ISSN:
1618-2650
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
Summary Silicon single crystals were annealed at various temperatures between 25 and 350° C in a deuterium discharge and were subsequently analyzed with Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS). Beginning at the surface, the deuterium signal decays exponentially to the interior (decay length ∼ 30 nm under bombardment with 9-keV O 2 + J ions). The influence of the bombarding energy on the decay length and the disappearance of the deuterium signal after a treatment with HF show that the deuterium profile is due to an ion beam-induced effect. It is concluded from investigations of boron-doped crystals (both implanted and diffused B) that a surface barrier exists for the indiffusion of deuterium, probably the native oxide layer. The permeation rate of deuterium through this barrier is ∼ 2×1011 atoms/cm2s at 350° C and decreases strongly with decreasing temperature.
Notes:
Zusammenfassung Silicium-Einkristalle wurden bei verschiedenen Temperaturen zwischen 25° C und 350° C in einer Deuteriumentladung getempert und anschließend mittels der Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) untersucht. Ausgehend von der Oberfläche nimmt das Deuteriumsignal exponentiell mit der Tiefe ab (Abklinglänge ∼ 30 nm bei 9 keV O 2 + -Beschuß). Das Verschwinden dieses Oberflächenpeaks nach einer Behandlung mit HF und die Abhängigkeit der Abklinglänge von der Beschußenergie zeigen, daß ein Ionenstrahl-induzierter Effekt vorliegt. Untersuchungen Bor-dotierter Kristalle lassen auf die Existenz einer Oberflächenbarriere, wahrscheinlich die Oxidschicht, für die Eindiffusion von Deuterium schließen. Die Permeation von Deuterium durch diese Barriere beträgt ∼ 2×1011 Atome/cm2 s bei 350°C und nimmt mit abnehmender Temperatur stark ab.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01226755
