ISSN:
1434-4475
Keywords:
Silicon
;
Fluorine
;
Chlorine
;
Etching
;
Cluster model
;
Ab initio method
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
Zusammenfassung Struktur und Stabilität von molekularen Clustern, die Halogen(F, Cl)-Doppelbrücken zwischen Siliziumatomen modellieren, H3SiF2SiH3 (1), H3SiF2SiF3 (2), H3SiCl2SiH3 (3) und H3SiCl2SiCl3 (4), werden mittels eines Ab-Initio-Pseudopotentialverfahrens untersucht. Bei der Geometrieoptimierung unter Verwendung des LP-31 G-Basissatzes ergeben sich asymmetrische Brücken Si-X...Si mit einer starken Si-X-Bindung und einer schwachen bindenden Si...X-Wechselwirkung (X=F, Cl). Dissoziationsenergieberechnungen durch das MP2/LP-31 G*//LP-31 G-Verfahren unter Berücksichtigung des Basissatzüberlagerungsfehlers liefert eine abnehmende Stabilität der Cluster in der Reihenfolge2〉4〉3〉1. Die Resultate werden im Zusammenhang mit der Bildung und dem Zerfall von halogenierten Reaktionsschichen, welche während des reaktiven Ätzens von Silizium mit Halogenatomen gebildet werden, diskutiert.
Notes:
Summary Structure and stability of molecular clusters modelling halogen (F, Cl) double bridges between silicon atoms, H3SiF2SiH3 (1), H3SiF2SiF3 (2), H3SiCl2SiH3 (3), and H3SiCl2 SiCl3 (4), have been investigated by an ab initio pseudopotential method. Asymmetrical bridges Si-X...Si with one strong Si-X bond and one weak Si...X bonding interaction (X=F, Cl) result from the geometry optimization using the LP-31 G basis set. Dissociation energy calculations using the MP2/LP-31G*//LP-31G procedure and considering the basis set superposition error provide a decrease of stability of the structures in the order2〉4〉3〉1. The results are discussed with respect to formation and decomposition of halogenated reaction overlayers formed during the etching of silicon by halogen atoms.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01045292
Permalink