ALBERT

All Library Books, journals and Electronic Records Telegrafenberg

feed icon rss

Your email was sent successfully. Check your inbox.

An error occurred while sending the email. Please try again.

Proceed reservation?

Export
  • 1
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 11 (1989), S. 455-466 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Infra-red and Raman spectra and scattering
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto In questo lavoro si è condotta una completa analisi, dal punto di vista delle polarizzazioni, dello spettro Raman del GaS, per energie di eccitazione al di sotto del «gap» indiretto. Al fine di identificare le combinazioni di secondo ordine e i modi proibiti indotti da difetti, sono state eseguite anche misure di trasmittanza e riflettanza nell'infrarosso. L'impiego di tutte le possibili regole di selezione, applicate sia agli spettri Raman sia a quelli IR, ha permesso sempre di individuare i punti di simmetria dei modi coinvolti nello spettro Raman e, quando possibile, di assegnare le principali strutture non di Γ a modi dei puntiM oK. Si è cosí pervenuti a numerose nuove attribuzioni, contestando anche alcune precedenti assegnazioni, basate solo su studi separati degli spettri Raman o IR.
    Abstract: Резюме Предлагается поляризационный анализ спектра комбинацонного рассеяния в GaS для энергий возбуждения ниже непрямой запрещеннои зоны. Чтобы определить комбинации втрого порядка и дефект, индуцированный запрешеенным модами, которые появляются в спектрах, помимо шести хорошо известных Γ-фононов, вяшолняются также измерения пропускания и отражения инфракрасного излучения дляE⊥c иE∼c. Все имеюэиеся правила отбора применяются к данным по комбинационному рассеянию и к инфракрасым данным, что позволяет идентифицировать точки высокой симметрии для фононов, фигурирующие в рассеянии и, по возможности, описать главные не-Γ-структуры спектров. Этот анализ позволяет получить некоторые новые признаки, основанные на раздельном исследовании спектров комбинационного рассеяния и инфракрасных спектров.
    Notes: Summary A complete polarization analysis of the GaS Raman spectrum, for excitation energies below the indirect energy gap, is reported. In order to assign second-order combinations and defect-induced forbidden modes, that appear in the spectra besides the six well-known Γ-phonons, also IR transmittance and reflectance measurements, for bothE⊥c andE‖c, have been performed. All the available selection rules are applied to both Raman and IR data, allowing to identify the high-symmetry points of phonons involved in the scattering and, when possible, to ascribe the main non-Γ structures of the spectra to the knownK andM point modes. This analysis brings to several new attributions, also ruling out some previous assignments, based on the separate study of either Raman or IR spectra.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 2
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 10 (1988), S. 519-528 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Infra-red and Raman spectra and scattering
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Sono riportati gli spettri di scattering Raman e assorbimento IR del second'ordine nel 2H−SnS2. È stata studiata la dipendenza degli spettri Raman dalla temperatura, dalla lunghezza d'onda di eccitazione e dalla polarizzazione; sono messi in evidenza effetti di risonanza. Le assegnazioni delle bande del second'ordine sono discusse in base alle regole di selezione applicabili. Negli spettri del second'ordine sono stati considerati i contributi dei fononi dei punti di alta simmetria diversi da Γ.
    Abstract: Резюме Исследуется Рамановское рассеяние второго порядка и спектры инфракрасного поглощения 2H−SnS2. Изуачвются зависимости Рамановских спектров от температуры, длины волны возбуждения и поляризации; также учитываются резонансные эффекты. На основе правил отбора обсуждается задание зон второго порядка. При исследовании учитывается роль фононов для точек высокой симметрии, отличных от Г, в спектрах второго порядка.
