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An Introduction to the Theory of Seismology (1985)

K. E. Bullen ; B. Bolt

Cambridge University Press

In: Cambridge, 4th Edition, 470 pp., Cambridge University Press, vol. 106, pp. 503, (ISBN 0-415-24328-9 (hb), 0-203-47128-8 (pb))

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Publikationsdatum: 1985

Schlagwort(e): Textbook of geophysics ; Seismology

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Statistical Analysis of Spherical Data (1987)

N. I. Fisher ; T. Lewis ; B. J. J. Embleton

Cambridge University Press

In: New York, Cambridge University Press, vol. 283, no. 2, pp. 15-17, (ISBN: 3-7643-7044-0)

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Publikationsdatum: 1987

Schlagwort(e): Statistical investigations ; Handbook of mathematics ; Data analysis / ~ processing ; Borehole breakouts ; circular ; angular ; directional ; Staatsbibl. ; B: ; 779785

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Numerical Recipes - The Art of Scientific Computing (1986)

W. H. Press ; B. P. Flannery ; S. A. Teukolsky ; [weitere]

Cambridge University Press

In: Cambridge, Cambridge University Press, vol. 7, no. Publ. No. 12, pp. 127, (ISBN 1-58488-323-5)

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Publikationsdatum: 1986

Schlagwort(e): Inversion ; Handbook of mathematics

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Reactive ion etching of diamond (1989)

Sandhu, G. S. ; Chu, W. K.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(5): 437-438. Published 1989 Jul 31. doi: 10.1063/1.101890.

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Publikationsdatum: 1989-07-31

Print ISSN: 0003-6951

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Thema: Physik

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Photorefractive effect in La3Ga5SiO14‐Pr3+piezoelectric crystals (1989)

Fridkin, V. M. ; Kaminskii, A. A. ; Lazarev, V. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 545-546. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.102432.

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Publikationsdatum: 1989-08-07

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Thema: Physik

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Si/SiO2interface structures in laser‐recrystallized Si on SiO2 (1989)

Ogura, Atsushi ; Aizaki, Naoaki

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 547-549. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.102433.

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Unbekannt

Integrated external cavity GaAs/AlGaAs lasers using selective quantum well disordering (1989)

Werner, J. ; Kapon, E. ; Stoffel, N. G. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 540-542. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101848.

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Structural and electrical properties of epitaxial Si on insulating substrates (1989)

Rozgonyi, G. A. ; Radzimski, Z. J. ; Higuchi, T. ; [weitere]

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 586-588. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101841.

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Synchronously pumped mode‐locked dye laser pumped by a frequency‐doubled mode‐locked andQ‐switched diode laser pumped Nd:YAG laser (1989)

Maker, G. T. ; Ferguson, A. I.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 525-527. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101867.

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Direct observation of discrete layers of dislocation loops near the projected ion ranges in high‐dose P+‐implanted (001)Si by cross‐sectional transmission electron microscopy (1989)

Hsu, S. N. ; Chen, L. J. ; Chao, W. Y.

American Institute of Physics

In: Applied Physics Letters. 1989; 55(6): 565-567. Published 1989 Aug 07. doi: 10.1063/1.101833.

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