Effective electron-hole potential in polar semiconductors

Summary

An accurate analytic expression for the electron-hole effective potential in polar semiconductors is derived, by use of a preceding self-consistent calculation of the author. Its form relies on the main assumption that the excitonic envelope function can be of the 1s-orbital form and that the ground-state wave function is well described in its phonon part by a coherent-state shape with a phonon displacement function depending on the relative electron-hole distance.

Riassunto

Usando un precedente calcolo autoconsistente dell'autore si deriva un'accurata espressione analitica del potenziale efficace electtrone-buca nei semiconduttori polari. La sua forma ha origine dall'ipotesi fondamentale che la funzione d'inviluppo eccitonica può essere descritta da un orbitale 1s e che la funzione d'onda dello stato fondamentale è ben approssimata nella sua parte fononica da una funzione della forma di uno stato coerente, con lo spostamento fononico dipendente dalla distanza relativa elettrone-buca.