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Identification of epitaxial Y2O3inclusions in sputtered YBa2Cu3O7films: Impact on film growth (1992)

Catana, A. ; Broom, R. F. ; Bednorz, J. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1016-1018. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106507.

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Publikationsdatum: 1992-02-24

Print ISSN: 0003-6951

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Thema: Physik

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Sum‐frequency generation in segmented KTP waveguides (1992)

Laurell, F. ; Brown, J. B. ; Bierlein, J. D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(9): 1064-1066. Published 1992 Mar 02. doi: 10.1063/1.106445.

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Publikationsdatum: 1992-03-02

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Fabrication of TlCaBaCuO step‐edge Josephson junctions with hysteretic behavior (1992)

Martens, J. S. ; Hietala, V. M. ; Zipperian, T. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1013-1015. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106506.

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Organometallic vapor phase epitaxial growth and characterization of GaInP/AlInP quantum wells on 10°‐off GaAs substrates using ethyldimethylindium (1992)

Wang, T. Y. ; Welch, D. F. ; Scifres, D. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1007-1009. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106504.

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Generation of the pretilt angles in nematic liquid crystal (5CB) aligned on the rubbed polypyrrole films (1992)

Seo, Dae‐Shik ; Kobayashi, Shunsuke ; Mochizuki, Akihiro

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1025-1026. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106487.

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Using light as a stencil (1992)

Prentiss, M. ; Timp, G. ; Bigelow, N. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1027-1029. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106488.

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Low dark current step‐bound‐to‐miniband transition InGaAs/GaAs/AlGaAs multiquantum‐well infrared detector (1992)

Yu, Larry S. ; Wang, Y. H. ; Li, Sheng S. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 992-994. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106484.

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Integrated wavelength demultiplexer‐receiver on InP (1992)

Bornholdt, C. ; Trommer, D. ; Unterbörsch, G. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 971-973. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.107460.

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Electrical behavior of Yb ion inp‐ andn‐type InP (1992)

Seghier, D. ; Benyattou, T. ; Bremond, G. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 983-985. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106481.

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Electrical characteristics of paraelectric lead lanthanum zirconium titanate thin films for dynamic random access memory applications (1992)

Jones, R. E. ; Maniar, P. D. ; Olowolafe, J. O. ; [weitere]

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In: Applied Physics Letters. 1992; 60(8): 1022-1024. Published 1992 Feb 24. doi: 10.1063/1.106486.

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