ISSN:
1432-0487
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
Description / Table of Contents:
Übersicht Eine Bikristall-Teststruktur, die aus SILSO-Solarzellenmaterial herauspräpariert worden ist, wurde unter elektrischer Anregung untersucht. Messungen des Gleichstrom-Leitwertes am Spannungs-Nullpunkt bei niedriger Temperatur (200 K) zeigen, daß die Höhe der Potentialbarriere der Korngrenze mit wachsender elektrischer Anregung unter ihren Gleichgewichtswert absinkt. Genaue numerische Bestimmung der Barrierenhöhe führt jedoch auf Probleme, die mit der Planargeometrie der Teststruktur zusammenhängen. Im Hinblick auf ihre leichte Verwendbarkeit bei den folgenden Auswertungen werden untere und obere Grenzen für die räumliche Tiefe der elektrischen Anregung innerhalb der Teststruktur angenommen. Diese Grenzen definieren einen Bereich, für den man gesicherte Werte der Höhe der Potentialbarriereψ gb bestimmen kann. Der Gleichgewichtswert der Barrierenhöheψ gb beträgt 0,24 V, der sich auf 0,1V und weniger im Falle von Ladungsträger-Injektion über die Korngrenze hinweg erniedrigt.
Notes:
Contents A bicrystal test structure prepared from SILSO solar cell material was investigated under electrical excitation. Measurements of the DC zero bias conductance at a low temperature (200 K) gives evidence that the barrier height of the grain boundary decreases from an equilibrium value with growing excitation. Correct numerical determination of the barrier height, however, involves problems arising from the planar geometry of the test structure. In view of a simple applicability minimum and maximum values for the depth of excitation within the test structure are assumed. That defined a range within which reliable data of barrier heightψ gb at the grain boundary have been determined. The equilibrium value of barrier heightψ gb results in a value of 0.24 V, which is lowered to 0.1 V and less by carrier injection across the grain boundary.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01573890
