ISSN:
0392-6737
Keywords:
Electronic density of states determinations (including energy states of liquid semiconductors)
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Si presenta il calcolo della struttura elettronica della lega In1−x Ga x P usando il metodo di recursione. Si usa un modello a cinque orbitali,sp 3 s *, per atomo nella rappresentazione del legame stretto della hamiltoniana. La densità locale degli stati è calcolata per i siti di In, Ga e P in un ammasso di 216 atomi. I risultati sono in accordo ragionevolmente buono coi calcoli precedenti.
Abstract:
Резюме Проводится вьічисление электронной структурьі сплава In1−x Ga x P, исполъзуя рекуррентньій метод. В приближэнии сильной связи для гамильтониана используется пять орбиталей,sp 3 s *, для модели атома. Выуисляются локальные плотности состояний для положений In, Ga и Р в кластере 216 атомов. Полученньіе результатьі хорошо согласуются с предьідущими вьічислениями.
Notes:
Summary The electronic structure calculation of In1−x Ga x P alloy using the recursion method is reported. A five-orbitals,sp 3 s *, per atom model is used in the tight-binding representation of the Hamiltonian. The local densities of states are calculated for In, Ga and P sites in a cluster of 216 atoms. The results are in reasonably good agreement with previous calculations.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02450122
Permalink