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Unbekannt

Seismic Wave Propagation in Stratified Media (1983)

B. L. N. Kennett

Cambridge University Press

In: Cambridge, 342 pp., Cambridge University Press, vol. 13, no. XVI:, pp. 227-235, (ISBN 3-540-43528-X)

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Publikationsdatum: 1983

Schlagwort(e): Textbook of geophysics ; Seismology ; Seismics (controlled source seismology) ; Waves

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Exploration Seismology Vol. 1, History, Theory and Data Acquisition (1982)

R. E. Sheriff ; L. P. Geldart

Cambridge University Press

In: Boston, 227 pp., Cambridge University Press, vol. Developments in Petroleum Science vol. 15B, no. Publ. No. 12, pp. 9, (ISBN 0-521-66023-8 hc (0-521-66953-7 pb))

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Publikationsdatum: 1982

Schlagwort(e): Textbook of geophysics ; Seismics (controlled source seismology)

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Exploration Seismology Vol. 2, Data-Processing and Interpretation (1983)

R. E. Sheriff ; L. P. Geldart

Cambridge University Press

In: Boston, 227 pp., Cambridge University Press, vol. Developments in Petroleum Science vol. 15B, no. Publ. No. 12, pp. 9, (ISBN 0-521-66023-8 hc (0-521-66953-7 pb))

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Structural investigation of cold‐rolled metallic glasses using positron annihilation methods (1975)

Chen, H. S. ; Chuang, S. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1975; 27(6): 316-317. Published 1975 Sep 15. doi: 10.1063/1.88483.

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Publikationsdatum: 1975-09-15

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Integrated multijunction GaAs photodetector with high output voltage (1978)

Ilegems, M. ; Schwartz, B. ; Koszi, L. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1978; 33(7): 629-631. Published 1978 Oct 01. doi: 10.1063/1.90443.

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Publikationsdatum: 1978-10-01

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Stripe‐geometry AlGaAs‐GaAs quantum‐well heterostructure lasers defined by impurity‐induced layer disordering (1984)

Meehan, K. ; Brown, J. M. ; Holonyak, N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 44(7): 700-702. Published 1984 Apr 01. doi: 10.1063/1.94883.

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Publikationsdatum: 1984-04-01

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Impurity induced disordering of strained GaP‐GaAs1−xPx(x∼0.6) superlattices (1983)

Camras, M. D. ; Holonyak, N. ; Hess, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(2): 185-187. Published 1983 Jan 15. doi: 10.1063/1.93875.

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Mode‐locked semiconductor lasers with gateable output and electrically controllable optical absorber (1983)

Tsang, W. T. ; Olsson, N. A. ; Logan, R. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(4): 339-341. Published 1983 Aug 15. doi: 10.1063/1.94348.

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Parametric resonance of systems with time‐varying dissipation (1976)

Batchelor, D. B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1976; 29(5): 280-281. Published 1976 Sep 01. doi: 10.1063/1.89064.

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Publikationsdatum: 1976-09-01

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Single‐longitudinal‐mode metalorganic chemical‐vapor‐deposition self‐aligned GaAlAs‐GaAs double‐heterostructure lasers (1980)

Coleman, J. J. ; Dapkus, P. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(3): 262-263. Published 1980 Aug 01. doi: 10.1063/1.91900.

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Publikationsdatum: 1980-08-01

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Fundamental mode oscillation of a buried ridge waveguide laser array (1984)

Mukai, S. ; Lindsey, C. ; Katz, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(8): 834-835. Published 1984 Oct 15. doi: 10.1063/1.95417.

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Analysis of deterioration in In solder for GaAlAs DH lasers (1979)

Fujiwara, K. ; Imai, H. ; Fujiwara, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1979; 35(11): 861-863. Published 1979 Dec 01. doi: 10.1063/1.90984.

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Publikationsdatum: 1979-12-01

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Near‐field and far‐field patterns of phase‐locked semiconductor laser arrays (1983)

Scifres, D. R. ; Streifer, W. ; Burnham, R. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(6): 495-497. Published 1983 Mar 15. doi: 10.1063/1.93980.

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Publikationsdatum: 1983-03-15

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Beam scanning and wavelength modulation with branching waveguide stripe injection lasers (1978)

Scifres, D. R. ; Streifer, W. ; Burnham, R. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1978; 33(7): 616-618. Published 1978 Oct 01. doi: 10.1063/1.90481.

