ALBERT

All Library Books, journals and Electronic Records Telegrafenberg

X
feed icon rss

Your email was sent successfully. Check your inbox.

An error occurred while sending the email. Please try again.

Proceed reservation?

Export
Filter
  • Articles  (8)
  • Photoluminescence  (8)
  • Springer  (8)
  • American Chemical Society
  • American Chemical Society (ACS)
  • American Geophysical Union
  • National Academy of Sciences
  • 2015-2019
  • 2005-2009
  • 1990-1994
  • 1980-1984  (8)
  • 2017
  • 1983  (8)
  • Physics  (8)
  • Process Engineering, Biotechnology, Nutrition Technology
Collection
  • Articles  (8)
Source
Keywords
Publisher
  • Springer  (8)
  • American Chemical Society
  • American Chemical Society (ACS)
  • American Geophysical Union
  • National Academy of Sciences
Years
  • 2015-2019
  • 2005-2009
  • 1990-1994
  • 1980-1984  (8)
Year
Topic
  • Physics  (8)
  • Process Engineering, Biotechnology, Nutrition Technology
  • 1
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Photoluminescence of CuGaS2 and heterostructure formation with sputtered ZnS (1983)
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 1933-1938 
    Details
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto I cristalli di CuGaS2 cresciuti per trasporto di iodio mostrano fotoluminescenza a temperatura ambiente a 2.45 eV e 1.44 eV. Si mostra che la distribuzione spettrale dell'emissione verde è relativamente ben descritta dalla curva calcolata per una transizione diretta da banda a banda con selezionek. Si è tentata la formazione dell'eterogiunzione tra cristalli di CuGaS2 trattati con zolfo e film amorfi di ZnS a bassa resistività, preparati mediante spruzzamento catodico a temperatura ambiente. La caratteristicaI–V del diodo mostra un comportamento rettificante, ma non si è osservata luminescenza per iniezione.
    Abstract: Резюме Кристаллы CuGaS2 о⇃наруживают при комнатной температуре фатолюминесценцию при 2.45 эВ и 1.44 эВ. Показывается что спектральное распределение зеленого излучения относительно хорошо описывется вычисленной кривой для прямого перехода зоназона сk-отбором. Исследуется образование гетероперехода между кристаллами CuGaS2 и аморфными пленками ZnS с низким сопротивлением, притотовленными распылением при комнатной температуре.I–V характеристика диода обнаруживает выпрямляющее, но инжекционная люминесценция не наблюдается.
    Notes: Summary CuGaS2 crystals grown by iodine transport exhibit room temperature photoluminescences at 2.45 eV and at 1.44 eV. The spectral distribution of the green emission is shown to be relatively well described by the calculated curve for a direct band-to-band transition withk-selection. The heterojunction formation has been tried between sulfur-treated CuGaS2 crystals and low-resistivity amorphous ZnS films prepared by sputtering at room temperature. TheI–V characteristic of the diode shows rectifying behaviour, but no injection luminescence has been observed.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02457890
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
    Paper (German National Licenses)
    Fulltext
  • 2
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Photoluminescence of the layered compound CdInGaS4 (1983)
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 2002-2006 
    Details
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Si è misurata ed analizzata la fotoluminescenza del composto a strati CdInGaS4. Si è trovato che la larga banda di emissione a circa 1.9 eV è composta di tre bande con picchi a 2.16, 1.98 e 1.76 eV a 4.8 K. Queste bande sono dovute a transizioni da libero a legato o da donatore ad accettore. Si è trovata una nuova banda di emissione con picco a 2.38 eV. Questa banda mostra che l'intensità di picco dipende marcatamente dalla posizione nel cristallo ed è correlata a centri localizzati. Si discute l'origine dei centri.
    Abstract: Резюме Измеряется и анализируется фотолюминесценция слоистых соединений CdInGaS4. Обнаружено, что широкая полоса излучения около 1.95 эВ состоит из трех зон 2.16, 1.98 и 1.76 эВ при 4.8 К. Эти зоны связаны с переходами из свободного состояния в связанное или от донора к акцептору. Мы обнаружили новую полосу излучения вблизи 2.38 эВ. Эта полоса имеет интенсивность, которая зависит от положения в кристалле и связана с локализованными центрами. Обсуждается природа этих центров.
    Notes: Summary The photoluminescence of the layered compound CdInGaS4 was measured and analysed. The broad emission band at about 1.95 eV was found to be composed of three bands peaking at 2.16, 1.98 and 1.76 eV at 4.8K. These bands are due to free-to-bound or donor-to-acceptor transitions. We have found a new emission band peaking at 2.38 eV. This band shows that peak intensity markedly depends on the position in the crystal and is related to localized centres. The origin of the centres is discussed.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02457901
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
    Paper (German National Licenses)
    Fulltext
  • 3
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    A photoluminescence study on lithium ternary compounds (1983)
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 2029-2033 
    Details
