ISSN:
0044-2313
Keywords:
Chemistry
;
Inorganic Chemistry
Source:
Wiley InterScience Backfile Collection 1832-2000
Topics:
Chemistry and Pharmacology
Description / Table of Contents:
The Clathrates Ge38A8X8 with A = P, As, Sb and X = Cl, Br, JThe compounds Ge38A8X8 were synthesized in crystalline form either from the elements or from germanium and suitable halides (sealed quartz tube; temperature drop). The substances obtained are silvern shining, brittle and chemically very resistant. At temperatures between 600 and 700 °C they decompose to yield the elements, halides and other yet unidentified products. X-ray diffraction data show, that the compounds crystallize in the cubic space group P43n having a structure analogous to that of the gas hydrates. In this structure the 38 Ge and 8 A atoms build up a three dimensional E46 frame work of tetrahedrally bounded atoms; the 8Xatoms are situated inside the big cages of this frame. The constitutional formula Ge38A8+X8- justifies this picture. The lattice parameters and the interatomic distances show a systematic dependence upon the elements used.Measurements of the specific electrical conductivities prove semi conduction.Mixed crystals were prepared by exchange of halogen or by substitution 1 interchange of Ge by (III, V) phases.
Notes:
Die Verbindungen Ge38A8X8warden in kristalliner Form aus den Elementen bzw. geeigneten Halogeniden synthetisiert (Quarzampullen; Temperaturgefälle). Es handelt sich um silberglänzende, spröde Stoffe, die chemisch sehr wiederstandsfähig sind. Sie zerfallen bei Temperaturen von 600-700°C in die Elemente, Halogenide und weitere. bisher unbekannte Stoffe. Nach Röntgenstrukturanalysen Kristallisieren die Verbindungen kubisch in P43n mit einer den Gashydraten analogen Struktur, in dieser bilden die 38 Ge- und 8 A-Atome ein 3-dimensionales E46-Gerüst tetraedrisch gebundener Atome in dessen großen Käfigen die 8 X-Atome liegen. Die Formulierung Ge38A8+X8- wird diesem Aufbau gerecht. Die Gitterparameter und Atomabstände zeigen systematische Abhängigkeiten von den aufbauenden Elementen. Messungen der spezifischen Leitfähigkeiten beweisen die Halbleitereigenschaften.Mischkristalle durch Halogenaustausch bzw. durch Ersatz von Ge durch (III, V)- Phasen wurden dargestellt.
Additional Material:
6 Ill.
Type of Medium:
Electronic Resource
URL:
http://dx.doi.org/10.1002/zaac.19733950211
