Unbekannt

Comparison of electronic effects and stress effects in enhancing regrowth rate of ion‐implanted amorphous Si (1985)

Pai, C. S. ; Lau, S. S. ; Suni, I. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1214-1216. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96332.

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Unbekannt

Growth of InAs1−xSbx(0 (1985)

Lee, G. S. ; Lo, Y. ; Lin, Y. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1219-1221. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96334.

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Unbekannt

Dependence of Si‐SiO2interface state density on oxide thickness in structures with ultrathin (79–227 Å) oxides (1985)

Kar, S. ; Shanker, D. ; Chari, K. S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1203-1205. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96328.

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Unbekannt

Molecular beam epitaxial growth of Si on CoSi2substrates (1985)

Ditchek, B. M. ; Salerno, J. P. ; Gormley, J. V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1200-1202. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96327.

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Unbekannt

Reversal of contrast for infrared absorption of deep levels in semi‐insulating GaAs (1985)

Queisser, Hans J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(8): 757-759. Published 1985 Apr 15. doi: 10.1063/1.95498.

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Unbekannt

Elastic waves propagation in polycrystalline media: A causal response (1985)

Beltzer, Abraham I. ; Brauner, Neima

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(10): 1054-1055. Published 1985 Nov 15. doi: 10.1063/1.96376.

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Unbekannt

X‐ray determination of dislocation density in epitaxial ZnCdTe (1985)

Qadri, Syed B. ; Dinan, J. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(10): 1066-1068. Published 1985 Nov 15. doi: 10.1063/1.96381.

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Unbekannt

Variations in interface compound nucleation for Ti‐Al ultrathin films on Si substrates (1985)

Han, C. C. ; Bené, R. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(10): 1077-1079. Published 1985 Nov 15. doi: 10.1063/1.96385.

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Unbekannt

Neutral carbon‐related complex defects and the annealing of thermal donors inp‐type Czochralski silicon (1985)

Weman, H. ; Monemar, B. ; Holtz, P. O.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(10): 1110-1112. Published 1985 Nov 15. doi: 10.1063/1.96346.

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Optical detection of ultrasound at a distance using a confocal Fabry–Perot interferometer (1985)

Monchalin, Jean‐Pierre

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 14-16. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96411.

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Composition‐selective photochemical etching of compound semiconductors (1985)

Ashby, C. I. H. ; Biefeld, R. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 62-63. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96405.

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Intrinsic gettering in oxygen‐free silicon (1985)

Nauka, N. ; Lagowski, J. ; Gatos, H. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(7): 673-675. Published 1985 Apr 01. doi: 10.1063/1.95525.

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Unbekannt

Doping interface dipoles: Tunable heterojunction barrier heights and band‐edge discontinuities by molecular beam epitaxy (1985)

Capasso, Federico ; Cho, Alfred Y. ; Mohammed, Khalid ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(7): 664-666. Published 1985 Apr 01. doi: 10.1063/1.95521.

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Failure temperature of amorphous Cu‐Ta alloys as diffusion barriers in Al‐Si contacts (1985)

Saris, F. W. ; Hung, L. S. ; Nastasi, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(7): 646-648. Published 1985 Apr 01. doi: 10.1063/1.95515.

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Grown‐in defects in multi‐epilayer GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition under different growth conditions (1985)

Li, Sheng S. ; Lee, D. H. ; Choi, C. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 47(11): 1180-1182. Published 1985 Dec 01. doi: 10.1063/1.96319.

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Electromagnetic acoustic transducers as wideband velocity sensors (1985)

Hutchins, D. A. ; Wilkins, D. E. ; Luke, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1985; 46(7): 634-635. Published 1985 Apr 01. doi: 10.1063/1.95510.

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Tungsten‐platinum alloy Schottky barriers onn‐type GaAs (1985)

Okumura, T. ; Tu, K. N.

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In: Applied Physics Letters. 1985; 47(1): 42-44. Published 1985 Jul 01. doi: 10.1063/1.96439.

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