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Unbekannt

Reactive ion etching of diamond (1989)

Sandhu, G. S. ; Chu, W. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 437-438. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101890.

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Photorefractive effect in La3Ga5SiO14‐Pr3+piezoelectric crystals (1989)

Fridkin, V. M. ; Kaminskii, A. A. ; Lazarev, V. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 545-546. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.102432.

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Unbekannt

Si/SiO2interface structures in laser‐recrystallized Si on SiO2 (1989)

Ogura, Atsushi ; Aizaki, Naoaki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 547-549. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.102433.

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Integrated external cavity GaAs/AlGaAs lasers using selective quantum well disordering (1989)

Werner, J. ; Kapon, E. ; Stoffel, N. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 540-542. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101848.

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Structural and electrical properties of epitaxial Si on insulating substrates (1989)

Rozgonyi, G. A. ; Radzimski, Z. J. ; Higuchi, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 586-588. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101841.

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Synchronously pumped mode‐locked dye laser pumped by a frequency‐doubled mode‐locked andQ‐switched diode laser pumped Nd:YAG laser (1989)

Maker, G. T. ; Ferguson, A. I.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 525-527. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101867.

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Direct observation of discrete layers of dislocation loops near the projected ion ranges in high‐dose P+‐implanted (001)Si by cross‐sectional transmission electron microscopy (1989)

Hsu, S. N. ; Chen, L. J. ; Chao, W. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 565-567. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101833.

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Preferential growth of [001] twist boundaries in the Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O superconductor (1989)

Takahashi, Yutaka ; Mori, Minoru ; Ishida, Yoichi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 486-488. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.102427.

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Timing synchronization of a passively mode‐locked dye laser using a pulsed optical phase lock loop (1989)

Dijaili, S. P. ; Smith, J. S. ; Dienes, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 418-420. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101883.

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Pb1−xSrxS/PbS double‐heterostructure lasers prepared by hot‐wall expitaxy (1989)

Ishida, A. ; Muramatsu, K. ; Takashiba, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 430-431. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101887.

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Comment on ‘‘Ion mixing of metal/Al bilayers near 77 K’’ [Appl. Phys. Lett.54, 413 (1989)] (1989)

Vasconcellos, M. A. Z. ; Borges da Costa, J. A. T. ; Schreiner, W. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 513-514. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101864.

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Scanning force microscopy using a simple low‐noise interferometer (1989)

den Boef, A. J.

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In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 439-441. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101891.

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Photoemissive scanning microscopy of doped regions on semiconductor surfaces (1989)

Quiniou, B. ; Scarmozzino, R. ; Wu, Z. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 481-483. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101859.

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Unbekannt

Growth of Cd1−xMnxTe films by pulsed laser evaporation and epitaxy (1989)

Wrobel, J. M. ; Dubowski, J. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 469-471. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101855.

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Unbekannt

Extremely high electron mobility in a GaAs‐GaxIn1−xP heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition (1989)

Razeghi, M. ; Defour, M. ; Omnes, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 457-459. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101851.

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Unbekannt

Nature of Pb in superconducting cuprates containing lead: A PbL3x‐ray absorption near‐edge spectroscopy study (1989)

Kulkarni, G. U. ; Sankar, G. ; Rao, C. N. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 388-389. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.102421.

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Unbekannt

All‐silicon integrated optical modulator for 1.3 μm fiber‐optic interconnects (1989)

Hemenway, B. R. ; Solgaard, O. ; Bloom, D. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 349-350. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101905.

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Unbekannt

Magnetosonic wave generation by super‐Alfvénic ion ring propagation in plasma (1989)

Schamiloglu, E. ; Greenly, J. B. ; Hammer, D. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2727-2729. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101936.

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Unbekannt

Photorefractive effect in Ti‐diffused channel waveguides using LiNbO3substrates with reduced optical absorption (1989)

Fujiwara, Takumi ; Terashima, Akira ; Mori, Hiroshi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2718-2720. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.102369.

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Unbekannt

Response to ‘‘Comment on ‘Aluminum cladding of highTcsuperconductor by thermocompression bonding’ ’’ [Appl. Phys. Lett.55, 321 (1989)] (1989)

Richardson, T. J. ; De Jonghe, L. C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 321-322. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102416.

