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Unbekannt

Characterization of channel strain evolution upon the silicidation of recessed source/drain Si1−xGex structures (2011)

Kim, S.-W. ; Yoo, J.-H. ; Koo, S.-M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 133107. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3633346.

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Ellipsometric demonstration of the existence of a strong correlation between size distribution and optical responses of silicon nanoclusters in a nitride matrix (2011)

Keita, A.-S. ; En Naciri, A. ; Delachat, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 131903. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644131.

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All-optical fabrication of three-dimensional photonic crystals in photopolymers by multiplex-exposure holographic recording (2011)

Orlic, Susanna ; Müller, Christian ; Schlösser, Alexander

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 131105. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644395.

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Polar-fluoropolymer blends with tailored nanostructures for high energy density low loss capacitor applications (2011)

Wu, Shan ; Lin, Minren ; Lu, S. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 132901. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3645009.

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Ferromagnetism in ZnO co-doped with Mn and N studied by soft x-ray magnetic circular dichroism (2011)

Kataoka, T. ; Yamazaki, Y. ; Singh, V. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 132508. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3643044.

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Inter/intra granular exchange and thermal activation in nanoscale granular magnetic materials (2011)

Morrison, C. ; Saharan, L. ; Hrkac, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 132507. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644469.

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Phosphorus ion implantation and annealing induced n-type conductivity and microstructure evolution in ultrananocrystalline diamond films (2011)

Hu, X. J. ; Ye, J. S. ; Hu, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 131902. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3641458.

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Electronic structure of the nitride-like structures formed on platinum and titanium nanoclusters (2011)

Grishin, M. ; Gatin, A. ; Kharitonov, V. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 133104. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644499.

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Light emission phenomena in dechlorination process of polychlorinated biphenyls by irradiating microwave (2011)

Kumada, A. ; Morimoto, T. ; Hidaka, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 131503. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3644133.

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Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics (2011)

Lv, Yuanjie ; Lin, Zhaojun ; Meng, Lingguo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 123504. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3643139.

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Microwave breakdown of low pressure N2 gas in microgaps (2011)

Klein, T. J. ; Ploch, Christopher J. ; Recknagel, Cameron J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121503. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3641900.

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Cut-off frequencies of Lamb waves in various functionally graded thin films (2011)

Cao, Xiaoshan ; Shi, Junping ; Jin, Feng

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In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121907. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3640478.

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Near-infrared luminescent and antireflective in SiO2/YVO4:Yb3+ bilayer films for c-Si solar cells (2011)

Peng, Yingjie ; Liu, Jie ; Zhang, Kun ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121110. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3630003.

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Doping-based control of the energetic structure of photovoltaic co-deposited films (2011)

Ishiyama, Norihiro ; Kubo, Masayuki ; Kaji, Toshihiko ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(13): 133301. Published 2011 Sep 26. doi: 10.1063/1.3643045.

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Emission and absorption cross-sections of an Er:GaN waveguide prepared with metal organic chemical vapor deposition (2011)

Wang, Q. ; Dahal, R. ; Feng, I.-W. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121106. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3636418.

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Unbekannt

Molecular motions in glass-rubber transition region in polyisobutylene investigated by two-dimensional correlation dielectric relaxation spectroscopy (2011)

Wang, Xiaoan ; Huang, G. S. ; Wu, J. R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121902. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3640479.

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Unbekannt

Elastic relaxation in an ultrathin strained silicon-on-insulator structure (2011)

Xiong, Gang ; Moutanabbir, Oussama ; Huang, Xiaojing ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 114103. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3637634.

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Unbekannt

Parallel memristive filaments model applicable to bipolar and filamentary resistive switching (2011)

Biju, Kuyyadi P. ; Lee, Joonmyoung ; Park, Jubong ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 113518. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3638486.

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Unbekannt

Tuning of a cavity in a silicon photonic crystal by thermal expansion of an elastomeric infill (2011)

Koray Erdamar, A. ; van Leest, M. M. ; Picken, S. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 111113. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3640235.

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Unbekannt

Characteristics of a sensitive micro-Hall probe fabricated on chemical vapor deposited graphene over the temperature range from liquid-helium to room temperature (2011)

Tang, Chiu-Chun ; Li, Ming-Yang ; Li, L. J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 112107. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3640218.

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Unbekannt

Crystallization mechanisms and recording characteristics of Si/CuSi bilayer for write-once blu-ray disc (2011)

Ou, Sin-Liang ; Kuo, Po-Cheng ; Chen, Sheng-Chi ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 121908. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3641417.