    Notes: Summary The second-order Raman scattering and infra-red absorption spectra of 2H−SnS2 are reported. The temperature, excitation wavelength and polarization dependences of Raman spectra are studied; resonance effects are put in evidence. The assignment of the second-order bands is discussed on the basis of the appliable selection rules. The role of phonons of high symmetry points different from Γ in second-order spectra is also taken into account.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 3
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 11 (1989), S. 1049-1055 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Excitons and related phenomena (including electron-hole drops)
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Lo spettro di riflettività ad incidenza normale degli eccitoni nei pozzi quantistici multipli di GaAs/Ga1−x Al x As è calcolato nell’ambito dell’approssimazione locale. Si mostra con la forma della linea di riflettività dipende in gran misura dalla forma geometrica del campione. Usando parametri realistici di una struttura a pozzi quantistici multipli, si ottiene un’ottima approssimazione della curva di riflettività sperimentale, che fornisce così energie eccitoniche, forze dell’oscillatore e parameri di ampliamento eccitonico.
    Abstract: Резюме В рамках приближения линейного отклика вычисляется спекрт отражательной способности экситонов при нормальном падении для множественных квантовых ям в GaAs/Ga1−x Al x As. Показывается, что форма линии отражательной способности сильно зависит от геометрии образца. Используя реалистические параметры структуры множественных квантовых ям, мы получаем хорошее соответствие с экспериментальной кривой для отражательной способности. Получаются энергии экситонов, силы осцилляторов и парам⪟тры экситонного уширения.
    Notes: Summary The normal incidence reflectivity spectrum of excitons in GaAs/Ga1−x Al x As multiple quantum wells is calculated within the local response approximation. It is shown that the reflectivity lineshape strongly depends on the sample geometry. Using realistic parameters of a multiple quantum well structure, we obtain an excellent fit of the experimental reflectivity curve, thus giving exciton energies, oscillator strengths and exciton broadening parameters.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 4
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 10 (1988), S. 529-545 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Interfaces
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Viene presentato uno studio sistematico delle interazioni a molti corpi indotte da pompaggio ottico, inteso in condizioni quasi stazionarie, in supereticoli di GaAs/Al x Ga1−x As. Misure di luminescenza spontanea e stimolata e di guadagno ottico in un ampio intervallo di temperature e con diverse lughezza d'onda di eccitazione hanno messo in evidenza effetti di «band-filling» e di amplificazione ottica. Gli effetti dei processi di rilassamento da elettroni caldi, della rinormalizzazione della gap e delle interazioni eccitoniche sono discussi sulla base delle forme di riga della luminescenza. Gli spettri sono interpretati come la conseguenza della fotogenerazione di un plasma elettrone-buca che ricombina alle energie degli eccitoni quantizzati. Le misure di guadagno ottico mostrano un fattore di guadagno maggiore che nel semiconduttore tridimensionale e che resta costante sino a circa 140 K. In un supereticolo con concentrazione di alluminio prossima al «cross over» diretto-indiretto, il pompaggio ottico risonante con gli stati nella buca di potenziale ha mostrato una nuova banda di emissione attribuita agli effetti delΓ-X mixing delle funzioni d'onda elettroniche nella buca e nella barriera.
    Abstract: Резюме Мы систематически исследуем многочастичные взаимодействия, индуцированные квазистационарной интенсивной оптической накачкой в полупроводниковых суперрешетках GaAs/AlxGa1−xAs. Измерения спонтанной и стимулированной люминесценции и оптического усиления, проведенные при различных температурах и при нескольких длинах волн возбуждения, позволяют нам наблюдать эффекты заполнения зон и оптического усиления в этих 2D структурах. Квазиравновесные распределение горячих носителей и перенормировка ширины запрещенной зоны влияют на формы линий спонтанного излучния. Экситонные взаимодействия вызывают голубое смещение линий излучения. Полученные спектры интерпретируются, как следствие электрон-дырочной плазмы, которая, в основном рекомбинирует прп кванрованных экситонных энергиях. Измерения оптического усиления определяют коэффициент усиления, который остается постоянным вплоть до 140 K, и оказывается бодьше, чем измеренный в трехмерных кристлллах GaAs. В суперрешетке, имеющей концентрацию алюминия вблизи прямого-косвенного кроссовера, квазирезонансная оптическая накачка обнаруживает новую спектральную особенность в стимулированном излучении, котоая приписывается смешиванию электронных волновых функций в яме и в барьере.