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80× single‐stage compression of frequency doubled Nd:yttrium aluminum garnet laser pulses (1984)

Johnson, A. M. ; Stolen, R. H. ; Simpson, W. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 44(8): 729-731. Published 1984 Apr 15. doi: 10.1063/1.94897.

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Publikationsdatum: 1984-04-15

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Frequency up‐shift for cyclotron‐wave instability on a relativistic electron beam (1978)

Hirshfield, J. L. ; Chu, K. R. ; Kainer, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1978; 33(10): 847-848. Published 1978 Nov 15. doi: 10.1063/1.90209.

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Publikationsdatum: 1978-11-15

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Optical directional couplers and grating couplers using a new high−resolution photolocking material (1975)

Tomlinson, W. J. ; Weber, H. P. ; Pryde, C. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1975; 26(6): 303-306. Published 1975 Mar 15. doi: 10.1063/1.88166.

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Publikationsdatum: 1975-03-15

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High‐power phase‐locked arrays of index‐guided diode lasers (1983)

Botez, D. ; Connolly, J. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(12): 1096-1098. Published 1983 Dec 15. doi: 10.1063/1.94239.

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Publikationsdatum: 1983-12-15

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Lateral beam collimation of a phased array semiconductor laser (1982)

Scifres, D. ; Burnham, R. D. ; Streifer, W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(7): 614-616. Published 1982 Oct 01. doi: 10.1063/1.93625.

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Publikationsdatum: 1982-10-01

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Localized laser etching of compound semiconductors in aqueous solution (1982)

Osgood, R. M. ; Sanchez‐Rubio, A. ; Ehrlich, D. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(5): 391-393. Published 1982 Mar 01. doi: 10.1063/1.93113.

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Publikationsdatum: 1982-03-01

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Real‐time image processing via four‐wave mixing in a photorefractive medium (1980)

White, Jeffrey O. ; Yariv, Amnon

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(1): 5-7. Published 1980 Jul 01. doi: 10.1063/1.91700.

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Publikationsdatum: 1980-07-01

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High power coupled multiple stripe quantum well injection lasers (1982)

Scifres, D. R. ; Burnham, R. D. ; Streifer, W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(2): 118-120. Published 1982 Jul 15. doi: 10.1063/1.93447.

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Publikationsdatum: 1982-07-15

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The effect of baking and pulsed laser irradiation on the bulk laser damage threshold of potassium dihydrogen phosphate crystals (1982)

Swain, J. E. ; Stokowski, S. E. ; Milam, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(1): 12-14. Published 1982 Jul 01. doi: 10.1063/1.93319.

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Publikationsdatum: 1982-07-01

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Electroabsorption in GaAs and its application to waveguide detectors and modulators (1976)

Stillman, G. E. ; Wolfe, C. M. ; Bozler, C. O. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1976; 28(9): 544-546. Published 1976 May 01. doi: 10.1063/1.88816.

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Publikationsdatum: 1976-05-01

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Electron velocity in Si and GaAs at very high electric fields (1980)

Smith, P. M. ; Inoue, M. ; Frey, Jeffrey

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(9): 797-798. Published 1980 Nov 01. doi: 10.1063/1.92078.

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Publikationsdatum: 1980-11-01

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Optical second harmonic generation in periodic multilayer GaAs‐Al0.3Ga0.7As structures (1976)

van der Ziel, J. P. ; Ilegems, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1976; 28(8): 437-439. Published 1976 Apr 15. doi: 10.1063/1.88789.

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Publikationsdatum: 1976-04-15

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Real‐time optical waveform convolver/cross correlator (1984)

Bai, Y. S. ; Babbitt, W. R. ; Carlson, N. W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(7): 714-716. Published 1984 Oct 01. doi: 10.1063/1.95391.

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Integrated‐optical frequency translator with stripe waveguide (1984)

Heismann, F. ; Ulrich, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(5): 490-492. Published 1984 Sep 01. doi: 10.1063/1.95311.

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Optical parametric amplification in Ti‐diffused LiNbO3waveguides (1980)

Sohler, W. ; Suche, H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(3): 255-257. Published 1980 Aug 01. doi: 10.1063/1.91897.

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Distributed‐feedback dye laser integrated with a channel waveguide formed on silicon (1980)

Sriram, S. ; Jackson, Howard E. ; Boyd, J. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 36(9): 721-723. Published 1980 May 01. doi: 10.1063/1.91644.

