ISSN:
1432-0487
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Electrical Engineering, Measurement and Control Technology
Description / Table of Contents:
Übersicht Mit einer zweidimensionalen Analyse wird die Verteilung von lichtinduzierten Ladungsträgern im Halbleiter unter Berücksichtigung der Diffusion untersucht. Die auftretenden Differentialgleichungen werden vereinfacht und mit Hilfe eines Fourier-Ansatzes gelöst. Es werden geeignete Randbedingungen aufgestellt und die Koeffizienten der Fourier-Reihe bestimmt. Das Berechnungsverfahren wird anschließend auf Interdigital-Strukturen übertragen, wobei die durch die Finger entstehenden Dunkelzonen berücksichtigt werden. Schließlich werden die errechneten Verteilungen als Höhenlinien und als Gebirge der Ladungsträgerdichte graphisch dargestellt und diskutiert.
Notes:
Contents Using a two-dimensional analysis the distribution of light-induced carriers in semiconductor material is investigated taking diffusion into account. The relevant differential equations are simplified and solved with the help of a fourie-formulation. Suitable boundary conditions can be formulated to determine the coefficients of the fourierseries. Subsequently the calculation method is used for interdigital structures, taking into account the dark zones under the fingers. Finally the calculated distributions are plotted as contour lines and as a profile of carrier density.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01573452
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