    Notes: Summary We report a systematic study of the many-body interactions induced by quasi-stationary intense optical pumping in semiconductor superlattices of GaAs/Al x Ga1−x As. Spontaneous and stimulated luminescence and optical-gain measurements performed at different temperatures and with several exciting wavelengths allow us to observe band filling effects and optical amplification in these 2D structures. Hotcarrier quasi-equilibrium distribution and band gap renormalization effect the spontaneous-emission line shapes; excitonic interactions slightly blueshift the emission lines. The spectra have been interpreted as a consequence of the electron hole plasma occurring which mainly recombines at the quantized exciton energies. Optical-gain measurements have shown a gain factor which remains constant up to about 140K and is higher than the one measured in three-dimensional GaAs crystals. In a superlattice having aluminium concentration near the direct-indirect crossover, quasiresonant optical pumping in the well has shown a new spectral feature in the stimulated emission which has been tentatively ascribed to a Γ-X mixing of the electronic wave functions in the well and in the barrier.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 5
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 10 (1988), S. 847-859 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Semiconductor-to-semiconductor contacts,p-n junctions ; Excitons and related phenomena (including electron-hole drops)
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Si presenta uno studio sistematico della luminescenza e della riflettività di strutture a buche quantiche multiple di GaAs/Ga1−x Al x As da 12K a temperatura ambiente. Un confronto diretto tra i picchi di fluorescenza dovuti a stati nelle buche quantiche e a quelli nell'arseniuro di gallio, cosí come il confronto tra fotoluminescenza e riflettività, forniscono una prova diretta del ruolo degli eccitoni a tutte le temperature. L'analisi spettrale della fluorescenza a temperatura ambiente ci consente di identificare il contributo degli eccitoni di buca pesante, degli eccitoni di buca leggera e degli stati del continuo. Un'analisi dettagliata delle energie di transizione in funzione della temperatura mostra che l'energia di confinamento aumenta del 5% quando la temperatura aumenta da 12K a temperatura ambiente. Questo effetto è dovuto alla variazione delle masse effettive dell'elettrone e della buca.
    Abstract: Резюме Мы исследуем фотолюминесценцию и отражение структур множественных квантовых ям в GaAs/Ga1−x Al x As в области от 12K до комнатной температуры. Прямое сравнение между эмиссионными пиками для квантовых ям и для объема арсенида галлия, а также между спектрами фотолюминесценции и отражения обнаруживает наличие экситонных особенностей при всех исследованных температурах. Подгоняя форму линий для спектра фотолюминесценции при комнатной температуре, мы определяем вклад экситонов тяжелых дырок, экситонов легких дырок и состояний непрерывного спектра. Из подробного анализа энергий перехода в зависимости от температуры показывается, что энергия удержания увеличивается на 5% при возрастании температуры от 12K до комнатной температуры. Отмечается, что этот эффект обусловлен изменением эффективных масс электрона и дырки.