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Unbekannt

Domain observation during direct overwrite on magneto‐optical recording films (1989)

Suzuki, Yoshio ; Ohta, Norio ; Takahashi, Masahiko ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 315-317. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102414.

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Unbekannt

Generation of misfit dislocations in GaAs grown on Si (1989)

Tsai, H. L. ; Matyi, R. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 265-267. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101924.

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Unbekannt

Preparation of superconducting Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O fibers (1989)

LeBeau, S. E. ; Righi, J. ; Ostenson, J. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 292-294. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102408.

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Unbekannt

Fast diffusers Cu and Ni as the origin of electrical activity in a silicon grain boundary (1989)

Maurice, J.‐L. ; Colliex, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 241-243. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101919.

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Unbekannt

Pseudomorphic ZnTe/AlSb/GaSb heterostructures by molecular beam epitaxy (1989)

Mathine, D. L. ; Durbin, S. M. ; Gunshor, R. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 268-270. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101925.

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Unbekannt

YBa2Cu3O7−δfilms deposited by a novel ion beam sputtering technique (1989)

Kingon, A. I. ; Auciello, O. ; Ameen, M. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 301-303. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101568.

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Unbekannt

Effect of spatially variable effective mass on static and dynamic properties of resonant tunneling devices (1989)

Mains, R. K. ; Mehdi, I. ; Haddad, G. I.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2631-2633. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101958.

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Unbekannt

Biaxial elastic modulus of metallic films determined from vibrating circular membranes (1989)

Fartash, A. ; Schuller, Ivan K. ; Grimsditch, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2614-2616. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101953.

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Unbekannt

High‐resolution electron microscopy of the GaAs/AlGaAs heterointerface with (200) and transmitted beams (1989)

Ikarashi, Nobuyuki ; Sakai, Akira ; Baba, Toshio ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(24): 2509-2511. Published 1989 Dec 11. doi: 10.1063/1.102013.

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Unbekannt

Arsenic‐induced step rearrangements on vicinal Si (111) substrates (1989)

Ohno, T. R. ; Williams, Ellen D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2628-2630. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101957.

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Unbekannt

Au‐Ag ion mixing rate—disagreement with theory resolved (1989)

Bo/rgesen, P. ; Lilienfeld, D. A. ; Johnson, H. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(24): 2497-2499. Published 1989 Dec 11. doi: 10.1063/1.102010.

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Unbekannt

Ultrafast imaging of ultraviolet laser ablation and etching of polymethylmethacrylate (1989)

Srinivasan, R. ; Braren, Bodil ; Casey, Kelly G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2790-2791. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101910.

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Unbekannt

Optical plasma monitoring of Y‐Ba‐Cu‐O rf sputter target transients (1989)

Klein, J. D. ; Yen, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2670-2672. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.102368.

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Unbekannt

Oxygen concentration of Eu1Ba2Cu3O7−xin vacuum: An atom probe study (1989)

Elswijk, H. B. ; Melmed, A. J. ; Camus, P. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2667-2669. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.102367.

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Wet chemical etching of high‐temperature superconducting Y‐Ba‐Cu‐O films in ethylenediaminetetraacetic acid (1989)

Shokoohi, F. K. ; Schiavone, L. M. ; Rogers, C. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2661-2663. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.102366.

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Interface study of hydrogenated amorphous silicon nitride on hydrogenated amorphous silicon by x‐ray photoelectron spectroscopy (1989)

Beaudoin, M. ; Arsenault, C. J. ; Izquierdo, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2640-2642. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.102299.

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Characteristics of rare‐earth element erbium implanted in silicon (1989)

Tang, Y. S. ; Heasman, K. C. ; Gillin, W. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 432-433. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101888.

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High‐resolution patterning of highTcsuperconductors (1989)

Harriott, L. R. ; Polakos, P. A. ; Rice, C. E.

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In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 495-497. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.102429.

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As‐grown superconducting Bi(‐Pb)‐Sr‐Ca‐Cu‐O films by electron cyclotron resonance plasma sputtering (1989)

Masumoto, H. ; Goto, T. ; Hirai, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 498-500. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101862.

