A theoretical analysis of epitaxial growth of CuInS₂ by chemical vapour deposition

Summary

A theoretical analysis has been carried out to investigate the kinetics involved in the CVD growth of CuInS₂. A stagnant-layer model is assumed for the numerical, simulation. Computational results for the growth rate as a function of the substrate temperature, mean, gas velocity and partial pressures in the reaction tube are obtained. This analysis indicates that the substrate temperature plays a dominant role in the growth rate, which is consistent with our experimental data.

Riassunto

È stata condotta un'analisis teorica per studiare la cinetica implicata nella crescita CVD di CuInS₂. Si assume un modello a strato stagnante per la simulazione numerica. Si ottengono risultati di calcolo per il tasso di crescita in funzione della temperatura del substrato, la velocità media del gas e le pressioni parziali nel tubo di reazione. Questa analisi indica che la temperatura del substrato gioca un ruolo dominante nel tasso di crescita, che è consistente con i dati sperimentali.

Резюме

Теоретически исследуется кинетика роста кристаллов CuInS₂ посредством химического осаждения пара. Для численного моделирования предполагается слоистая модель. Получены численные результаты для скорости роста в зависимости от температуры подложки, средней скорости газа и парциальний в реакторе. Проведенный анализ показывает, что температура подложки играет существенную роль в определении скорости роста, что согласуется с нашими экспериментальными результатами.