References
M. I. Nathan, Proc. IEEE,54, 1276, 1966.
K. Weiser and R. L. Levitt, Appl. Phys. Lett.,2, 178, 1963.
J. Melngailis, Appl. Phys. Lett.,2, 176, 1963.
N. Holonyak and S. F. Bevacqua, Appl. Phys. Lett.1, 82, 1962.
F. B. Alexander, V. B. Bird, D. R. Carpenter, G. W. Manley, P. S. McDermott, I. R. Peloke, H. F. Quinn, R. J. Riley, and L. R. Yetter, Appl. Phys. Lett.,4, 13, 1964.
P. G. Eliseev, I. Ismailov, A. Ya. Nashel'skii, and V. Z. Ostrovskaya, FTT,8, 1283, 1966.
N. N. Sirota and V. I. Osinskii, DAN SSSR,171, 317, 1966.
N. G. Basov, A. V. Dudenkova, A. I. Krasil'nikov, V. V. Nikitin, and K. P. Fedoseev, FTT,8, 1060, 1966.
J. Melngailis, A. J. Strauss, and R. H. Rediker, Proc. IEEE,51, 1154, 1963.
M. S. Abrahams, R. Braunstein, and F. D. Rosi, J. Phys. Chem. Solids,10, 204, 1959.
Rights and permissions
About this article
Cite this article
Antonov, N.V., Koloskov, Y.I. & Kruzhilin, Y.I. Some emission properties of gallium arsenide/indium arsenide solid solution diodes. J Appl Spectrosc 8, 553–555 (1968). https://doi.org/10.1007/BF00618361
Issue Date:
DOI: https://doi.org/10.1007/BF00618361