ISSN:
0392-6737
Keywords:
Photoluminescence
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Si presenta uno studio delle proprietà ottiche ed elettriche del sistema di leghe GaAs1−x P x , cresciute con MOVPE. Ricerche sulla luminescenza ad iniezione e sulla fotoluminecenza indicano che il materiale ha proprietà ottiche compatibili con le esigenze dei LED. Si mostra anche, per la prima volta, che la principale trappola elettronica profonda in GaAs (EL2) può essere ritrovata nel sistema GaAs1−x P x .
Abstract:
Резюме Исследуются оптические и электрические свойства системы GaAs1−x P x . Исследования инжекционной и фотолюминесценции указывают, что это соединение имеет оптические свойства, совместимые с требованиями LED. Мы впервые показываем, что главная глубокая электронная ловушка в GaAs(EL2) может быть прослежена в системе GaAs1−x P x .
Notes:
Summary A study of the optical and electrical properties of the alloy system GaAs1−x P x , grown by MOVPE, is presented. Investigations of injection luminescence and photoluminescence indicate that the material has optical properties compatible with LED requirements. We also show, for the first time, that the main deep electron trap in GaAs (EL2) can be traced into the GaAs1−x P x system.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02457860
Permalink