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto In questo lavoro si studiano gli spettri di fotoluminescenza di cristalli singoli di LiInS2 e LiInSe2. Si verifica, tramite misurazioni ESR, che l'origine della colorazione e dell'emissione profonda a 460 nm su LiInS2 è dovuta a ioni Fe3+. La cosiddetta «emissione presso l'estremità della banda» è stata osservata a 600 nm e a 77 K su monocristalli LiInSe2 giallo chiaro. Si è mostrato che il LiInSe2 rosso ha una struttura di banda a coda con impurità residue ad alta densità, attraverso un confronto tra i risultati delle misurazioni elettriche e di fotoluminescenza. Alcume emissioni profonde sono ottenute su LiInSe2 giallo e rosso.
    Abstract: Резюме В этой работе исследуются спектры фотолюминесценции монокристаллов LiInS2 и LiInSe2. С помощью ESR измерений показывается, что природа окраски и глубина излучения при 460 нм в LiInS2 связана с ионами Fe3+. Наблюдается так называемое излучение на «краю зоны» с длиной волны 600 нм при 77 К в светло-желтых монокристаллах LiInSe2. Сравнение результатов электрических и фотолюоминесцентных измерений показывает, что красный LiInSe2 имеет зонную структуру при высокой плотности остаточных примесей. На желтых икрасных монокристаллах LiInSe2 получены глубокие излучения.
    Notes: Summary The photoluminescence spectra of LiInS2 and LiInSe2 single crystals are investigated in this work. The origin of the coloration and deep emission at 460 nm on LiInS2 is estimated through ESR measurements to be due to Fe3+ ions. The so-called «near-band-edge emission» was observed at 600 nm and at 77 K on the light yellow LiInSe2 single crystals. Through a comparison between the results of electrical and photoluminescence measurements it is shown that the red LiInSe2 has a tailing band structure with high-density residual impurities. Some deep emissions are obtained on yellow and red LiInSe2.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02457904
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
    Paper (German National Licenses)
    Fulltext
  • 4
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Photoluminescence and luminescence excitation spectra in ZnSiP2 (1983)
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 2034-2038 
    Details
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Si sono fatte misurazioni degli spettri di fotoluminescenze e di eccitazione luminescenza di ZnSiP2 a 4.2 K e si sono ottenuti due risultati. Uno è l'osservazione di una nuova linea netta di emissione a 1.980 eV, dovuta all'eccitone legato associato col gap pseudodiretto. L'altro è l'osservazione di un'altra nuova serie di linee di assorbimento nello spettro di eccitazione di luminescenza di una linea di emissione a 1.984 eV, oltre a quelle riportate in precedenza. Questi risultati indicano che in ZnSiP2 si verificano transizioni radiative sia per gap indiretti che per gap pseudodiretti.
    Abstract: Резюме При 4.2 К проведены измерения спектров фотолюминесцендии и спектры возбуждения люминесценцией в ZnSiP2 и получено два результата. Один результат представляет наблюдение новой резкой линии излучения при 1.980 эВ. обусловленной связанным экситоном, ассоциированным с псевдопрямым интервалом. Второй результат предсталяет наблюдение новых линий поглошения в спектре возбуждения люминесценцией линии излучения при 1.984. эВ. Эти результаты указывают, что в ZnSiP2 радиационные переходы происходят при косвенных и псевдопрямых интервалах.
    Notes: Summary Measurements of photoluminescence and luminescence excitation spectra of ZnSiP2 have been performed at 4.2K and two results were obtained. One is the observation of a new sharp emission line at 1.980 eV, due to the bound exciton associated with the pseudodirect gap. The other is the observation of another new series of absorption lines in the luminescence excitation spectrum of an emission line, at 1.984 eV, in addition to those reported previously. These results indicate that in ZnSiP2 radiative transitions occur at both the indirect and the pseudodirect gaps.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02457905
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
    Paper (German National Licenses)
    Fulltext
  • 5
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    The peculiarities of ZnIn2S4 luminescence (1983)
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 1919-1922 
    Details
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Si presentano i risultati dello studio sulla luminescenza dello ZnIn2S4 a diverse intensità di eccitazione, decadimento della luce e raffreddamento (T=(80÷300) K). Si determinano le energie di attivazioneE 1=42 meV eE 2=95 meV e si suggerisce un modello per processi di ricombinazione.
    Abstract: Резюме Приведены результаты исследования люминесценвии ZnIn2S4 при различных интенсивностях возбуждения, кинетики спада послесвечения и туцения люминесенчии в температурном интервале (80÷300) К. Определены энергии активации температурного тушенияE 1=42 иE 2=95 мэВ и предложена модель излучательных процессов.
    Notes: Summary The results of a ZnIn2S4 luminescence study at different excitation intensities, light decay and thermal quenching (T=(80÷300) K) are presented. The activation energiesE 1=42 meV andE 2=95 meV are determined and a model for recombination processes is suggested.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02457887
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
    Paper (German National Licenses)
    Fulltext
  • 6
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Luminescence decay in CdIn2S4 single crystals (1983)
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 1927-1932 
    Details