    Notes: Summary We report a study of photoluminescence and reflectivity of GaAs/Ga1−x Al x As multiple quantum well structures from 12 K to room temperature. A direct comparison between the emission peaks of the quantum wells and of bulk GaAs, as well as between the photoluminescence and reflectance spectra, shows strong evidence of exciton features up to room temperature. By means of a line shape fit of the room temperature emission spectrum, we determine the contribution of the heavy and light hole excitons and of the continuum states. From a detailed analysis of the transition energies, a 5% increase of the confinement energy is found to occur when the temperature increases from 12 K to room temperature. This effect is shown to be due to the change in the electron and hole effective masses.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 6
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 10 (1988), S. 1093-1114 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Interfaces ; PACS 71.35 ; Excitons and related phenomena (including electron-hole drops)
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Sono state effettuate misure di fotoluminescenza, di fotoeccitazione e di riflettività, a varie temperature, su una serie di strutture a pozzi quantici GaAs/Ga1−x Al x As, cresciute con epitassia da fasci molecolari. I risultati della fotoluminescenza emessa nello strato depositato di GaAs sono analizzati e le sue proprietà ottiche sono collegate alle condizioni di crescita. Lo spostamento Stokes della riga di emissione dell'eccitone nel pozzo quantico è studiato in dipendenza delle varie condizioni di eccitazione. Si trova una considerevole diminuzione dello spostamento Stokes nel caso di eccitazione intensa e non risonante. Anche la fotoluminescenza estrinseca e la sua dipendenza dalla temperatura sono interpretate. Inoltre si mostra che gli effetti di temperatura su entrambi gli spettri del cristallo GaAs e del pozzo quantico chiariscono i ruoli del contributo eccitonico e delle transizioni interbanda.
    Abstract: Резюме Проведены измерения фотолюминесценции, фотолюминесценции возбуждения и козффициента отражения при различных температурах на образцах структур квантовых ям GaAs/Ga1−x Al x As, выраўенных с помощью эпитаксии молекулярного пучка. Анализируются некоторые данные по фотолюминесценции для буферных слоев GaAs для определения корреляции между оптическими свойствами и условиями выращивания. При различных условиях возбуждения исследуется сдвит Стокса линии испускания экситона на квантовых ямах. Наблюдается эаметное уменьшение сдвига Стокса в случае нерезонанснопо н интенсивного возбуждений. Также интерпретируются примесная фотолюминесценция и ее температурная зависимость. Показывается, что влияние температуры на обьемный спектр и спектр квантовых ям проясняет экситонные особенности и вклад межзонных переходов.
    Notes: Summary Measurements of photoluminescence, excitation photoluminescence and reflectance are performed at various temperatures on a series of GaAs/Ga1−x Al x As quantum well structures grown by molecularbeam epitaxy. The selective photoluminescence data of the GaAs buffer layers are analysed in order to correlate the optical properties with the growth conditions. The Stokes shift of the excitation emission line from quantum wells is investigated under various excitation conditions. A considerable decrease of the Stokes shift is observed in the case of nonresonant and intense excitations. Also the extrinsic photoluminescence, as well as its temperature dependence, are interpreted. In addition, the temperature effects on both the bulk and quantum well spectra are shown to clarify the excitation features and the contribution of the interband transitions.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 7
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 6 (1985), S. 383-392 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Theory of electronic transport ; scattering mechanisms
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto In questo lavoro è riportato uno studio dell'interazione elettrone-fonone in monocristalli di seleniuro di indio, condotto mediante misure di effetto Hall e spettroscopia Raman. I dati sperimentali sono stati interpretati secondo il modello di Fivaz e Schmid, per lo scattering da fononi ottici omopolari. L'approssimazione migliore delle curve sperimentali è ottenuta assumendo un carattere bidimensionale per l'interazione tra gli elettroni ed i fononi, nel modoA 1, con energia 14.5 meV. Il carattere bidimensionale delle proprietà di trasporto è probabilmente dovuto alla presenza di difetti planari che localizzano i portatori di carica all'interno degli strati.
    Abstract: Резюме Исследуется электрон-фононное рассеяние в монокристаллах InSe, используя измерения подвижности Холла и спектроскопии комбинационного рассеяния. Экспериментальые данные интерпретируются в соответствии с моделью Фиваца и Шмидта для гомополярного оптического рассеяния. Наилучшая подгонка экспериментальных результав получается в предположении двумерного характера взаимодействия между электронами и фононами, модыA 1 , с энергией 14.5 мэВ. Двумерный характер, по-видимому, обусуовлен наличием большого числа плоских дефектов, которые сильно локализуют носители внутри слоев, что подтверждается наблюдениями электронной микроскопии.
