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Structural correlation in tantalum nitride formation by direct nitrogen implantation (1989)

Zhou, X ; Dong, HK ; Li, HD ; [weitere]

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In: Vacuum. 1989; 39(2-4): 307-308. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90227-3.

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Control of plasma parameters in a cylinder symmetrical capacitively coupled rf ion source by use of a magnetic field (1989)

Korzec, D. ; Engemann, J. ; Wolters, R.

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In: Vacuum. 1989; 39(11-12): 1185-1190. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)91118-4.

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Computer simulation of ion-bombardment induced sputtering of Rh(111) surface (1989)

Chakarov, IR ; Karpuzov, DS ; Todorov, SS

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In: Vacuum. 1989; 39(11-12): 1123-1126. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)91104-4.

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Studies of zinc sulphide, treated with different solutions of catalyst ions (1989)

Ballester, A ; Blázquez, ML ; González, F ; [weitere]

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In: Vacuum. 1989; 39(7-8): 663-664. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90011-0.

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Molybdenum coatings produced by magnetron sputtering (1989)

Ramos, Marta MD ; Almeida, JB ; Isabel, M ; [weitere]

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In: Vacuum. 1989; 39(7-8): 735-738. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90027-4.

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Multi-section roots vacuum pump of reverse flow cooling type with internal flow division arrangement (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(6): iii. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90694-5.

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Process for the manufacture of multilayer circuits with dynamic flexing regions and the flexible circuits made therefrom (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(9): ii. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)91081-6.

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A new ultrafine groove fabrication method utilizing electron cyclotron resonance plasma deposition and reactive ion etching (1989)

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Diffusion model for Ohmic contacts to GaAs (1989)

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Reordering of polycrystalline Pd2Si on epitaxial Pd2Si (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 996. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90946-9.

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Ion mixing of Al2O3 and Al films on SiO2 (1989)

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Ion-induced mixing at Nb/Fe2O3 interface studied by CEMS technique (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 995. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90934-2.

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The interaction of copper and nickel : nickel monolayers on a Cu{100} single crystal (1989)

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Striations in a gas discharge (1989)

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Time of flight measurements of the ratio of radial diffusion coefficient and mobility for electron swarms in helium, argon, neon and krypton at high E/N (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 999. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90973-1.

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Ion emission from plasma-focus facilities (1989)

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Superconducting and transport properties and the mixing process in Al/Si multilayer films (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 995. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90936-6.

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Charge-transfer dipole moments at the Si-SiO2 interface (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 996. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90950-0.

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Effect of mixing ions on the formation process of β-SiC fabricated by ion beam mixing (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 994. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90930-5.

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Ion mixing and thermochemical properties of tracers in Ag (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 996. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90948-2.

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Metal/semiconductor interfaces on SnO2(110) (1989)

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The oxidation of PtSi, Pt2Si and polycrystalline silicon in ultrahigh vacuum residual gas (1989)

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Chemical reactions at the Si/GaAs(110) and Si/InP(110) interfaces : effects on valence-band discontinuity measurements (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 993. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90922-6.

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Photoluminescence spectra of highly doped AlxGa1−xAs grown by molecular-beam epitaxy (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 992. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90917-2.

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Charge transfer adsorption in silicon vapor-phase epitaxial growth (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 991. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90908-1.

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Microbeam line with 1.5 MeV helium ions and protons at Osaka (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 982. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90827-0.

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Broad ion beam modeling for extraction optics optimization and etching process simulation (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 982. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90826-9.

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The deposition rate dependence of plasma polymerization on the radius of curvature of the substrate (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 982. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90819-1.

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Structural and electrical properties of silicon nitride films prepared by multipolar plasma-enhanced deposition (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 980. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90804-x.

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Inert gas entrapment in films produced by ion-assisted physical vapour deposition processes (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 981. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90809-9.

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Growth dynamics of aluminum nitride and aluminum oxide thin films synthesized by ion-assisted deposition (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 980. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90806-3.

