ISSN:
0392-6737
Keywords:
Electronic conduction in metals and alloys
Source:
Springer Online Journal Archives 1860-2000
Topics:
Physics
Description / Table of Contents:
Riassunto Abbiamo eseguito misure di effetto Hall quantistico su MOSFET commerciali di bassa mobilità a canalen. Le curve di resistenza di canale in funzione della tensione di gate presentano l'atteso andamento oscillante e danno i valori quantizzati, almeno nelle regioni di maggiore mobilità. Una categoria di campioni ha mostrato andamenti sorprendenti, sia in misure di QHE che in misure di mobilità per effetto di campo: riteniamo che ciò sia dovuto a differenze incontrollabili nelle regioni di diffusione alle interfacce tra i contatti e il canale. In particolare, attribuiamo la deformazione delle curve di QHE all'instaurarsi di forze termoelettromotrici, che sono presenti nel gas elettronico nonostante i campioni siano isotermi. Misure eseguite su un MOSFET a geometria Hall di alta qualità forniscono una chiara evidenza dell'esistenza di effetti termoelettrici.
Abstract:
Резюме Проводятся измерения квантового эффекта Холла на коммерческих MOSFET с малой подвижностью вn-канале. Зависмость сопротивления канала от концентрации электронов обнаруживает осцилляторное поведение и дает квантованные значения сопротивления Холла, по крайней мере, в области высокой подвижности. Один класс исследованных образцов обнаруживает удивительное поведение при измерении квантового эффекта Холла и при измерении зависимости подвижности от поля. Такое поведение, по-видимому, обусловлено неконтролируемыми различиями в зонах диффузии между каналом и контактами. В частности, мы приписываем деформацию кривых квантового эффекта Холла возникновению термоэлектродвижущей силы, которая присутствует в электронном газе, даже в изотермических образцах. Приводятся подтверждения для термоэлектрических эффектов, проводя измерения эффекта Холла в MOSFET с высокой подвижностью.
Notes:
Summary We have performed quantum Hall effect measurements on commercial low-mobilityn-channel MOSFETs. The channel resistancevs. electron concentration has the expected oscillating behaviour and gives the quantized values for the Hall resistance, at least in the region of higher mobility. One class of the tested samples gave a surprising behaviour, both in QHE and in field effect mobility measurements: this is thought to be due to uncontrolled differences in the diffusion zones at the interface between the channel and the contacts. In particular, we attribute the deformation of the QHE curves to the onset of a thermoelectromotive force which is present in the electron gas even if the sample is isothermal. A clear evidence for thermoelectric effects is given by measurements made on a high-quality Hall geometry MOSFET.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1007/BF02458061