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Unbekannt

Thermally induced currents in graphene-based heterostructure (2011)

Zeng, Minggang ; Feng, Yuanping ; Liang, Gengchiau

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 123114. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3641478.

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Unbekannt

Evidence that the upper critical field of Nb3Sn is independent of whether it is cubic or tetragonal (2011)

Zhou, Jian ; Jo, Younjung ; Hawn Sung, Zu ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 122507. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3643055.

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Unbekannt

Response to “Comment on ‘Secondary electron yield of multiwalled carbon nanotubes’” [Appl. Phys. Lett. 99, 126103 (2011)] (2011)

Alam, M. K. ; Yaghoobi, P. ; Chang, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 126104. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3636391.

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Unbekannt

Comment on “Secondary electron yield of multiwalled carbon nanotubes” [Appl. Phys. Lett. 97, 261902 (2010)] (2011)

Luo, Jun

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 126103. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3636389.

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Unbekannt

Effect of the Oersted field on a vortex core switching by pulse spin current (2011)

Nakatani, Yoshinobu ; Ono, Teruo

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(12): 122509. Published 2011 Sep 19. doi: 10.1063/1.3643140.

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Unbekannt

Electroforming and endurance behavior of Al/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt devices (2011)

Liao, Zhaoliang ; Gao, Peng ; Meng, Yang ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 113506. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3638059.

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Unbekannt

Degradation of polycrystalline HfO2-based gate dielectrics under nanoscale electrical stress (2011)

Iglesias, V. ; Lanza, M. ; Zhang, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 103510. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3637633.

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Unbekannt

Selectively solvated triblock copolymer networks under biaxial strain (2011)

Krishnan, Arjun S. ; van Zanten, John H. ; Seifert, Sönke ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 101908. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3635780.

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Unbekannt

Charge propagation dynamics at trapping centers that induce the luminescence of rare-earth dopants in wide-gap materials (2011)

Ishii, Masashi ; Harako, Susumu ; Zhao, Xinwei ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 101909. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3636393.

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Unbekannt

Metal organic vapor-phase epitaxy of InAs/InGaAsP quantum dots for laser applications at 1.5 μm (2011)

Semenova, E. S. ; Kulkova, I. V. ; Kadkhodazadeh, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 101106. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3634029.

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Unbekannt

Excitonic parameters of GaN studied by time-of-flight spectroscopy (2011)

Shubina, T. V. ; Toropov, A. A. ; Pozina, G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 101108. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3625431.

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Unbekannt

Origin of 90° domain wall pinning in Pb(Zr0.2Ti0.8)O3heteroepitaxial thin films (2011)

Su, Dong ; Meng, Qingping ; Vaz, C. A. F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 102902. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3634028.

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Unbekannt

Deep-ultraviolet light-emitting device realized via a hole-multiplication process (2011)

Zhu, H. ; Shan, C. X. ; Li, B. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 101110. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3637575.

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Unbekannt

Varying the concentration of single walled carbon nanotubes in thin film polymer composites, and its effect on thermoelectric power (2011)

Hewitt, C. A. ; Kaiser, A. B. ; Roth, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 98(18): 183110. Published 2011 May 02. doi: 10.1063/1.3580761.

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Unbekannt

Non-collinear magnetization configuration in interlayer exchange coupled magnetic thin films (2011)

Choi, J. ; Min, B.-C. ; Kim, J.-Y. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 102503. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3634027.

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Threshold conductivity switching in sulfurized antimony selenide nanowires (2011)

Karthik, C. ; Mehta, Rutvik J. ; Jiang, Wei ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 103101. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3624465.

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Unbekannt

Spin-dependent electron transport in waveguide with continuous shape (2011)

Ban, Yue ; Sherman, E. Ya.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 112101. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3636410.

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Radiation patterns from coupled photonic crystal nanocavities (2011)

Brunstein, M. ; Karle, T. J. ; Sagnes, I. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 111101. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3633106.

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Traveling wave-induced aerodynamic propulsive forces using piezoelectrically deformed substrates (2011)

Jafferis, Noah T. ; Stone, Howard A. ; Sturm, James C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 114102. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3637635.

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Ho substitution suppresses collinear Dy spin order and enhances polarization in DyMnO3 (2011)

Zhang, N. ; Guo, Y. Y. ; Lin, L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 102509. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3636399.

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Amorphous HgCdTe infrared photoconductive detector with high detectivity above 200 K (2011)

Wang, Jun ; Chen, Xiaoshuang ; Hu, Weida ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 113508. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3638459.