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Control of microstructure and properties of copper films using ion-assited deposition (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 980. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90801-4.

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Investigation of the void structure in amorphous germanium thin films as a function of low-energy ion bombardment (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 980. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90802-6.

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Plasma enhanced chemical vapor deposition of polycrystalline diamond and diamondlike films (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 979. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90799-9.

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Sputtered cluster mass distributions, thermodynamic equilibrium and critical phenomena (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 978. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90786-0.

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Properties of hard tungsten films prepared by sputtering (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 977. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90782-3.

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Investigation of cosputtered W-C thin films as diffusion barriers (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 976. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90772-0.

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Deposition of device quality silicon dioxide thin films by remote plasma enhanced chemical vapor deposition (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 981. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90815-4.

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Electrical and optical properties of indium tin oxide thin films prepared on low-temperature substrates by rf magnetron sputtering under an applied external magnetic field (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 978. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90787-2.

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Geometrical and surface effects in the sputtering process (1989)

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Characterization of cosputtered tungsten carbide thin films (1989)

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Formation of some hierarchy in amorphous structure during the crystallization of vacuum-deposited amorphous semiconductor films (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 974. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90751-3.

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Thin palladium films prepared by metal-organic plasma-enhanced chemical vapour deposition (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 981. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90814-2.

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Ion sputtering yield measurements for submicrometer thin films (1989)

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Growth, atomic structure, and oxidation of chromium overlayers on W(110) (1989)

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A study of the adhesion of vacuum-evaporated polyethylene films to aluminium (1989)

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The influence of heavier gases in pumping helium and hydrogen in an ion pump (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 972. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90737-9.

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On the properties of physically vapour-deposited TiAlVN coatings (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 973. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90742-2.

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Scanning differential polarization microscope : its use to image linear and circular differential scattering (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 1003. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)91009-9.

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Application of reflectance difference spectroscopy to molecular-beam epitaxy growth of GaAs and AlAs (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 1003. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)91006-3.

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A photoemission study of H2O adsorption on a vicinal Si(100) surface (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 971. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90730-6.

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A vacuum measurement system with Penning gauge for high voltage application (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 971. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90727-6.

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Unbekannt

Analysis of frequency responses for different rotor configurations of small turbomolecular pumps (1989)

Elsevier

In: Vacuum. 1989; 39(10): 970. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90719-7.

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Unbekannt

Tunneling microscopy of NbSe2 in air (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 1004. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)91012-9.

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Unbekannt

Secondary ion mass spectrometry sensitivity factors versus ionization potential and electron affinity for many elements in HgCdTe and CdTe using oxygen and cesium ion beams (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 1002. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90999-8.

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Transient boron diffusion in ion-implanted crystalline and amorphous silicon (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 987. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90873-7.

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Apparatus for loading and unloading a vacuum processing chamber (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(6): iv. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90699-4.

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High dose uranium ion implantation into silicon (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 987. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90867-1.

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Unbekannt

Cross-sectional transmission electron microscope study of intrinsic solid-phase epitaxial growth in self-ion-implanted (001) Si (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 986. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90863-4.

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Unbekannt

Epitaxial growth and X-ray structural characterization of Zn1−xFexSe films on GaAs(001) (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 991. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90904-4.

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Molecular stream epitaxy and the role of the boundary layer in chemical vapor deposition (1989)

Elsevier

In: Vacuum. 1989; 39(10): 990. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90898-1.

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Unbekannt

Growth and structure of chemical vapor deposited silicon carbide from methyltrichlorosilane and hydrogen in the temperature range of 1100 to 1400°C (1989)

Elsevier

In: Vacuum. 1989; 39(10): 991. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90903-2.

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Unbekannt

Thermal stability and Bi diffusion in the implanted AZ111 photoresist (1989)

Elsevier

In: Vacuum. 1989; 39(10): 985. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90850-6.

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Unbekannt

Hollow-anode discharge with axial-magnetic field as an electron beam source (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 984. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90840-3.

