ISSN:
1434-601X
Quelle:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Thema:
Physik
Notizen:
Zusammenfassung Auf Grund der Tatsache, daß die aperiodische Bremsfeldröhre als Vorbild für einen idealen Transistor angesehen werden kann, ist die Vermutung aufgetaucht, daß ein Transistor imstande sein muß, ähnliche „innere Schwingungen“ wie dieBarkhausenschen Elektronenpendelungen zu erregen, wenn auch auf Grund eines andersartigen Mechanismus. Tatsächlich sind solche inneren Schwingungen ohne jedes äußere Resonanzsystem gefunden worden, die indessen, statt auf irgendwelche Pendelbewegungen der maßgeblichen Ladungsträger, auf die Anfachung eines im Transistor enthaltenen Resonanzkreises durch einen negativen Transistorwiderstand zurückgeführt werden. Während sich die wirksame Kreiskapazität aus der Sperrschichtkapazität des Kollektors sowie aus den „kalten“ Elektrodenkapazitäten zusammensetzt, erscheint eine virtuelle Induktivität als duales Gegenstück zur Kollektorkapazität, welche sich mit umgekehrtem Vorzeichen in den Emitterzweig projiziert. Die Dualität der inneren Transistorschwingungen und derBarkhausenschen Elektronenpendelungen kommt in dualen Relationen zum Ausdruck, indem derBarkhausen-Relationf 0 2 V g=const die Transistorformelf 0 2 I c=const gegenübersteht. Oberwellen der inneren Transistorschwingungen reichen bis ins Mikrowellengebiet und fachen Hohlraumresonatoren an.
Materialart:
Digitale Medien
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF01365531