    Notes: Summary The electron-phonon scattering in indium selenide single crystals has been investigated by Hall-mobility and Raman-spectroscopy measurements. The experimental data have been interpreted according to the Fivaz and Schmid model for homopolar optical scattering. The best fit of the experimental results is obtained by assuming the bidimensional behaviour of the interaction involving anA 1 phonon with energy 14.5 meV. The bidimensional character is probably due to the presence of a large number of planar defects, confirmed by electron microscope observations, which strongly localize the carriers within the layers.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 8
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 9 (1987), S. 1313-1322 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Other inorganic materials
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto L’andamento spettrale del coefficiente di assorbimento α(2) diretto a due fotoni relativo a transizioni di tipo interbanda è stato studiato in un largo intervallo di energie di eccitazione in diversi materiali (ZnO, CuCl e Bi4Ge3O12). I risultati sperimentali hanno mostrato che l’andamento spettrale è ben descritto da una formula parametrica che contiene termini con differenti dipendenze dall’energia. In particolare, per 2ħω-E g 〉≈400 meV, viene riportata la prima evidenza sperimentale della dipendenza (2ħω-E g )5/2. Di conseguenza, ciascun modello proposto per la valutazione della curva di dispersione di α(2) fornisce una corretta dipendenza dall’energia solo in un limitato intervallo di energie di eccitazione. Questo è dovuto alle pesanti approssimazioni riguardanti l’elemento di matrice di dipolo. Per spiegare la dipendenza spettrale dell’assorbimento a due fotoni è necessario, quindi, considerare tutti gli stati intermedi coinvolti nelle transizioni tenendo conto correttamente della dipendenza dall’energia degli elementi di matrice di dipolo. In questo modo, si può mostrare come il maggiore contributo all’intensità dell’oscillatore sia dovuto a transizioni totalmente permesse nei punti critici.
    Abstract: Резюме В широкой области энергий возбуждения исследуется спектральное поведение коэффицнента прямого двух-фотонного поглощения (α(2)) в ZnO, CuCl и Bi4Ge3O12. Экспериментальные результаты показывают, что спектраьное поведение хорошо описывается параметрической формулой, содержащей члены с различной энергетической завимостью. В частности, для 2ħω-E g〉−400 мэВ впервые полчена экспериментальная зависимость (2ħω-E g)5/2. Пюбая из моделей, предложенных для описания α(2) дисперсионной кривой, дает, правильную энергетическую зависимость в огарниченной области, вследствие грубого приближения, сделанного при вычислении липольных матричных элемементов. Для объяснения спектральной занисимости коэффициента двух-фотоннго поглощения необходимо учитывать все промежуточные состояния и энергегескую зависимость дипольных матричных элементов. Показывается, что наиболыший вклад в силу осцилляторов возникает из переходов, полностью разрешенных в критических точках.
    Notes: Summary The spectral behaviour of the direct interband two-photon absorption coefficient α(2) in ZnO, CuCl and Bi4Ge3O12 has been investigated in a large excitation energy range. The experimental results have shown that the α(2) spectral behaviour is well described by a parametric formula containing terms with different energy dependence. In particular, for 2ħω-E g〉≈400 meV, the first experimental evidence of 2ħω-E g)5/2 dependence has been obtained. As a consequence, each of the various models proposed to predict the α(2) dispersion curve gives the correct energy dependence in a limited energy range, due to the poor approximation made in the evaluation of dipole matrix elements. To explain the spectral dependence of the two-photon absorption coefficient, consideration of all the intermediate states is required, with the energy dependence of the dipole matrix elements properly considered. It is shown that the greatest contributions to the oscillator strength come from transitions totally allowed at the critical points.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 9
    Publication Date: 2016-04-28
    Print ISSN: 1387-3547
    Electronic ISSN: 1573-1464
    Topics: Biology
    Published by Springer
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 10
Close ⊗
This website uses cookies and the analysis tool Matomo. More information can be found here...