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Phase‐matched sum‐frequency light generation in optical fibers (1981)

Sasaki, Y. ; Ohmori, Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1981; 39(6): 466-468. Published 1981 Sep 15. doi: 10.1063/1.92775.

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Phase‐matched second harmonic generation in a periodic GaAs waveguide (1976)

van der Ziel, J. P. ; Ilegems, M. ; Foy, P. W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1976; 29(12): 775-777. Published 1976 Dec 15. doi: 10.1063/1.88945.

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Carrier lifetime measurement for determination of recombination rates and doping levels of III‐V semiconductor light sources (1982)

Su, C. B. ; Olshansky, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(9): 833-835. Published 1982 Nov 01. doi: 10.1063/1.93690.

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Tunable electro‐optic waveguide TE〈–〉TM converter/wavelength filter (1982)

Alferness, R. C. ; Buhl, L. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(10): 861-862. Published 1982 May 15. doi: 10.1063/1.92943.

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Polarization‐independent optical directional coupler switch using weighted coupling (1979)

Alferness, R. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1979; 35(10): 748-750. Published 1979 Nov 15. doi: 10.1063/1.90955.

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Reductions in static fatigue of silica fibers by hermetic jacketing (1979)

Pinnow, D. A. ; Robertson, G. D. ; Wysocki, J. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1979; 34(1): 17-19. Published 1979 Jan 01. doi: 10.1063/1.90581.

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Radiometric levitation of micron sized spheres (1982)

Lewittes, M. ; Arnold, S. ; Oster, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(6): 455-457. Published 1982 Mar 15. doi: 10.1063/1.93146.

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Publikationsdatum: 1982-03-15

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Holographic lithography with thick photoresist (1983)

Anderson, Erik H. ; Horwitz, C. M. ; Smith, Henry I.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(9): 874-875. Published 1983 Nov 01. doi: 10.1063/1.94533.

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Acoustic wave propagation on indium phosphide surfaces (1982)

Henaff, Jeannine ; Feldmann, Michel ; Carel, Michel ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(1): 22-24. Published 1982 Jul 01. doi: 10.1063/1.93307.

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Integrated multilayer GaAs lasers separated by tunnel junctions (1982)

van der Ziel, J. P. ; Tsang, W. T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(6): 499-501. Published 1982 Sep 15. doi: 10.1063/1.93585.

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17‐GHz bandwidth electro‐optic modulator (1983)

Gee, C. M. ; Thurmond, G. D. ; Yen, H. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(11): 998-1000. Published 1983 Dec 01. doi: 10.1063/1.94211.

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Subpicosecond electro‐optic shock waves (1983)

Auston, D. H.

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In: Applied Physics Letters. 1983; 43(8): 713-715. Published 1983 Oct 15. doi: 10.1063/1.94486.

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Optically enhanced amorphous silicon solar cells (1983)

Deckman, H. W. ; Wronski, C. R. ; Witzke, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(11): 968-970. Published 1983 Jun 01. doi: 10.1063/1.93817.

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High‐gain InGaAsP‐InP heterojunction phototransistors (1980)

Wright, P. D. ; Nelson, R. J. ; Cella, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(2): 192-194. Published 1980 Jul 15. doi: 10.1063/1.91821.

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Uniform‐carrier‐concentrationp‐type layers in GaAs produced by beryllium ion implantation (1976)

Donnelly, J. P. ; Leonberger, F. J. ; Bozler, C. O.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1976; 28(12): 706-708. Published 1976 Jun 15. doi: 10.1063/1.88644.

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Publikationsdatum: 1976-06-15

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Unbekannt

Electro‐optic effects in the optically active compounds Bi12TiO20and Bi40Ga2O63 (1975)

Fox, A. J. ; Bruton, T. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1975; 27(6): 360-362. Published 1975 Sep 15. doi: 10.1063/1.88477.

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Publikationsdatum: 1975-09-15

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Coherent selective erasure of superimposed volume holograms in LiNbO3 (1975)

Huignard, J. P. ; Herriau, J. P. ; Micheron, F.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1975; 26(5): 256-258. Published 1975 Mar 01. doi: 10.1063/1.88142.

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Publikationsdatum: 1975-03-01

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An optical TE‐TM mode splitter using a LiNbO3branching waveguide (1980)

Masuda, Masamitsu ; Yip, Gar Lam

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(1): 20-22. Published 1980 Jul 01. doi: 10.1063/1.91686.

