Electronic Resource
Springer
The European physical journal
138 (1954), S. 598-612
ISSN:
1434-601X
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Notes:
Zusammenfassung Es wird gezeigt, daß unter vereinfachenden Annahmen, die für Halbleiter mit hoher Beweglichkeit und großer Diffusionslänge im wesentlichen erfüllt sind, die Gleichrichtung am Kontakt Metall-Überschußhalbleiter so beschrieben werden kann, daß für den Elektronenstrom die Diodentheorie und für den Löcherstrom diep-n-junction-Theorie vonShockley anzuwenden ist. Die Sperrschichtkapazität pro Fläche Csp als Funktion der angelegten VorspannungU = ergibt sich zu1 1/C2 sp =8π/ ɛ Ne(V −U =), wobei beim Vorhandensein einer Inversionsschicht die GrößeV schwach spannungsabhängig ist. Es werden Näherungsformeln fürV U =) angegeben. Die Temperaturabhängigkeit vonV sollte durch das Vorhandensein einer Inversionsschicht wesentlich beeinflußt werden.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01333528
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