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Room‐temperature absorption study of CdTe‐ZnTe superlattices (1989)

Shtrikman, Hadas ; Riezman, A. ; Tenne, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 553-555. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101831.

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Subpicosecond photoluminescence from radiation‐damaged Ga0.47In0.53As (1989)

Höpfel, R. A. ; Sawaki, N. ; Wintner, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 460-462. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101852.

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Weak flux pinning at grain boundaries in Ag sheathed Ba2YCu3O6+xtapes (1989)

Osamura, K. ; Takayama, T. ; Ochiai, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 396-398. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.102423.

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Formation of crystalline diamond from amorphous diamond‐like carbon films by pulsed laser irradiation (1989)

Harshavardhan, K. Solomon ; Yalamanchi, R. S. ; Rao, L. Kameswara

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 351-353. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101906.

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Oxygen ion irradiation of Tl2Ca2Ba2Cu3O10superconductors (1989)

Barbour, J. C. ; Kwak, J. F. ; Ginley, D. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 507-509. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.102431.

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Unbekannt

Growth of textured diamond films on foreign substrates from attached seed crystals (1989)

Geis, M. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 550-552. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101830.

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Unbekannt

Carbon reduction in GaAs films grown by laser‐assisted metalorganic molecular beam epitaxy (1989)

Iga, R. ; Sugiura, H. ; Yamada, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 451-453. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101872.

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Unbekannt

Optical window in strained‐layer Si/Ge microstructures (1989)

Gell, Michael

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 484-485. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101860.

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Unbekannt

Dual‐transistor method to determine threshold‐voltage shifts due to oxide‐trapped charge and interface traps in metal‐oxide‐semiconductor devices (1989)

Fleetwood, D. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 466-468. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101854.

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Unbekannt

Superconducting Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O crystalline fibers prepared by the micro‐Czochralski method (1989)

Kurosaka, Akihito ; Aoyagi, Mamoru ; Tominaga, Haruo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 390-392. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101880.

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Unbekannt

Leaky‐wave modes in nonlinear output prism couplers (1989)

Lin, L. ; Tamir, T. ; Leung, K. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 427-429. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101886.

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Unbekannt

Wave function sweeping in AlxGa1−xAs‐GaAs quantum wells (1989)

Ensslin, K. ; Heitmann, D. ; Ploog, K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 368-370. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101873.

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Unbekannt

New hybrid physical vapor deposition/organometallic chemical vapor deposition route to highTcsuperconducting Tl‐Ba‐Ca‐Cu‐O thin films (1989)

Richeson, D. S. ; Tonge, L. M. ; Wang, X. K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2778-2780. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.102372.

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Unbekannt

Spike train generation and current‐to‐frequency conversion in silicon diodes (1989)

Coon, D. D. ; Perera, A. G. U.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 478-480. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101858.

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Unbekannt

New deep acceptor in epitaxial cubic SiC (1989)

Freitas, J. A. ; Bishop, S. G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2757-2759. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101946.

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Unbekannt

Grain size dependence of the critical current density in YBa2Cu3Oxsuperconductors (1989)

Kuwabara, M. ; Shimooka, H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2781-2783. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.102373.

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Unbekannt

Simplified scattering coefficient expressions for a spherical particle located on the propagation axis of a fifth‐order Gaussian beam (1989)

Schaub, Scott A. ; Barton, John P. ; Alexander, Dennis R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2709-2711. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101932.

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Unbekannt

Detection of water‐related charge in electronic dielectrics (1989)

Lifshitz, N. ; Smolinsky, G.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 408-410. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101570.

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Unbekannt

Phase diagram of BinSrCaCu3−nOyon the line 1≤n≤2 (1989)

Tomomatsu, Kazuhiko ; Kurosaka, Akihito ; Tominaga, Haruo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 298-300. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102410.

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Unbekannt

Laser photochemical deposition of germanium‐silicon alloy thin films (1989)

Burke, Hubert H. ; Herman, Irving P. ; Tavitian, Viken ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 253-255. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102384.

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Unbekannt

Microstructure of epitaxially oriented superconducting YBa2Cu3O7−xfilms grown on (100) MgO by metalorganic decomposition (1989)

Lee, S.‐Tong ; Chen, Samuel ; Hung, L. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 286-288. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102406.

