ISSN:
0392-6737
Keywords:
Impurity and defect absorption in solids
;
Optical properties of thin films
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Sono stati misurati gli spettri infrarossi di film di silicio amorfo idrogenato drogati con fosforo e boro. È stato studiato l'andamento delle bande di assorbimento dei modi «stretching», «wagging» (o «rocking») in funzione del drogaggio il cui valore è stato determinato con misure Auger. All'aumentare del drogaggio col fosforo ha corrisposto una diminuzione del contenuto d'idrogeno ed un incremento dell'area della banda di «stretching» di Si-H a spese di quella relativa a Si-H2. Analoghi risultati sono stati ottenuti per i campioni drogati con boro. Poiché nessuno spostamento delle bande di «stretching» verso frequenze piú alte è stato osservato, i cambiamenti d'intensità delle bande sono stati attribuiti a modifiche strutturali piú che a variazioni dell'elettro-negatività dell'ambiente circostante il silicio. In particolare, la tecnica di crescita usata sembra aver favorito rispetto alle altre la configurazione di monoidruro, con un conseguente minor numero di difetti.
Abstract:
Реуме Измеряются инфракрасные спектры гидрогенизированных аморфныш пленок кремния, легированных фосфором и бором, выращенных с помощяы метода выпаривания. Исследуется изменение полосы поглощения (типа растяжения и покачивания) при изменении содержания легрующих примесей, которые анализируются методом Оже. При уменьшении легирования, отмечается уменьшение содержания водорода и увеличение момента нулевого порядка для растяжения SI−H за счет SI−H2. Для пленок, легированных бором, наблюдаются аналогичные результаты. Так как не наблюдается сдвиг по частоте в сторону больших частот для растянутых зон, то наблюденные изменения интенсивности зон приписываются изменениям структуры, а не изменениям электроотрицательности окружения атома кремния. В частности, использованная техника выращивания, повндимому, благоприятствует образованию моногидридной конфигурации с наименьшим числом дефектов.
Notes:
Summary The infra-red spectra of P- and B-doped hydrogenated amorphous silicon films grown by means of an evaporation method have been measured. The SiH n stretching and wagging (or rocking) absorption bands have been examined by varying the dopant content measured by Auger analysis. On increasing the doping, a reduction of hydrogen content has been noticed with an enhancing of zeroth-order moment of Si-H stretching at the expense of the Si-H2 one. Analogous results for B-doped films have been observed. Since no frequency shift towards higher frequencies of the stretching bands has been measured, the observed changes of the intensity of the bands have been attributed to structure modifications rather than to variations in the electronegativity in the neighbours of the silicon atom. In particular, the monohidride configuration with an overall decrease in the number of defects seems to be favoured by the deposition technique adopted.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02451576
Permalink
