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Combining fourier and shock spectra for improved test specification (1986)

Peleg, K. ; Hinga, S.

Elsevier

In: Journal of Sound and Vibration. 1986; 110(2): 289-307. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/s0022-460x(86)80211-5.

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Vibration characteristics of a cylindrically curved thick plate (1986)

Yamada, G. ; Irie, T. ; Shoji, N.

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In: Journal of Sound and Vibration. 1986; 110(2): 337-346. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/s0022-460x(86)80214-0.

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On the free vibrations of spinning paraboloids (1986)

Shoemaker, W.L. ; Utku, S.

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In: Journal of Sound and Vibration. 1986; 111(2): 279-296. Published 1986 Dec 01. doi: 10.1016/s0022-460x(86)80162-6.

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On the convergent parts of high order spectral moments of stationary structural responses (1986)

Di Paola, M. ; Muscolino, G.

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In: Journal of Sound and Vibration. 1986; 110(2): 233-245. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/s0022-460x(86)80207-3.

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Determination of the natural frequencies of transverse vibration for conveyor belts with orthotropic properties (1986)

Harrison, A.

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In: Journal of Sound and Vibration. 1986; 110(3): 483-493. Published 1986 Nov 01. doi: 10.1016/s0022-460x(86)80149-3.

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Bounds on response of a class of coupled linear partial differential equations (1986)

Ahmadi, G.

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In: Journal of Sound and Vibration. 1986; 110(3): 381-393. Published 1986 Nov 01. doi: 10.1016/s0022-460x(86)80142-0.

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Focused ion beam milling (1986)

Watkins, R.E.J. ; Rockett, P. ; Thoms, S. ; [weitere]

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In: Vacuum. 1986; 36(11-12): 961-967. Published 1986 Nov 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90148-x.

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Interaction of ion beams with polymers, with particular reference to SIMS (1986)

Briggs, D ; Hearn, MJ

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In: Vacuum. 1986; 36(11-12): 1005-1010. Published 1986 Nov 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90156-9.

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6200. Aluminum plasma etching process using vacuum systems without cold traps (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 736. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90467-7.

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6199. Pattern profile control of polysilicon plasma etching (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 736. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90466-5.

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6236. High resolution SIMS and neutron depth profiling of boron through oxide-silicon interfaces (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 740. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90503-8.

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6239. Performance of a new ion optics for quasisimultaneous secondary ion, secondary neutral, and residual gas mass spectrometry (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 740. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90506-3.

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6218. Electrical characterization of rf glow discharges using an operating impedance bridge (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 738. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90485-9.

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6210. Monte Carlo and Boltzmann calculations of the density gradient expanded energy distribution functions of electron swarms in gases (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 737. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90477-x.

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6197. Masked ion beam resist exposure using grid support stencil masks (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 736. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90464-1.

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6198. Submicron pattern fabrication by focused ion beams (1986)

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6214. Energy and density measurements of sloshing ions in tandem-mirror-experiment upgrade using solid-state probe techniques (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 738. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90481-1.

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6212. Non-equilibrium in low pressure rare gas discharges (1986)

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6193. A bilevel resist for ion beam lithography (1986)

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6195. Ion beam lithography: an investigation of resolution limits and sensitivities of ion-beam exposed PMMA (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 736. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90462-8.

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6194. Anisotropic reactive ion etching technique of GaAs and AlGaAs materials for integrated optical device fabrication (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 736. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90461-6.

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6196. A high-speed, high-precision electron beam lithography system (electron optics) (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 736. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90463-x.

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6187. Effect of an Ag or a Pd overlayer on the magnetic moment of a Fe film (1986)

Elsevier

In: Vacuum. 1986; 36(10): 735. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90454-9.

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6191. Vibrational study of the SiO2/Si interface by high resolution electron energy loss spectroscopy (1986)

Elsevier

In: Vacuum. 1986; 36(10): 735. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90458-6.

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6189. Interdiffusion and chemical ordering in composition-modulated Fe70Si30/Si amorphous thin films (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 735. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90456-2.

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6186. Thermal reaction of gold metallization on InP (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 735. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90453-7.

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6185. Interactions between cleaved (Hg, Cd)Te surfaces and deposited overlayers of Al and In (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 735. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90452-5.

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6181. Molecular beam epitaxy beam flux modeling (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 734. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90448-3.

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6182. An ac field-effect study of TCE-oxidised SiO2Si interface states (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 734. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90449-5.

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6190. The use of mixed alloy contacts to engineer the interfaces and electrical characteristics of metal-InP contacts (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 735. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90457-4.

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6188. Formation of metal-semiconductor interfaces: from the submonolayer regime to the real Schottky barrier (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 735. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90455-0.

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6180. The dependence of RHEED oscillations on MBE growth parameters (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 734. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90447-1.

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6184. Thin film deposition for permeability increase of gas being implanted (theoretical consideration) (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 735. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90451-3.

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6177. Electron microscopy of epitaxial Si/CaF2/Si structures (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 734. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90444-6.

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6179. Gas source MBE of InP and GaxIn1−xPyAs1−y: materials properties and heterostructure lasers (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 734. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90446-x.

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6173. Surface preciption of boron nitrate on the surface of type 304]' stainless steels doped with nitrogen, boron, and cerium (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 733. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90440-9.

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6172. Immobilization mechanism for ion-implanted deuterium in aluminum (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 733. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90439-2.

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6169. Modification of silicon structure during highly intensive Ar+ ion implantation (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 733. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90436-7.

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 734. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90443-4.

