Photoluminescence of CuGaS₂ and heterostructure formation with sputtered ZnS

Summary

CuGaS₂ crystals grown by iodine transport exhibit room temperature photoluminescences at 2.45 eV and at 1.44 eV. The spectral distribution of the green emission is shown to be relatively well described by the calculated curve for a direct band-to-band transition withk-selection. The heterojunction formation has been tried between sulfur-treated CuGaS₂ crystals and low-resistivity amorphous ZnS films prepared by sputtering at room temperature. TheI–V characteristic of the diode shows rectifying behaviour, but no injection luminescence has been observed.

Riassunto

I cristalli di CuGaS₂ cresciuti per trasporto di iodio mostrano fotoluminescenza a temperatura ambiente a 2.45 eV e 1.44 eV. Si mostra che la distribuzione spettrale dell'emissione verde è relativamente ben descritta dalla curva calcolata per una transizione diretta da banda a banda con selezionek. Si è tentata la formazione dell'eterogiunzione tra cristalli di CuGaS₂ trattati con zolfo e film amorfi di ZnS a bassa resistività, preparati mediante spruzzamento catodico a temperatura ambiente. La caratteristicaI–V del diodo mostra un comportamento rettificante, ma non si è osservata luminescenza per iniezione.

Резюме

Кристаллы CuGaS₂ о⇃наруживают при комнатной температуре фатолюминесценцию при 2.45 эВ и 1.44 эВ. Показывается что спектральное распределение зеленого излучения относительно хорошо описывется вычисленной кривой для прямого перехода зоназона сk-отбором. Исследуется образование гетероперехода между кристаллами CuGaS₂ и аморфными пленками ZnS с низким сопротивлением, притотовленными распылением при комнатной температуре.I–V характеристика диода обнаруживает выпрямляющее, но инжекционная люминесценция не наблюдается.