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    Weinheim : Wiley-Blackwell
    Zeitschrift für anorganische Chemie 261 (1950), S. 248-260 
    ISSN: 0372-7874
    Keywords: Chemistry ; Inorganic Chemistry
    Source: Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
    Topics: Chemistry and Pharmacology
    Notes: Es wurde ein Verfahren entwickelt, geschmolzenes Aluminium und flüssige AlSi-Legierungen mittels Durchleiten von Schwefeldampf ganz oder teilweise in die Sulfidform zu überführen.Aus den hierbei gemachten Beobachtungen wurden Schlußfolgerungen für die thermischen Eigenschaften der Aluminium- und Siliciumsulfide gezogen.Bei der Schwefelung entstehen primär Al2S3 und SiS2. Durch Einwirkung überschüssigen Metalles werden die Tri- bzw. Di-Su fide zu Monosulfid reduziert. Hierbei ist die Umsetzung des Siliciums nur unvollkommen, da es sich im Gegensatz zum Aluminium im festen Zustande befindet. Bei Fehlen überschüssigen Metalles werden die niederen Sulfide zu ihren Endstufen aufgeschwefelt.In Al—Si-Legierungen wird zunächst das Aluminium geschwefelt, das Silicium dagegen erst, wenn es in einer Konzentration von mehr als 40 Molprozent in der Legierung enthalten ist. Die Al-Sulfide sind unter atmosphärischem Druck bis 1600° C nicht flüchtig, während die Siliciumsulfide niedrige Siedepunkte haben und daher bei der Schwefelung von AlSi-Schmelzen restlos aus der AlSi-Schmelze verdampfen.Schmelz- und Siedepunkte der Al-Sulfide: \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$$ \begin{array}{*{20}c} {{\rm AlS F}_{\rm p} {\rm }1200^\circ {\rm C K}_{\rm p} 〉 1600^\circ {\rm C }} & {{\rm Al}_{\rm 2} {\rm S}_{\rm 3} {\rm F}_{\rm p} {\rm 1100}^\circ {\rm C K}_{\rm p} 〉 1600^\circ } \\ \end{array}{\rm C} $$\end{document}.Al und AlS bilden eine Mischungslücke, wobei der Fp von AlS durch etwas gelöstes Al auf 1070° erniedrigt wird.Bei 950° disproportioniert AlS zu Al + Al2S3.Schmelz- und Siedepunkte der Si-Sulfide: \documentclass{article}\pagestyle{empty}\begin{document}$$ {\rm SiS F}_{\rm p} ?{\rm K}_{\rm p} ?{\rm SiS}_{\rm 2} {\rm F}_{\rm p} {\rm 1090}^\circ {\rm C \,\, K}_{\rm p} {\rm }1130^\circ {\rm C} $$\end{document}.Disproportionierung von SiS zu Si + SiS2.
    Additional Material: 5 Ill.
    Type of Medium: Electronic Resource
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