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Unbekannt

Characterization of deep-levels in silicon nanowires by low-frequency noise spectroscopy (2011)

Motayed, Abhishek ; Krylyuk, Sergiy ; Davydov, Albert V.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(11): 113107. Published 2011 Sep 12. doi: 10.1063/1.3637049.

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Unbekannt

Influence of carrier density on the electronic cooling channels of bilayer graphene (2011)

Limmer, T. ; Houtepen, A. J. ; Niggebaum, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 103104. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3633099.

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Unbekannt

Organic position sensitive photodetectors based on lateral donor-acceptor concentration gradients (2011)

Cabanillas–Gonzalez, Juan ; Peña–Rodríguez, Ovidio ; Suarez Lopez, Inma ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 103305. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3631731.

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Unbekannt

Five picocoulomb electron bunch generation by ultrafast laser-induced field emission from metallic nano-tip arrays (2011)

Mustonen, Anna ; Beaud, Paul ; Kirk, Eugenie ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 103504. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3631634.

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Unbekannt

Magnetic resonance on core-shell nanowires with notches (2011)

Xu, Lina ; Zhang, Zhi-Jian ; Jae Lee, Bong

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2011; 99(10): 101907. Published 2011 Sep 05. doi: 10.1063/1.3637042.

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Unbekannt

High dielectric multiwalled carbon nanotube-polybenzoxazine nanocomposites for printed circuit board applications (2013)

Selvi, Mohan ; Rangaraj Vengatesan, Muthukumaraswamy ; Prabunathan, Pichaimani ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2013; 103(15): 152902. Published 2013 Oct 07. doi: 10.1063/1.4824202.

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Unbekannt

Reactive ion etching of diamond (1989)

Sandhu, G. S. ; Chu, W. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 437-438. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101890.

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Unbekannt

Nanoscale texture development of C-S-H gel: A computational model for nucleation and growth (2013)

González-Teresa, R. ; Dolado, J. S. ; Ayuela, A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2013; 103(23): 234105. Published 2013 Dec 02. doi: 10.1063/1.4838396.

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Unbekannt

Comparative study of the alloying effect on the initial oxidation of Cu-Au(100) and Cu-Pt(100) (2014)

Luo, Langli ; Kang, Yihong ; Yang, Judith C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2014; 104(12): 121601. Published 2014 Mar 24. doi: 10.1063/1.4870085.

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Publikationsdatum: 2014-03-24

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Unbekannt

Resonance transmission of electromagnetic wave through a thin dielectric rod (2014)

Guo, Yunsheng ; Zhou, Ji ; Lan, Chuwen ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 2014; 104(12): 123902. Published 2014 Mar 24. doi: 10.1063/1.4870071.

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Unbekannt

Photorefractive effect in La3Ga5SiO14‐Pr3+piezoelectric crystals (1989)

Fridkin, V. M. ; Kaminskii, A. A. ; Lazarev, V. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 545-546. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.102432.

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Unbekannt

Si/SiO2interface structures in laser‐recrystallized Si on SiO2 (1989)

Ogura, Atsushi ; Aizaki, Naoaki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 547-549. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.102433.

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Unbekannt

Integrated external cavity GaAs/AlGaAs lasers using selective quantum well disordering (1989)

Werner, J. ; Kapon, E. ; Stoffel, N. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 540-542. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101848.

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Unbekannt

Structural and electrical properties of epitaxial Si on insulating substrates (1989)

Rozgonyi, G. A. ; Radzimski, Z. J. ; Higuchi, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 586-588. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101841.

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Unbekannt

Synchronously pumped mode‐locked dye laser pumped by a frequency‐doubled mode‐locked andQ‐switched diode laser pumped Nd:YAG laser (1989)

Maker, G. T. ; Ferguson, A. I.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 525-527. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101867.

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Unbekannt

Direct observation of discrete layers of dislocation loops near the projected ion ranges in high‐dose P+‐implanted (001)Si by cross‐sectional transmission electron microscopy (1989)

Hsu, S. N. ; Chen, L. J. ; Chao, W. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 565-567. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101833.

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Unbekannt

Preferential growth of [001] twist boundaries in the Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O superconductor (1989)

Takahashi, Yutaka ; Mori, Minoru ; Ishida, Yoichi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 486-488. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.102427.

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Unbekannt

Timing synchronization of a passively mode‐locked dye laser using a pulsed optical phase lock loop (1989)

Dijaili, S. P. ; Smith, J. S. ; Dienes, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 418-420. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101883.

