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Quenching with rapid decompression—a new method for rapid solidification (1997)

He, D. W. ; Zhang, F. X. ; Zhang, M. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3811-3813. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120542.

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Publikationsdatum: 1997-12-29

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The interstitial fraction of diffusivity of common dopants in Si (1997)

Gossmann, H.-J. ; Haynes, T. E. ; Stolk, P. A. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3862-3864. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120527.

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Phonons as probes in self-organized SiGe islands (1997)

Groenen, J. ; Carles, R. ; Christiansen, S. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3856-3858. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120525.

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High performance ZnSTe photovoltaic visible-blind ultraviolet detectors (1997)

Sou, I. K. ; Man, C. L. ; Ma, Z. H. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3847-3849. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120522.

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Bis(dithienothiophene) organic field-effect transistors with a high ON/OFF ratio (1997)

Sirringhaus, H. ; Friend, R. H. ; Li, X. C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3871-3873. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120529.

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Ion implantation as a tool for controlling the morphology of porous gallium phosphide (1997)

Tiginyanu, I. M. ; Schwab, C. ; Grob, J.-J. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3829-3831. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120518.

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Growth conditions for complete substitutional carbon incorporation into Si1−yCy layers grown by molecular beam epitaxy (1997)

Zerlauth, S. ; Seyringer, H. ; Penn, C. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3826-3828. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120517.

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Low-temperature, chemically driven atomic-layer epitaxy:In situmonitored growth of CdS/ZnSe(100) (1997)

Luo, Yi ; Slater, David ; Han, Ming ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3799-3801. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120509.

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Spatially resolved luminescence studies of defects and stress in aluminum gallium nitride films (1997)

Robins, L. H. ; Wickenden, D. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3841-3843. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120520.

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Decay kinetics and thermoluminescence of PbWO4: La3+ (1997)

Nikl, M. ; Bohäc̆ek, P. ; Nitsch, K. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1997; 71(26): 3755-3757. Published 1997 Dec 29. doi: 10.1063/1.120409.

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