ALBERT

All Library Books, journals and Electronic Records Telegrafenberg

feed icon rss

Your email was sent successfully. Check your inbox.

An error occurred while sending the email. Please try again.

Proceed reservation?

Export
  • 1
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 1939-1943 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto Due nuove bande di luminescenza sono state osservate in cristalli di CuAlS2 come-cresciuti, preparati mediante trasporto di iodio da Al2S3 e Cu2S. La banda con la minore lunghezza d'onda a 77 K appare a circa 2.95 eV, mostrando uno spostamento di spettro con l'intensità di eccitazione, ed è considerata come dovuta all'emissione di coppie donatore-accettore. A temperatura ambiente, l'emissione sembra diventare una transizione da donatore a buca libera. L'emissione con la maggiore lunghezza d'onda appare a 1.8 eV con una grande semiampiezza di 0.5 eV, ha una sua caratteristica banda di eccitazione ed è considerata dovuta ad un centro localizzato.
    Abstract: Резюме В кристаллах CuAlS2, приготовленных методом переноса иода из Al2S2 и Cu2S, наблюдаются две новых люминесцентных полосы. Коротковолновая полоса при 77 К появляерся 2.95 эВ, обнаруживая спектральный сдвиг с интенсивностью возбуждения. Полагается, что эта полоса обусловлена излучением доноракцепторных пар. При комнатной температуре излучение, по-видимому, изменяет переход, «донор-свободная дырка». Длинноволновое излучение появляется при 1.8 эВ с широкой полушириной 0.5 эВ, обладая собственной характеристической полосой возбуждения. Полагается, что это излучение обусловлено локализованным центром.
    Notes: Summary Two new luminescence bands have been observed in as-grown CuAlS2 crystals prepared by iodine transport from Al2S3 and Cu2S. The shorter-wave-length band at 77K appears at around 2.95 eV, showing a spectral shift with excitation intensity, and is considered to be due to a donor-acceptor pair emission. At room temperature, the emission seems to change to a donor-to-free-hole transition. The longer-wave-length emission appears at 1.8 eV with broad half-width of 0.5 eV, having its own characteristic excitation band, and is considered to be due to a localized centre.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
  • 2
    Electronic Resource
    Electronic Resource
    Springer
    Il nuovo cimento della Società Italiana di Fisica 2 (1983), S. 1933-1938 
    ISSN: 0392-6737
    Keywords: Photoluminescence
    Source: Springer Online Journal Archives 1860-2000
    Topics: Physics
    Description / Table of Contents: Riassunto I cristalli di CuGaS2 cresciuti per trasporto di iodio mostrano fotoluminescenza a temperatura ambiente a 2.45 eV e 1.44 eV. Si mostra che la distribuzione spettrale dell'emissione verde è relativamente ben descritta dalla curva calcolata per una transizione diretta da banda a banda con selezionek. Si è tentata la formazione dell'eterogiunzione tra cristalli di CuGaS2 trattati con zolfo e film amorfi di ZnS a bassa resistività, preparati mediante spruzzamento catodico a temperatura ambiente. La caratteristicaI–V del diodo mostra un comportamento rettificante, ma non si è osservata luminescenza per iniezione.
    Abstract: Резюме Кристаллы CuGaS2 о⇃наруживают при комнатной температуре фатолюминесценцию при 2.45 эВ и 1.44 эВ. Показывается что спектральное распределение зеленого излучения относительно хорошо описывется вычисленной кривой для прямого перехода зоназона сk-отбором. Исследуется образование гетероперехода между кристаллами CuGaS2 и аморфными пленками ZnS с низким сопротивлением, притотовленными распылением при комнатной температуре.I–V характеристика диода обнаруживает выпрямляющее, но инжекционная люминесценция не наблюдается.
    Notes: Summary CuGaS2 crystals grown by iodine transport exhibit room temperature photoluminescences at 2.45 eV and at 1.44 eV. The spectral distribution of the green emission is shown to be relatively well described by the calculated curve for a direct band-to-band transition withk-selection. The heterojunction formation has been tried between sulfur-treated CuGaS2 crystals and low-resistivity amorphous ZnS films prepared by sputtering at room temperature. TheI–V characteristic of the diode shows rectifying behaviour, but no injection luminescence has been observed.
    Type of Medium: Electronic Resource
    Location Call Number Expected Availability
    BibTip Others were also interested in ...
Close ⊗
This website uses cookies and the analysis tool Matomo. More information can be found here...