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Unbekannt

Pb1−xSrxS/PbS double‐heterostructure lasers prepared by hot‐wall expitaxy (1989)

Ishida, A. ; Muramatsu, K. ; Takashiba, H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 430-431. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101887.

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Unbekannt

Comment on ‘‘Ion mixing of metal/Al bilayers near 77 K’’ [Appl. Phys. Lett.54, 413 (1989)] (1989)

Vasconcellos, M. A. Z. ; Borges da Costa, J. A. T. ; Schreiner, W. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 513-514. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101864.

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Unbekannt

Scanning force microscopy using a simple low‐noise interferometer (1989)

den Boef, A. J.

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In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 439-441. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101891.

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Unbekannt

Photoemissive scanning microscopy of doped regions on semiconductor surfaces (1989)

Quiniou, B. ; Scarmozzino, R. ; Wu, Z. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 481-483. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101859.

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Unbekannt

Growth of Cd1−xMnxTe films by pulsed laser evaporation and epitaxy (1989)

Wrobel, J. M. ; Dubowski, J. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 469-471. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101855.

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Unbekannt

Extremely high electron mobility in a GaAs‐GaxIn1−xP heterostructure grown by metalorganic chemical vapor deposition (1989)

Razeghi, M. ; Defour, M. ; Omnes, F. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 457-459. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101851.

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Unbekannt

Nature of Pb in superconducting cuprates containing lead: A PbL3x‐ray absorption near‐edge spectroscopy study (1989)

Kulkarni, G. U. ; Sankar, G. ; Rao, C. N. R.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 388-389. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.102421.

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All‐silicon integrated optical modulator for 1.3 μm fiber‐optic interconnects (1989)

Hemenway, B. R. ; Solgaard, O. ; Bloom, D. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 349-350. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101905.

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Magnetosonic wave generation by super‐Alfvénic ion ring propagation in plasma (1989)

Schamiloglu, E. ; Greenly, J. B. ; Hammer, D. A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2727-2729. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101936.

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Photorefractive effect in Ti‐diffused channel waveguides using LiNbO3substrates with reduced optical absorption (1989)

Fujiwara, Takumi ; Terashima, Akira ; Mori, Hiroshi

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2718-2720. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.102369.

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Response to ‘‘Comment on ‘Aluminum cladding of highTcsuperconductor by thermocompression bonding’ ’’ [Appl. Phys. Lett.55, 321 (1989)] (1989)

Richardson, T. J. ; De Jonghe, L. C.

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In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 321-322. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102416.

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Domain observation during direct overwrite on magneto‐optical recording films (1989)

Suzuki, Yoshio ; Ohta, Norio ; Takahashi, Masahiko ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 315-317. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102414.

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Generation of misfit dislocations in GaAs grown on Si (1989)

Tsai, H. L. ; Matyi, R. J.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 265-267. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101924.

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Preparation of superconducting Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O fibers (1989)

LeBeau, S. E. ; Righi, J. ; Ostenson, J. E. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 292-294. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.102408.

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Fast diffusers Cu and Ni as the origin of electrical activity in a silicon grain boundary (1989)

Maurice, J.‐L. ; Colliex, C.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 241-243. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101919.

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Pseudomorphic ZnTe/AlSb/GaSb heterostructures by molecular beam epitaxy (1989)

Mathine, D. L. ; Durbin, S. M. ; Gunshor, R. L. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 268-270. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101925.

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YBa2Cu3O7−δfilms deposited by a novel ion beam sputtering technique (1989)

Kingon, A. I. ; Auciello, O. ; Ameen, M. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(3): 301-303. Published 1989 Jul 17. doi: 10.1063/1.101568.

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Unbekannt

Effect of spatially variable effective mass on static and dynamic properties of resonant tunneling devices (1989)

Mains, R. K. ; Mehdi, I. ; Haddad, G. I.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2631-2633. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101958.

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Unbekannt

Biaxial elastic modulus of metallic films determined from vibrating circular membranes (1989)

Fartash, A. ; Schuller, Ivan K. ; Grimsditch, M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2614-2616. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101953.

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Unbekannt

High‐resolution electron microscopy of the GaAs/AlGaAs heterointerface with (200) and transmitted beams (1989)

Ikarashi, Nobuyuki ; Sakai, Akira ; Baba, Toshio ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(24): 2509-2511. Published 1989 Dec 11. doi: 10.1063/1.102013.

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Unbekannt

Arsenic‐induced step rearrangements on vicinal Si (111) substrates (1989)

Ohno, T. R. ; Williams, Ellen D.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2628-2630. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.101957.