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Unbekannt

Low‐temperature reaction in tungsten layers deposited on Si(100) substrates (1989)

Cros, A. ; Pierrisnard, R. ; Pierre, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 226-228. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102382.

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Unbekannt

Gain measurements of the C VI 3d–2ptransition (18.2 nm) from the wall‐confined carbon plasmas produced by a CO2laser (1989)

Miura, E. ; Daido, H. ; Kitagawa, Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 223-225. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101914.

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Unbekannt

Schottky diodes on hydrogen plasma treatedn‐GaAs surfaces (1989)

Paccagnella, A. ; Callegari, A. ; Latta, E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 259-261. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101922.

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Unbekannt

Interaction of Ce with Si (100) (1989)

Hillebrecht, F. U.

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In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 277-279. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101908.

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Unbekannt

Droplet spraying of heavy metal fluoride glass for optical waveguide fabrication (1989)

Broer, M. M. ; Bautista, J. R. ; Bruce, A. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2620-2621. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101954.

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Unbekannt

Investigation of oxide particles in Czochralski silicon heat treated for intrinsic gettering using scanning infrared microscopy (1989)

Laczik, Z. ; Booker, G. R. ; Bergholz, W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2625-2627. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101956.

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Unbekannt

New model for damage accumulation in Si during self‐ion irradiation (1989)

Holland, O. W. ; Pennycook, S. J. ; Albert, Gerald L.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(24): 2503-2505. Published 1989 Dec 11. doi: 10.1063/1.102011.

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Etch rate enhancement of photoresist in nitrogen‐containing plasmas (1989)

Premachandran, V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(24): 2488-2490. Published 1989 Dec 11. doi: 10.1063/1.102007.

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Homogeneous width of exciton absorption spectra in CuCl microcrystals (1989)

Masumoto, Yasuaki ; Wamura, Tetsuro ; Iwaki, Atsushi

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In: Applied Physics Letters. 1989; 55(24): 2535-2537. Published 1989 Dec 11. doi: 10.1063/1.102271.

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Optically pumped laser oscillation at ≊2.9 μm of a HgCdTe layer grown by metalorganic chemical vapor deposition (1989)

Ravid, A. ; Zussman, A. ; Cinader, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2704-2706. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101930.

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Lasing threshold in quantum well surface‐emitting lasers: Many‐body effects and temperature dependence (1989)

Gourley, P. L. ; Lyo, S. K. ; Brennan, T. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2698-2700. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101928.

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Photodetachment effect in a radio frequency plasma in CF4 (1989)

Jauberteau, J. L. ; Meeusen, G. J. ; Haverlag, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2597-2599. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101990.

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Calibration of scanning tunneling microscope transducers using optical beam deflection (1989)

Wetsel, G. C. ; McBride, S. E. ; Warmack, R. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 528-530. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101868.

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Ion‐implanted In0.1Ga0.9As metal‐semiconductor field‐effect transistors on GaAs (100) substrates (1989)

Feng, M. ; Wang, G. W. ; Liaw, Y. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 568-569. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101834.

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Theoretical analysis of timing jitter in gain‐switched semiconductor lasers (1989)

Sano, E. ; Shinagawa, M. ; Takahashi, R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 522-524. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101866.

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130 GHz GaAs monolithic integrated circuit sampling head (1989)

Marsland, R. A. ; Valdivia, V. ; Madden, C. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 592-594. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101842.

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Integrated injection‐locked high‐power cw diode laser arrays (1989)

Hohimer, J. P. ; Myers, D. R. ; Brennan, T. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 531-533. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101845.

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Defect‐induced Schottky barrier height modification by pulsed laser melting of GaAs (1989)

Zhang, T. ; Sigmon, T. W. ; Weiner, K. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 580-582. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101839.

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High‐speed binary optically addressed spatial light modulator (1989)

Moddel, G. ; Johnson, K. M. ; Li, W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 537-539. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101847.

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Unbekannt

Low‐resistance nonalloyed ohmic contacts onp‐type GaAs using GaSb/GaAs strained‐layer superlattices (1989)

Chyi, J.‐I. ; Chen, J. ; Kumar, N. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 570-571. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101835.