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Publikationsdatum: 1980-07-01

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Slip dislocation formation during cw laser annealing of silicon (1981)

Baumgart, H. ; Phillipp, F. ; Rozgonyi, G. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1981; 38(2): 95-97. Published 1981 Jan 15. doi: 10.1063/1.92268.

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Publikationsdatum: 1981-01-15

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Optical absorption coefficient of silicon at 1.152 μ at elevated temperatures (1982)

Jellison, G. E. ; Lowndes, D. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(7): 594-596. Published 1982 Oct 01. doi: 10.1063/1.93621.

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High‐speed holography of laser‐induced breakdown in liquids (1977)

Lauterborn, W. ; Ebeling, K. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1977; 31(10): 663-664. Published 1977 Nov 15. doi: 10.1063/1.89495.

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Whisker growth and cone formation on metal surfaces under ion bombardment (1983)

Wehner, G. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(4): 366-367. Published 1983 Aug 15. doi: 10.1063/1.94339.

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Unbekannt

Novel hybrid optically bistable switch: The quantum well self‐electro‐optic effect device (1984)

Miller, D. A. B. ; Chemla, D. S. ; Damen, T. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(1): 13-15. Published 1984 Jul 01. doi: 10.1063/1.94985.

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Unbekannt

Efficient hologram recording in LiNbO3 : Fe using optical pulses (1979)

Chen, Che‐Tsung ; Kim, Dae M. ; von der Linde, D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1979; 34(5): 321-324. Published 1979 Mar 01. doi: 10.1063/1.90790.

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Unbekannt

Abel inversion with a simple analytic representation for experimental data (1983)

Deutsch, Moshe

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(3): 237-239. Published 1983 Feb 01. doi: 10.1063/1.93892.

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Enhancement of light emission from metal‐insulator‐metal tunnel junctions (1977)

McCarthy, S. L. ; Lambe, John

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1977; 30(8): 427-429. Published 1977 Apr 15. doi: 10.1063/1.89434.

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Unbekannt

Microwave‐induced constant‐voltage steps at one volt from a series array of Josephson junctions (1984)

Niemeyer, J. ; Hinken, J. H. ; Kautz, R. L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(4): 478-480. Published 1984 Aug 15. doi: 10.1063/1.95222.

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Unbekannt

High power uv noble‐gas‐halide laserf (1976)

Hoffman, J. M. ; Hays, A. K. ; Tisone, G. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1976; 28(9): 538-539. Published 1976 May 01. doi: 10.1063/1.88813.

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Electroabsorption by Stark effect on room‐temperature excitons in GaAs/GaAlAs multiple quantum well structures (1983)

Chemla, D. S. ; Damen, T. C. ; Miller, D. A. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(10): 864-866. Published 1983 May 15. doi: 10.1063/1.93794.

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Monolithic integrated microgratings and photodiodes for wavelength demultiplexing (1982)

Suhara, T. ; Handa, Y. ; Nishihara, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(2): 120-122. Published 1982 Jan 15. doi: 10.1063/1.93008.

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Dynamics of optical TE to TM mode conversion in LiNbO3channel waveguides (1984)

Lam, Juan F. ; Yen, Huan W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(11): 1172-1174. Published 1984 Dec 01. doi: 10.1063/1.95081.

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Red‐light‐emitting laser diodes operating cw at room temperature (1976)

Kressel, H. ; Hawrylo, F. Z.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1976; 28(10): 598-600. Published 1976 May 15. doi: 10.1063/1.88578.

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Impurity‐induced disordering of single well AlxGa1−xAs‐GaAs quantum well heterostructures (1984)

Meehan, K. ; Brown, J. M. ; Camras, M. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 44(4): 428-430. Published 1984 Feb 15. doi: 10.1063/1.94798.

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Intracavity second‐harmonic generation in a Nd pentaphosphate laser (1976)

Chinn, S. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1976; 29(3): 176-179. Published 1976 Aug 01. doi: 10.1063/1.89014.

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Vacuum ultraviolet light transmission through hollow‐core quartz‐glass cladding optical fibers (1984)

Watanabe, M. ; Hidaka, T. ; Tanino, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(7): 725-727. Published 1984 Oct 01. doi: 10.1063/1.95375.

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Quantum noise and dynamics in quantum well and quantum wire lasers (1984)

Arakawa, Yasuhiko ; Vahala, Kerry ; Yariv, Amnon

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(9): 950-952. Published 1984 Nov 01. doi: 10.1063/1.95453.