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Electronic transitions in surface and near-surface radiation effects (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 984. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90845-2.

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Unbekannt

Novel approach for particle velocity and size measurement under plasma conditions (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 1000. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90983-4.

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A Monte Carlo investigation of the runaway of H+ ions in helium (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 983. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90832-4.

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Integrated thermal vacuum sensor with extended range (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 969. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90712-4.

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Proposal for a sensitive leak test telescope (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(10): 970. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90721-5.

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Characterization of epitaxial films by grazing-incidence X-ray diffraction (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 529. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90621-0.

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Ultrahigh-vacuum system for surface studies using high-energy ion scattering and X-ray photoemission spectroscopy (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 529. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90624-6.

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Large grain size CdTe films grown on glass substrates (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 529. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90623-4.

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Multilayer PIXE analysis (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 529-530. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90625-8.

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An electron spectroscopy study of the growth and thermally activated diffusion of nickel thin films on Al(111) and Al2O3/Al(111) (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 529. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90622-2.

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Experimental comparison of micro-PIXE with other methods utilized for biomineralization studies (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 529. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90619-2.

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Characterization of microcrystallinity in hydrogenated silicon thin films (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 529. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90620-9.

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Scanning low energy electron loss microscopy (SLEELM): metals on semiconductors (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 528-529. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90617-9.

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Microstructure of Fe implanted yttria stabilized zirconia studied by Mössbauer spectroscopy and TEM (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 528. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90611-8.

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Defining the fractal nature of thin-film top surfaces from microdensitometer analysis of electron micrographs of surface replicas (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 528. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90616-7.

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Transmission electron microscopy studies of brown and golden titanium nitride thin films as diffusion barriers in very large scale integrated circuits (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 528. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90615-5.

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Fracture testing of silicon microelements in situ in a scanning electron microscope (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 528. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90612-x.

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Transmission electron microscopy of elastic relaxation effects in Si-Ge strained layer superlattice structures (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 528. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90614-3.

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Structural investigation of helium ion-beam-irradiated glassy carbon (1989)

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Detection of atomic surface structure on NbSe2 and NbSe3, at 77 and 4.2 K using scanning tunneling microscopy (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 527-528. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90609-x.

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Theory of the local tunneling spectrum of a variating adsorbate (1989)

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Low energy electron diffraction analysis of the Si(111)7x7 structure (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 527. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90604-0.

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Crystal growth of Ge studied by reflection high-energy electron diffraction and photoemission (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 527. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90603-9.

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Scanning tunneling microscopy of cubic silicon carbide surfaces (1989)

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Transmission electron microscopy for the determination of the microstructure of thin films and interfaces (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 527. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90602-7.

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Scanning tunneling microscope for low temperature, high magnetic field, and spatially resolved spectroscopy (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 526. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90595-2.

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Atomic force microscopy and scanning tunneling microscopy with a combination atomic force microscope/scanning tunneling microscope (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 526. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90598-8.

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The surface topography of pyrolitic carbons and of gold thin films by scanning tunneling microscopy:grain boundaries and surface defects (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 526-527. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90599-x.

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Studies of superconductors using a low-temperature, high-field scanning tunneling microscope (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 527. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90606-4.

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Theory of scanning tunneling spectroscopy (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 527. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90607-6.

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Electron microscopy of electron damage in tantalum carbide (1989)

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Monte Carlo investigations of the ion microprobe (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 525. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90589-7.

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Auger electron spectroscopy and Rutherford backscattering spectroscopy studies of TiN and TiC coatings prepared by the activated reactive evaporation process (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 525-526. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90590-3.

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Reliable and versatile scanning tunneling microscope (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 526. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90592-7.

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Simple line-sampling apparatus for line frequency stroboscopic observation of periodic phenomena using scanning electron microscopy (1989)

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In: Vacuum. 1989; 39(5): 526. Published 1989 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(89)90594-0.

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