ISSN:
0392-6737
Keywords:
Electronic density of states determinations (including energy states of liquid semiconductors)
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Si è dedotta un'espressione esatta per la densità degli statin(ε) di una singola banda a legame forte di un elemento b.c.c. entro l'approssimazione bicentrica con il contributo del vicino piú prossimo. Usando questa espressione si suggerisce una relazione approssimata pern(ε) che può essere utile nel dedurre varie proprietà dei metalli di transizione.
Abstract:
Резюме Выводится точное выражение для плотности состоянийn(ε) изолированной сильно связанной зоны для объемноцентрированного кубического элемента, используя приближение двух центров с вкладом ближайших соседей. Используя это выражение предлагается простое приближенное соотношение дляn(ε), которое может быть полезным при выводе различных свойств переходных металлов.
Notes:
Summary An exact expression has been derived for the density of statesn(ε) of a single tight-binding band of a b.c.c. element, within the two-centred approximation with nearest-neighbour contribution. Using this expression, a simple approximate relation is suggested forn(ε), which can be useful in deriving various properties of transition metals.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02453025
Permalink