ISSN:
0392-6737
Keywords:
Conductivity phenomena in semiconductors and insulators
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Si considera l'ammettenza di una giunzionep +/n contenente stati di gap caratterizzati da una distribuzione continua in energia. Attraverso un'analisi della carica spaziale si perviene a soluzioni analitiche approssimate per la conduttanza e la capacità del diodo, valide per basse densità degli stati di gap. Si presentano e discutono risultati numerici per due diversi tipi di distribuzioni in energia: i) distribuzioni gaussiane, ii) code esponenziali prossime al fondo della banda di conduzione. In entrambi i casi si mostra che esperimenti di spettroscopia basati su misure di ammettenza, ma condotti in modo incompleto, possono indurre a scambiare erroneamente una distribuzione continua di stati per un apparente livello discreto. Si indicano e discutono criteri non ambigui per evitare simili procedure.
Abstract:
Резюме Рассматривается проводимостьp +/n перехода, имеюшего состояния шели, характеризуюшееся непрерывным распределением по знергии. Получаются приближенные аналитические решения для проводимости и емкости диода, используя анализ пространственного заряда в случае низкой плотности состояний шели. Приводятся численные результаты для двух типов знергетических распределений: 1) распределения гауссовой формы и 2) экспоненциальные хвосты на краю зоны проводимости. Показывается, что в обоих случаях спектроскопические измерения неполной проводимости могут привести к ошибочному появлению непрерывного распределения состояний шели для очевидного дискретного глубокого уровня. Предлагаются и обсуждаются однозначные критерии, чтобы избежать ошибочной интерпретации.
Notes:
Summary The small-signal a.c. admittance of ap +/n junction with gap states having a continuous distribution in energy is considered. Approximate analytical solutions for both diode conductance and capacitance are derived, through a space charge analysis, in the case of a low density of gap states. Numerical results on the zero-bias admittance are given and discussed for two particular energy distributions: i) Gaussian shapes and ii) exponential tails at the conduction band edge. It is shown that in both cases incomplete admittance spectroscopy experiments may lead to mistake the occurrence of a continuous distribution of gap states for an apparent discrete deep level. Unambiguous criteria to avoid misleading procedures are given and discussed.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02460232
Permalink
