ISSN:
0044-2313
Keywords:
Chemistry
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Inorganic Chemistry
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
Properties and Crystal Structures of Reduced Gallium Halides: Ga2I4 and Ga2I3The compounds Ga2I4 and Ga2I3 were prepared as small single crystals by heating the elements in sealed glass ampoules. Thermal behaviour, IR and Raman spectra as well as the crystal structures were investigated. Due to our investigations Ga2I3 is the most metal-rich gallium iodide. According to X-ray results it is identical with the formerly described „GaI“. - The crystal structures of the compounds Ga2I4 and Ga2I3 were solved on the basis of diffractometer data: Ga2I4 forms rhombohedral crystals, space group R3c; a = 2 521.5(2) and c = 783.9(1) pm. The structure corresponds to the expected formula Ga+(GaI4)-. Tube-like arrangements of the GaI4 tetrahedra are the remarkable structural feature. These are bonded to one another by van der Waals forces and contain the Ga+ ions inside. This arrangement results from a (radial) close-packing of the I atoms of the GaI4- anions. Interstitials in this arrangement are occupied by Ga+-ions and modified in a way to show the influence of the non-bonding electron pair of the Ga+ ion. - Ga2I3 crystallizes in the monoclinic space group P21/c (a = 1 129.4(3); b = 871.5(1); c = 1 345.3(4) pm; β = 145.6(1)°) according to the formula (Ga+)2(Ga2I6)2-. The anion is isoelectronic (and isostructural) with Si2I6 and occurs in the staggered conformation. The Ga-Ga-distance is 238.7(5) pm. The coordination around Ga+ is very similar to that in Ga2I4.
Notes:
Die Verbindungen Ga2I4 und Ga2I3 wurden durch Reaktionen der Elemente in verschmolzenen Glasampullen in Form kleiner Einkristalle dargestellt. Thermische Eigenschaften, schwingungsspektroskopisches Verhalten und Strukturen wurden untersucht. Insbesondere wurde sichergestellt, daß Ga2I3 das metallreichste Galliumiodid im System Ga/I2 ist; Ga2I3 ist mit dem früher beschriebenen „GaI“ identisch. Ga2I4 kristallisiert rhomboedrisch in der Raumgruppe R3c mit a = 2521,5(2) und c = 783,9(1) pm. Der Aufbau entspricht erwartungsgemäß der Formel Ga+(GaI4)-. Auffallendes Strukturmerkmal sind röhrenförmige Anordnungen der GaI4-Tetraeder, die über van-der-Waals-Bindungen mit benachbarten Röhren zusammenhängen und die Ga+-Ionen im Inneren enthalten. Dieser Aufbau resultiert aus einer innerhalb der Röhren dichtesten Anordnung der I-Atome der GaI4-Anionen. Die Lücken dieser Anordnung sind durch Ga+-Ionen besetzt und lassen den Einfluß des nichtbindenden Elektronenpaars am Ga+-Ion erkennen. - Ga2I3 kristallisiert monoklin in der Raumgruppe P21/c mit a = 1 129,4(3); b = 871,5(1), c = 1 345,3(4) pm; β = 145,6(1)° und ist als (Ga+)2(Ga2I6)2- zu formulieren. Das mit Si2I6 isoelektronische (und isostrukturelle) Anion liegt in der gestaffelten Konformation vor; der Ga-Ga-Abstand beträgt 238,7(5) pm. Die Koordination von Ga+ entspricht weitgehend der in Ga2I4.
Additional Material:
6 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19824860102