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6164. UV laser incorporation of dopants into silicon: comparison of two processes (1986)

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6170. Interaction of slow charged particles (H+, He++) with solids (1986)

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6158. Distributions of light ions and foil destruction after irradiation of organic polymers (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 732. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90425-2.

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6171. Comparative study oof intermetallic phases formed by direct ion implantation and radiation enhanced diffusion of tin in two kinds of steel (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 733. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90438-0.

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6162. Gas trapping induced by argon implantation and irradiation of polymer films (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 732. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90429-x.

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6160. Dose rate dependence of damage clustering during heavy ion irradiation in Si (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 732. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90427-6.

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6159. Diffusion of ion-implanted Ga in SiO2 (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 732. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90426-4.

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6168. The trapping of deuterium in argon-implanted nickle (1986)

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6165. Near-surface microstructural modifications in low energy hydrogen ion bombarded silicon (1986)

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6161. Excess noise in ion beam irradiated polymer films (1986)

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6163. Rapid thermal annealing of dopants implanted into preamorphized silicon (1986)

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6157. A special glow discharge source of positive ions (1986)

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6155. Broad-beam electron source (1986)

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6153. Charge and energy transfer in collisions of Cs+ ions with a cesiated W(110) surface (1986)

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6151. Application of a focussed ion beam system to defect repair of VLSI masks (1986)

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6154. Metastable He+ (2S) production by a rf ion source (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 731. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90421-5.

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6144. Reversal ion source: a new source of negative ion beams (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 730. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90411-2.

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6145. Electron beam prober for VLSI diagnosis (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 730. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90412-4.

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6152. A stabilised flow control system for ion source gas from volatile liquids (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 731. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90419-7.

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6148. A combined electron and ion beam lithography system (1986)

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6146. Beam current stability from localized emission sites in field ion source (1986)

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6135. Kinetics of Si(100) nitridation first stages by ammonia: electro-beam-induced thin film growth at room temperature (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 729. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90402-1.

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6143. Optimization of H− production in a magnetically filtered multicusp source (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 730. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90410-0.

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6150. Yaw corrected precision X-Y stage for high-throughput electron-beam lithography systems (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 731. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90417-3.

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6140. Subnanosecond bunching of a positron beam (1986)

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6141. Experimental performance of a microwave cavity plasma disk ion source (1986)

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6142. Extraction of volume-produced H− ions (1986)

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6138. Production and characterization of pulsed large-area homogenous electron beams (1986)

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6130. A comparison of single- and double-carrier injection in amorphous silicon alloys (1986)

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6126. Refractory metal silicide formation by sputtering a refractory metal on heated Si substrates (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 728. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90393-3.

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6129. Electrical characterization of plasma-grown oxides on gallium arsenide (1986)

Elsevier

In: Vacuum. 1986; 36(10): 729. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90396-9.

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6124. Use of TiSi2 to form metal-oxide-silicon field effect transistors with self-aligned source/drain and gate electrode (1986)

Elsevier

In: Vacuum. 1986; 36(10): 728. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90391-x.

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6136. Plasma deposited hydrogenated carbon on GaAs and InP (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 729. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90403-3.

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6139. Selective focusing of different ion species produced by magnetically insulated ion beam diodes (1986)

Elsevier

In: Vacuum. 1986; 36(10): 730. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90406-9.

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6131. New radio frequency technique for deposition of hard carbon films (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 729. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90398-2.

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6133. Arcing from coated surfaces: test facility development and coating deposition using ion plating techniques (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 729. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90400-8.

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6123. Computer-controlled four-gun multisubstrate sputtering system for the preparation of composition-modulated structures (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 728. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90390-8.

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6125. The influence of discharge current on the intrinsic stress in Mo films deposited using cylindrical and planar magnetron sputtering sources (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 728. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90392-1.

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6132. Deposition and characterization of p-type cadmium telluride films (1986)

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6127. Adhesion of titanium nitride coatings on high-speed steels (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(10): 728. Published 1986 Oct 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90394-5.

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Veeco announces DV-40 system sales (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 176. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90316-7.

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‘Cool sputtering’ unit from Balzers (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 175-176. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90314-3.

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Veeco announces wafer fab automation systems orders and plant expansion (1986)

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New range of vacum/compressor pumps (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 174. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90310-6.

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Working instructions for MCP 120 when used to solder glass to glass etc (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 174. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90309-x.

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Turbomolecular pumping systems from Balzers feature ‘B’ series pumps (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 173. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90306-4.

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Soldering glass to glass? (1986)

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Site demos for the ‘intelligent’ partial pressure gauge (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 173. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90305-2.

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Veeco's new MS-2OUFT high production leak detectors for semiconductor devices (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 173. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90304-0.

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Vickers instruments takes over Bausch & Lomb's Canadian business (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 176. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90319-2.

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Major advance in high temperature technology—£2 million manufacturing plant now in production at Bellshil, Scotland (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 173. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90303-9.

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Conferences and group activities (1986)

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New range of side channel blowers (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 174. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90311-8.

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Hastings mini-flo provides a primary calibration standard for less than £900 (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 171-172. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90296-4.

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Extra fine control features with new MKS mass flow controllers (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 171. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90295-2.

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A range of ion pump controls and accessories (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 171. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90294-0.

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Computer-controlled test equipment for vacuum switches (1986)

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In: Vacuum. 1986; 36(1-3): 172. Published 1986 Jan 01. doi: 10.1016/0042-207x(86)90299-x.

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China orders Edwards' freeze dryers (1986)

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