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GaAlAs buried multiquantum well lasers fabricated by diffusion‐induced disordering (1984)

Fukuzawa, Tadashi ; Semura, Shigeru ; Saito, Hiroshi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(1): 1-3. Published 1984 Jul 01. doi: 10.1063/1.94988.

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Room‐temperature pulsed oscillation of GaAlAs/GaAs surface emitting injection laser (1984)

Iga, K. ; Ishikawa, S. ; Ohkouchi, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(4): 348-350. Published 1984 Aug 15. doi: 10.1063/1.95265.

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Relative responses of CsI and Au photocathodes to 70‐psec, 500‐eV x‐ray pulses (1980)

Stradling, G. L. ; Medecki, H. ; Kauffman, R. L. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1980; 37(9): 782-784. Published 1980 Nov 01. doi: 10.1063/1.92072.

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A novel technique for GaInAsP/InP buried heterostructure laser fabrication (1982)

Liau, Z. L. ; Walpole, J. N.

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In: Applied Physics Letters. 1982; 40(7): 568-570. Published 1982 Apr 01. doi: 10.1063/1.93182.

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Fabrication of germanium‐coated nickel hollow waveguides for infrared transmission (1983)

Miyagi, Mitsunobu ; Hongo, Akihito ; Aizawa, Yoshizo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(5): 430-432. Published 1983 Sep 01. doi: 10.1063/1.94377.

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Visible GaAlAs V‐channeled substrate inner stripe laser with stabilized mode using p‐GaAs substrate (1982)

Yamamoto, S. ; Hayashi, H. ; Yano, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(5): 372-374. Published 1982 Mar 01. doi: 10.1063/1.93107.

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Optical switching in semiconductor organic thin films (1982)

Potember, R. S. ; Poehler, T. O. ; Benson, R. C.

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In: Applied Physics Letters. 1982; 41(6): 548-550. Published 1982 Sep 15. doi: 10.1063/1.93591.

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High reflectivity GaAs‐AlGaAs mirrors fabricated by metalorganic chemical vapor deposition (1984)

Thornton, R. L. ; Burnham, R. D. ; Streifer, W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(10): 1028-1030. Published 1984 Nov 15. doi: 10.1063/1.95051.

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Efficient visible photoluminescence in the binarya‐Si:Hxalloy system (1983)

Wolford, D. J. ; Reimer, J. A. ; Scott, B. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 42(4): 369-371. Published 1983 Feb 15. doi: 10.1063/1.93920.

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Embedded‐mirror semiconductor laser (1984)

Laidig, W. D. ; Lee, J. W. ; Caldwell, P. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(5): 485-487. Published 1984 Sep 01. doi: 10.1063/1.95309.

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Picosecond nonequilibrium carrier transport in GaAs (1981)

Shank, C. V. ; Fork, R. L. ; Greene, B. I. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1981; 38(2): 104-105. Published 1981 Jan 15. doi: 10.1063/1.92258.

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Single‐longitudinal‐mode stabilized graded‐index‐rod external coupled‐cavity laser (1984)

Liou, K‐Y. ; Burrus, C. A. ; Linke, R. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(7): 729-731. Published 1984 Oct 01. doi: 10.1063/1.95377.

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Metal film removal and patterning using a XeCl laser (1983)

Andrew, J. E. ; Dyer, P. E. ; Greenough, R. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(11): 1076-1078. Published 1983 Dec 01. doi: 10.1063/1.94204.

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Disorder of an AlAs‐GaAs superlattice by silicon implantation (1982)

Coleman, J. J. ; Dapkus, P. D. ; Kirkpatrick, C. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(10): 904-906. Published 1982 May 15. doi: 10.1063/1.92942.

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Deep‐ultraviolet induced wet etching of GaAs (1984)

Podlesnik, D. V. ; Gilgen, H. H. ; Osgood, R. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(5): 563-565. Published 1984 Sep 01. doi: 10.1063/1.95281.

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Atmospheric pressure operation of an electron beam excited KrF laser using Kr/F2mixtures (1984)

Suda, Akira ; Obara, Minoru ; Fujioka, Tomoo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(11): 1165-1167. Published 1984 Dec 01. doi: 10.1063/1.95090.

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Characteristics of compressional shocks resulting from picosecond heating of confined foils (1984)

Schoen, P. E. ; Campillo, A. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(10): 1049-1051. Published 1984 Nov 15. doi: 10.1063/1.95058.