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Unbekannt

Au‐Ag ion mixing rate—disagreement with theory resolved (1989)

Bo/rgesen, P. ; Lilienfeld, D. A. ; Johnson, H. H.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(24): 2497-2499. Published 1989 Dec 11. doi: 10.1063/1.102010.

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Unbekannt

Ultrafast imaging of ultraviolet laser ablation and etching of polymethylmethacrylate (1989)

Srinivasan, R. ; Braren, Bodil ; Casey, Kelly G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(26): 2790-2791. Published 1989 Dec 25. doi: 10.1063/1.101910.

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Unbekannt

Optical plasma monitoring of Y‐Ba‐Cu‐O rf sputter target transients (1989)

Klein, J. D. ; Yen, A.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2670-2672. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.102368.

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Unbekannt

Oxygen concentration of Eu1Ba2Cu3O7−xin vacuum: An atom probe study (1989)

Elswijk, H. B. ; Melmed, A. J. ; Camus, P. P.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2667-2669. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.102367.

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Unbekannt

Wet chemical etching of high‐temperature superconducting Y‐Ba‐Cu‐O films in ethylenediaminetetraacetic acid (1989)

Shokoohi, F. K. ; Schiavone, L. M. ; Rogers, C. T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2661-2663. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.102366.

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Unbekannt

Interface study of hydrogenated amorphous silicon nitride on hydrogenated amorphous silicon by x‐ray photoelectron spectroscopy (1989)

Beaudoin, M. ; Arsenault, C. J. ; Izquierdo, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(25): 2640-2642. Published 1989 Dec 18. doi: 10.1063/1.102299.

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Unbekannt

Characteristics of rare‐earth element erbium implanted in silicon (1989)

Tang, Y. S. ; Heasman, K. C. ; Gillin, W. P. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 432-433. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101888.

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Unbekannt

High‐resolution patterning of highTcsuperconductors (1989)

Harriott, L. R. ; Polakos, P. A. ; Rice, C. E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 495-497. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.102429.

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Unbekannt

As‐grown superconducting Bi(‐Pb)‐Sr‐Ca‐Cu‐O films by electron cyclotron resonance plasma sputtering (1989)

Masumoto, H. ; Goto, T. ; Hirai, T.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 498-500. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101862.

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Unbekannt

Room‐temperature absorption study of CdTe‐ZnTe superlattices (1989)

Shtrikman, Hadas ; Riezman, A. ; Tenne, R. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 553-555. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101831.

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Unbekannt

Subpicosecond photoluminescence from radiation‐damaged Ga0.47In0.53As (1989)

Höpfel, R. A. ; Sawaki, N. ; Wintner, E.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 460-462. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101852.

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Unbekannt

Weak flux pinning at grain boundaries in Ag sheathed Ba2YCu3O6+xtapes (1989)

Osamura, K. ; Takayama, T. ; Ochiai, S.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 396-398. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.102423.

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Unbekannt

Formation of crystalline diamond from amorphous diamond‐like carbon films by pulsed laser irradiation (1989)

Harshavardhan, K. Solomon ; Yalamanchi, R. S. ; Rao, L. Kameswara

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 351-353. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101906.

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Unbekannt

Oxygen ion irradiation of Tl2Ca2Ba2Cu3O10superconductors (1989)

Barbour, J. C. ; Kwak, J. F. ; Ginley, D. S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 507-509. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.102431.

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Unbekannt

Growth of textured diamond films on foreign substrates from attached seed crystals (1989)

Geis, M. W.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 550-552. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101830.

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Carbon reduction in GaAs films grown by laser‐assisted metalorganic molecular beam epitaxy (1989)

Iga, R. ; Sugiura, H. ; Yamada, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 451-453. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101872.

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Unbekannt

Optical window in strained‐layer Si/Ge microstructures (1989)

Gell, Michael

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 484-485. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101860.

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Unbekannt

Dual‐transistor method to determine threshold‐voltage shifts due to oxide‐trapped charge and interface traps in metal‐oxide‐semiconductor devices (1989)

Fleetwood, D. M.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 466-468. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101854.

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Superconducting Bi‐Sr‐Ca‐Cu‐O crystalline fibers prepared by the micro‐Czochralski method (1989)

Kurosaka, Akihito ; Aoyagi, Mamoru ; Tominaga, Haruo ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(4): 390-392. Published 1989 Jul 24. doi: 10.1063/1.101880.

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Publikationsdatum: 1989-07-24

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Digitale ISSN: 1077-3118

Thema: Physik

Publiziert von American Institute of Physics

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