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Si presenta uno studio sperimentale del decadimento della luminescenza del CdIn2S4. Sono stati misurati a 80 K spettri risolti in tempo e curve di decadimento della luminescenza nell'intervallo temporale (10÷105) ns, utlizzando diverse energie di eccitazione. Un'analisi preliminare dei risultati fornisce nuove informazioni sui processi di ricombinazione di portatori fotoeccitati nel CdIn2S4, confermando un modello precedentemente pubblicato.
    Abstract: Резюме Проводится экспериментальное исследование затухания люминесценции в CdInS4 при 80 К. Используя различные энергии возбуждения, измерены разрешенные по времени спектры и кривые затухания люминесценции во временном интервале (10÷105) нс. Предварительный анализ полученных результатов дает новую информацию о процессах рекомбинации фотовозбужденных носителей в CdIn2S4, что подтверждает ранее предложенную модель.
    Notes: Summary An experimental study of the luminescence decay in CdIn2S4 at 80 K is reported. Time-resolved spectra and luminescence decay curves have been measured in the time interval (10÷105) ns, using different excitation energies. A preliminary analysis of the obtained results provides new information on the recombination processes of photoexcited carriers in CdIn2S4, supporting a previously published model.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02457889
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
    Paper (German National Licenses)
    Fulltext
  • 7
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Photoluminescence of as-grown CuAlS2 prepared by iodine transport method (1983)
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 1939-1943 
    Details
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Due nuove bande di luminescenza sono state osservate in cristalli di CuAlS2 come-cresciuti, preparati mediante trasporto di iodio da Al2S3 e Cu2S. La banda con la minore lunghezza d'onda a 77 K appare a circa 2.95 eV, mostrando uno spostamento di spettro con l'intensità di eccitazione, ed è considerata come dovuta all'emissione di coppie donatore-accettore. A temperatura ambiente, l'emissione sembra diventare una transizione da donatore a buca libera. L'emissione con la maggiore lunghezza d'onda appare a 1.8 eV con una grande semiampiezza di 0.5 eV, ha una sua caratteristica banda di eccitazione ed è considerata dovuta ad un centro localizzato.
    Abstract: Резюме В кристаллах CuAlS2, приготовленных методом переноса иода из Al2S2 и Cu2S, наблюдаются две новых люминесцентных полосы. Коротковолновая полоса при 77 К появляерся 2.95 эВ, обнаруживая спектральный сдвиг с интенсивностью возбуждения. Полагается, что эта полоса обусловлена излучением доноракцепторных пар. При комнатной температуре излучение, по-видимому, изменяет переход, «донор-свободная дырка». Длинноволновое излучение появляется при 1.8 эВ с широкой полушириной 0.5 эВ, обладая собственной характеристической полосой возбуждения. Полагается, что это излучение обусловлено локализованным центром.
    Notes: Summary Two new luminescence bands have been observed in as-grown CuAlS2 crystals prepared by iodine transport from Al2S3 and Cu2S. The shorter-wave-length band at 77K appears at around 2.95 eV, showing a spectral shift with excitation intensity, and is considered to be due to a donor-acceptor pair emission. At room temperature, the emission seems to change to a donor-to-free-hole transition. The longer-wave-length emission appears at 1.8 eV with broad half-width of 0.5 eV, having its own characteristic excitation band, and is considered to be due to a localized centre.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02457891
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
    Paper (German National Licenses)
    Fulltext
  • 8
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Electrical and optical properties of MOVPE grown GaAs1−x P x (1983)
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 1742-1747 
    Details
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Si presenta uno studio delle proprietà ottiche ed elettriche del sistema di leghe GaAs1−x P x , cresciute con MOVPE. Ricerche sulla luminescenza ad iniezione e sulla fotoluminecenza indicano che il materiale ha proprietà ottiche compatibili con le esigenze dei LED. Si mostra anche, per la prima volta, che la principale trappola elettronica profonda in GaAs (EL2) può essere ritrovata nel sistema GaAs1−x P x .
    Abstract: Резюме Исследуются оптические и электрические свойства системы GaAs1−x P x . Исследования инжекционной и фотолюминесценции указывают, что это соединение имеет оптические свойства, совместимые с требованиями LED. Мы впервые показываем, что главная глубокая электронная ловушка в GaAs(EL2) может быть прослежена в системе GaAs1−x P x .
    Notes: Summary A study of the optical and electrical properties of the alloy system GaAs1−x P x , grown by MOVPE, is presented. Investigations of injection luminescence and photoluminescence indicate that the material has optical properties compatible with LED requirements. We also show, for the first time, that the main deep electron trap in GaAs (EL2) can be traced into the GaAs1−x P x system.
    Type of Medium: Electronic Resource
    URL: http://dx.doi.org/10.1007/BF02457860
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
    Paper (German National Licenses)
    Fulltext
Close ⊗
This website uses cookies and the analysis tool Matomo. More information can be found here...