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Unbekannt

Photoelectrochemical etching of integral lenses on InGaAsP/InP light‐emitting diodes (1983)

Ostermayer, F. W. ; Kohl, P. A. ; Burton, R. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(7): 642-644. Published 1983 Oct 01. doi: 10.1063/1.94461.

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Unbekannt

Uniformity of quantum well heterostructure GaAlAs lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition (1982)

Scifres, D. R. ; Burnham, R. D. ; Bernstein, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 41(6): 501-504. Published 1982 Sep 15. doi: 10.1063/1.93586.

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Unbekannt

Theoretical evaluation of electron‐beam‐excited KrF lasers using argon‐free mixtures of one atmosphere (1984)

Kannari, Fumihiko ; Suda, Akira ; Obara, Minoru ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(4): 305-307. Published 1984 Aug 15. doi: 10.1063/1.95271.

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Unbekannt

Chirped arrays of diode lasers for supermode control (1984)

Kapon, E. ; Lindsey, C. ; Katz, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(3): 200-202. Published 1984 Aug 01. doi: 10.1063/1.95209.

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Unbekannt

Transient enhanced diffusion in arsenic‐implanted short time annealed silicon (1984)

Kalish, R. ; Sedgwick, T. O. ; Mader, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 44(1): 107-109. Published 1984 Jan 01. doi: 10.1063/1.94572.

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Unbekannt

Large optical cavity AlGaAs buried heterostructure window lasers (1982)

Blauvelt, H. ; Margalit, S. ; Yariv, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1982; 40(12): 1029-1031. Published 1982 Jun 15. doi: 10.1063/1.92984.

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Unbekannt

A novel double‐heterostructure p‐n‐junction laser (1977)

SpringThorpe, A. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1977; 31(8): 524-525. Published 1977 Oct 15. doi: 10.1063/1.89762.

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Unbekannt

High‐resolution photoacoustic thermal‐wave microscopy (1980)

Rosencwaig, Allan ; Busse, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 36(9): 725-727. Published 1980 May 01. doi: 10.1063/1.91646.

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Unbekannt

Return‐current electron streams in high‐intensity laser target interaction (1981)

Jaanimagi, P. A. ; Ebrahim, N. A. ; Burnett, N. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1981; 38(10): 734-736. Published 1981 May 15. doi: 10.1063/1.92169.

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Unbekannt

High‐Δnoptical waveguides in LiNbO3: Thallium‐lithium ion exchange (1980)

Jackel, Janet

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 37(8): 739-741. Published 1980 Oct 15. doi: 10.1063/1.92016.

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Unbekannt

Enhanced second‐harmonic generation by counter‐propagating guided optical waves (1981)

Vella, P. J. ; Normandin, R. ; Stegeman, G. I.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1981; 38(10): 759-760. Published 1981 May 15. doi: 10.1063/1.92152.

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Unbekannt

Optical pulse compression by nonlinear coupling (1983)

Kitayama, Ken‐ichi ; Wang, Shyh

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1983; 43(1): 17-19. Published 1983 Jul 01. doi: 10.1063/1.94151.

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Unbekannt

Efficient waveguide electro‐optic TE⇄TM mode converter/wavelength filter (1980)

Alferness, R. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1980; 36(7): 513-515. Published 1980 Apr 01. doi: 10.1063/1.91589.

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Unbekannt

Effect of doping level on the gain constant and modulation bandwidth of InGaAsP semiconductor lasers (1984)

Su, C. B. ; Lanzisera, V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(12): 1302-1304. Published 1984 Dec 15. doi: 10.1063/1.95127.

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Unbekannt

Traveling‐wave electro‐optic modulator with maximum bandwidth‐length product (1984)

Becker, R. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(11): 1168-1170. Published 1984 Dec 01. doi: 10.1063/1.95091.

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Unbekannt

Observation of supermodes in a phase‐locked diode laser array (1984)

Paoli, Thomas L. ; Streifer, William ; Burnham, Robert D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 45(3): 217-219. Published 1984 Aug 01. doi: 10.1063/1.95188.

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Unbekannt

High‐speed optical modulation with GaAs/GaAlAs quantum wells in ap‐i‐ndiode structure (1984)

Wood, T. H. ; Burrus, C. A. ; Miller, D. A. B. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1984; 44(1): 16-18. Published 1984 Jan 01. doi: 10.1063/1.94586.

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