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Photothermal measurements of highTcsuperconductors (1989)

Fanton, J. T. ; Mitzi, D. B. ; Kapitulnik, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 598-599. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101843.

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Unbekannt

Fabrication of YBa2Cu3O7−ysuperconducting coatings by electrophoretic deposition (1989)

Chu, C. T. ; Dunn, B.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 492-494. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.102428.

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Unbekannt

Electron‐phonon relaxation rate in single‐crystal lanthanum cuprate (1989)

Doll, G. L. ; Eesley, G. L. ; Brorson, S. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 402-404. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.102425.

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Unbekannt

Anisotropy effects on fracto‐emission from MgF2single crystals (1989)

Yoo, K. C. ; Rosemeier, R. G. ; Dickinson, J. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 354-356. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.102419.

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Unbekannt

Room‐temperature electroabsorption and switching in a GaAs/AlGaAs superlattice (1989)

Bar‐Joseph, I. ; Goossen, K. W. ; Kuo, J. M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 340-342. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101902.

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Unbekannt

Laser deposition of epitaxial titanium nitride films on (100) MgO (1989)

Biunno, N. ; Narayan, J. ; Srivatsa, A. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 405-407. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101881.

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Unbekannt

Photon emission from avalanche breakdown in the collector junction of GaAs/AlGaAs heterojunction bipolar transistors (1989)

Chen, J. ; Gao, G. B. ; Huang, D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 374-376. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101875.

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Unbekannt

Formation of laterally propagating supersteps of InP/InGaAs on vicinal wafers (1989)

Cox, H. M. ; Lin, P. S. ; Yi‐Yan, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 472-474. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101856.

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Unbekannt

Chemical vapor deposition of CoGa and PtGa2thin films from mixed‐metalorganometallic compounds (1989)

Chen, Yea‐Jer ; Kaesz, Herbert D. ; Kim, Young Kwan ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2760-2762. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.102370.

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Periodic morphological modification developed on the surface of polyethersulfone by XeCl excimer laser photoablation (1989)

Niino, Hiroyuki ; Nakano, Masashi ; Nagano, Shozaburo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 510-512. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101863.

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Unbekannt

Sealed cw transversely excited CO2laser operated with active catalysts (1989)

Wu, Kaung‐Hsiung

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2689-2691. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101968.

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92

Unbekannt

Model for diffusion and trapping of hydrogen in crystalline silicon (1989)

Kalejs, J. P. ; Rajendran, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2763-2765. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101947.

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Unbekannt

Decomposition of trimethylgallium in the downstream region of a near afterglow plasma (1989)

Sheng, T. ; Pihlstrom, B. ; Yu, Z. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(23): 2411-2413. Published 1989 Dec 04. doi: 10.1063/1.102030.

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Unbekannt

Fine structure of the oxygen‐related local mode at 714 cm−1in GaAs (1989)

Alt, H. Ch.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2736-2738. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.102269.

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Unbekannt

Mechanism of subpicosecond electrical pulse generation by asymmetric excitation (1989)

Sano, E. ; Shibata, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2748-2750. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101942.

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Electron microdiffraction of faulted regions in Co‐Cr and Co‐Ni‐Cr thin films (1989)

Hono, K. ; Demczyk, B. G. ; Laughlin, D. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 229-231. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101915.

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Shubnikov–de Haas effect in thin epitaxial films of gray tin (1989)

Tu, L. W. ; Wong, G. K. ; Song, S. N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2643-2645. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101961.

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Indium adatom migration during molecular beam epitaxial growth of strained InGaAs/GaAs single quantum wells (1989)

Arent, D. J. ; Nilsson, S. ; Galeuchet, Y. D. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2611-2613. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101952.

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Linear polarized luminescence from CdTe epilayers (1989)

Kuhn, T. A. ; Ossau, W. ; Bicknell‐Tassius, R. N. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2637-2639. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101960.

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Acoustic and acousto‐optic properties of 3‐methyl 4‐nitropyridine 1‐oxide—a Brillouin scattering study (1989)

Sapriel, J. ; Hierle, R. ; Zyss, J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2594-2596. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101989.

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