Photoluminescence and luminescence excitation spectra in ZnSiP₂

Summary

Measurements of photoluminescence and luminescence excitation spectra of ZnSiP₂ have been performed at 4.2K and two results were obtained. One is the observation of a new sharp emission line at 1.980 eV, due to the bound exciton associated with the pseudodirect gap. The other is the observation of another new series of absorption lines in the luminescence excitation spectrum of an emission line, at 1.984 eV, in addition to those reported previously. These results indicate that in ZnSiP₂ radiative transitions occur at both the indirect and the pseudodirect gaps.

Riassunto

Si sono fatte misurazioni degli spettri di fotoluminescenze e di eccitazione luminescenza di ZnSiP₂ a 4.2 K e si sono ottenuti due risultati. Uno è l'osservazione di una nuova linea netta di emissione a 1.980 eV, dovuta all'eccitone legato associato col gap pseudodiretto. L'altro è l'osservazione di un'altra nuova serie di linee di assorbimento nello spettro di eccitazione di luminescenza di una linea di emissione a 1.984 eV, oltre a quelle riportate in precedenza. Questi risultati indicano che in ZnSiP₂ si verificano transizioni radiative sia per gap indiretti che per gap pseudodiretti.

Резюме

При 4.2 К проведены измерения спектров фотолюминесцендии и спектры возбуждения люминесценцией в ZnSiP₂ и получено два результата. Один результат представляет наблюдение новой резкой линии излучения при 1.980 эВ. обусловленной связанным экситоном, ассоциированным с псевдопрямым интервалом. Второй результат предсталяет наблюдение новых линий поглошения в спектре возбуждения люминесценцией линии излучения при 1.984. эВ. Эти результаты указывают, что в ZnSiP₂ радиационные переходы происходят при косвенных и псевдопрямых интервалах.