Electronic Resource
Springer
The European physical journal
139 (1954), S. 599-618
ISSN:
1434-601X
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Notes:
Zusammenfassung Es wird ein Ofen zur Herstellung von Einkristallen undpn-Schichtkristallen nach demCzochralski-Verfahren beschrieben. Spektralanalysen und Widerstandsmessungen ermöglichen eine Abschätzung der Verunreinigungen und ihrer Entmischungskoeffizienten. Gleichstromkennlinien und Kapazitäten derpn-Kristalle werden bei verschiedenen Temperaturen gemessen. Die Spannungsabhängigkeit der Kapazität liefert ein lineares Störstellenprofil. Die gemessenen Diffusionsspannungen sowie die Neigungen der Flußkennlinien entsprechen einer Abweichung der Trägerdichten am Sperrschichtrand vomBoltzmannschen Gesetz in der Form exp [U/(kT/e+14 mV)]. Die Sperrströme weichen von derShockleyschenpn-Theorie wesentlich ab: sie zeigen keine Sättigung, eine zu kleine Temperaturabhängigkeit und sind mehr als drei Größenordnungen zu groß. Dies kann erklärt werden durch die Annahme von Haftstellen, sog. Traps, die als Rekombinationszentren imShockley-Readschen Sinne wirken. Man findet, daß dann die wirksamen Trapniveaus 0,04 V oberhalb oder unterhalb der Bandmitte liegen. Ein Anstieg der Kapazität nach tiefen Frequenzen hin ermöglicht eine Abschätzung für die Trapdichte zu ≈ 6 · 1015 cm−3 und für den Wirkungsquerschnitt der Traps zu ≈ 10−17 cm2.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01374566
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