ISSN:
0392-6737
Keywords:
Photoluminescence
;
Conductivity phenomena in semiconductors and insulators
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Si presenta uno studio dettagliato della luminescenza risolta nel tempo dello ZnIn2S4 eccitato con un laser pulsato a 30 K. Si riportano i risultati sperimentali ottenuti sulla dipendenza dell’intensità di fotoluminescenza a diverse lunghezze d’onda dall’intensità di eccitazione; gli spettri risolti nel tempo nell’intervallo (0÷10−1)s di ritardo rispetto all’eccitazione e, infine, il decadimento dell’intensità di fotoluminescenza. I risultati sono discussi nell’ambito di un semplice modello per i processi di ricombinazione a bassa temperatura, che fornisce un buon accordo con i dati sperimentali.
Notes:
Summary A detailed study of the time-resolved luminescence of ZnIn2S4 after pulsed-laser excitation at 30 K is presented. Results are given on the dependence of the emitted PL intensity at different emission wavelengths on the excitation intensity, on the time-resolved spectra in the range (0÷10−1) s of delay time with respect to excitation and on the time decay of the luminescence intensity for different emission wavelengths. The results are discussed in the framework of a simple model for the recombination processes at low temperatures yielding a good overall agreement with the experimental data.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02464852
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