ISSN:
1435-1536
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
,
Mechanical Engineering, Materials Science, Production Engineering, Mining and Metallurgy, Traffic Engineering, Precision Mechanics
Description / Table of Contents:
Zusammenfassung Die Wirkung von verschiedenen aromatischen Lösungsmitteln auf die Adsorption durch Ladungsübertragung von TCNQ auf Oxide (Magnesia, Tonerde, Kieselerde, Zinkoxide und Titanoxid) wurde untersucht. Die benutzten Lösungsmittel waren Anilin, Mesitylen,p-Xylol, Toluol, Brombenzol und Chlorbenzol. Wenn TCNQ an den Oberflächen der Oxide von den Lösungen adsorbiert wurde, entstanden an den Oberflächen die charakteristischen Färbungen. Diese Färbungen wurden durch die Bildung von TCNQ-Anion-Radikalen hervorgerufen. Das TCNQ-Anion-Radikal wurde durch die Ladungsübertragung von den Oxiden zu TCNQ gebildet. Der Einfluß der Ionisierungsspannung des Lösungsmittels auf die Konzentration des TCNQ-Anion-Radikals war unterschiedlich. Bei Isolatoren (Magnesia, Tonerde und Kieselerde) nahm die Konzentration des Radikals mit der Ionisierungsspannung ab. In Halbleitern mitn-Leitung (Zinkoxid und Titanoxid) wurde keine einfache Beziehung zwischen Radikal-Konzentration und Ionisierungsspannung beobachtet. Es ist anzunehmen, daß bei den Isolatoren der aktive Bereich auf den Oberflächen als Elektronendonator das OH− Ion ist und bei den Halbleitern mitn-Leitung das Leitungselektron.
Notes:
Summary The solvent effect of several aromatic solvents on the charge-transfer adsorption of TCNQ onto various kinds of oxides (magnesia, alumina, silica, zinc oxide, and titania) was investigated. The solvents used were aniline, mesitylene,p-xylene, toluene, bromobenzene, and chlorobenzene. When TCNQ was adsorbed on the surfaces of oxides from solutions, the surfaces of the oxides acquired the coloration characteristic of each case. The coloration was caused by the formation of TCNQ anion radical as a result of the charge-transfer from the oxide surfaces to TCNQ. Two different types of change in the radical concentration with the ionization potential of the solvent were observed. One of these was found in insulators (magnesia, alumina, and silica) in which the radical concentration decreases with decreasing ionization potential of the solvent. The second type was found inn-type semiconductors (zinc oxide and titania) where no regular relation between the radical concentration and the ionization potential was observed. It might be suggested that the sites responsible for the electrondonor on magnesia, alumina, and silica (insulators) surfaces involved OH− ions and those on the zinc oxide and titania (n-type semiconductors) surfaces involved conduction electrons.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01551154
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